ReP USP - Resultado da busca

Artigo de periodico
Multifractal conductance fluctuations of helical edge states (2023)
Olshanetsky, E. B.; Gusev, Gennady ; Levine, Alexandre ; Kvon, Z. D.; Armand, Johnnier Perez
Source: Physical Review Letters. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLSHANETSKY, E. B. et al. Multifractal conductance fluctuations of helical edge states. Physical Review Letters, v. 131, n. 7, p. 076301, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.131.076301. Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Olshanetsky, E. B., Gusev, G., Levine, A., Kvon, Z. D., & Armand, J. P. (2023). Multifractal conductance fluctuations of helical edge states. Physical Review Letters, 131( 7), 076301. doi:10.1103/PhysRevLett.131.076301
NLM
Olshanetsky EB, Gusev G, Levine A, Kvon ZD, Armand JP. Multifractal conductance fluctuations of helical edge states [Internet]. Physical Review Letters. 2023 ; 131( 7): 076301.[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.131.076301
Vancouver
Olshanetsky EB, Gusev G, Levine A, Kvon ZD, Armand JP. Multifractal conductance fluctuations of helical edge states [Internet]. Physical Review Letters. 2023 ; 131( 7): 076301.[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.131.076301
Artigo de periodico
Magnetoresistance of doped silicon (2015)
Silva, Antonio Ferreira da; Boudinov, Henri; Sernelius, Bo E.; Momtaz, Zahra Sadre; Levine, Alexandre
Source: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Antonio Ferreira da et al. Magnetoresistance of doped silicon. PHYSICAL REVIEW B, v. 91, n. ju 2015, p. 214414, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.91.214414. Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Silva, A. F. da, Boudinov, H., Sernelius, B. E., Momtaz, Z. S., & Levine, A. (2015). Magnetoresistance of doped silicon. PHYSICAL REVIEW B, 91( ju 2015), 214414. doi:10.1103/physrevb.91.214414
NLM
Silva AF da, Boudinov H, Sernelius BE, Momtaz ZS, Levine A. Magnetoresistance of doped silicon [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2015 ; 91( ju 2015): 214414.[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.91.214414
Vancouver
Silva AF da, Boudinov H, Sernelius BE, Momtaz ZS, Levine A. Magnetoresistance of doped silicon [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2015 ; 91( ju 2015): 214414.[citado 2025 dez. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.91.214414
Relatorio tecnico
The resistance of 2D Topological insulator in the absence of the quantized transport (2013)
Gusev, Guennadii Michailovich; Kvon, Z D; Olshanetsky, E B; Levine, Alexandre ; Krupko, Y; Portal, J C; Mikhailov, N N; Dvoretsky, S A
Unidade: IF
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES, MAGNETISMO (RESISTÊNCIA)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUSEV, Guennadii Michailovich et al. The resistance of 2D Topological insulator in the absence of the quantized transport. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://lanl.arxiv.org/pdf/1308.4356v1.pdf. Acesso em: 04 dez. 2025. , 2013
APA
Gusev, G. M., Kvon, Z. D., Olshanetsky, E. B., Levine, A., Krupko, Y., Portal, J. C., et al. (2013). The resistance of 2D Topological insulator in the absence of the quantized transport. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://lanl.arxiv.org/pdf/1308.4356v1.pdf
NLM
Gusev GM, Kvon ZD, Olshanetsky EB, Levine A, Krupko Y, Portal JC, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. The resistance of 2D Topological insulator in the absence of the quantized transport [Internet]. 2013 ;[citado 2025 dez. 04 ] Available from: http://lanl.arxiv.org/pdf/1308.4356v1.pdf
Vancouver
Gusev GM, Kvon ZD, Olshanetsky EB, Levine A, Krupko Y, Portal JC, Mikhailov NN, Dvoretsky SA. The resistance of 2D Topological insulator in the absence of the quantized transport [Internet]. 2013 ;[citado 2025 dez. 04 ] Available from: http://lanl.arxiv.org/pdf/1308.4356v1.pdf
Tese (Doutorado)
Propriedades óticas de estruturas semicondutoras com dopagem planar do tipo 'n' ou 'p' (1998)
Levine, Alexandre ; Silva, Euzi Conceição Fernandes da (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEVINE, Alexandre. Propriedades óticas de estruturas semicondutoras com dopagem planar do tipo 'n' ou 'p'. 1998. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1998. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-04072012-162802/. Acesso em: 04 dez. 2025.
APA
Levine, A. (1998). Propriedades óticas de estruturas semicondutoras com dopagem planar do tipo 'n' ou 'p' (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-04072012-162802/
NLM
Levine A. Propriedades óticas de estruturas semicondutoras com dopagem planar do tipo 'n' ou 'p' [Internet]. 1998 ;[citado 2025 dez. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-04072012-162802/
Vancouver
Levine A. Propriedades óticas de estruturas semicondutoras com dopagem planar do tipo 'n' ou 'p' [Internet]. 1998 ;[citado 2025 dez. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-04072012-162802/

USP Schools

ReP

Filtros

Authors

Non normalized affiliation