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Tese

Propriedades óticas de estruturas semicondutoras com dopagem planar do tipo 'n' ou 'p' (1998)

  • Authors:
  • Autor USP: LEVINE, ALEXANDRE - IF
  • Unidade: IF
  • Sigla do Departamento: FMT
  • Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; SEMICONDUTORES
  • Language: Português
  • Abstract: Estruturas semiconduturas com dopagem planar são sistemas de considerável interesse tanto para a pesquisa básica como para a aplicação em dispositivos. Neste trabalho caracterizamos estruturas semiconduturas com dopagem planar tipo n ou p,utilizando técnicas de espectroscopia ótica tais como fotoluminescência (PL) e fotoluminescência-excitação (PLE). As amostras foram crescidas com a técnica de Epitaxia por Feixe Molecular (MBE, "Molecular Beam Epitaxy") no Laboratório de NovosMateriais Semicondutores (LNMS) do IFUSP, com exceção das amostras com dopagem planar tipo p que foram crescidas nos laboratórios do Departamento de Física da Universidade Federal de Minas Gerais. Investigamos as propriedades eletrônicas desuper-redes de GaAs com dopagem planar de Silício, em função da concentração dos átomos dopantes, mantendo-se fixa a distância entre os planos de dopagem. Através da comparação de nossos resultados experimentais com os de cálculosautoconsistentes da estrutura eletrônica das super-redes, identificamos a origem de todas as emissões observadas nos espectros de PL. As emissões principais (denominada bandas B) foram identificadas como oriundas do processo de recombinaçãoradiativa dos portadores do gás bidimensional de elétrons (2DEG) com buracos fotogerados na banda de valência. Outras emissões (denominada bandas A) foram associadas com o processo de recombinação dos elétrons do 2DEG com impurezas de Carbono.Analisamos também amostras de poçosquânticos de InGaAs/GaAs com dopagem planar de silício. Nestes sistemas, devido à presença de impurezas (que atuam como centros de espalhamento) e variações na composição da liga de InGaAs (que dão origem àlocalização de buracos), transições com e/ou sem conservação de quasi-momento envolvendo estados de buraco estendidos e/ou localizados constituem os possíveis processos de recombinação radiativa entre os elétrons do 2DEG e os buracosfotogerados. Neste ) trabalho, investigamos os processos de recombinação dos elétrons do 2DEG com os buracos gerados por excitação ótica comparando a forma de linha dos espectros experimentais e teóricos de PL. Estruturas semicondutoras de GaAs contendoum único plano de átomos de Berílio (dopagem tipo p) também foram analisadas neste trabalho. Os resultados de nossas investigações evidenciam a existência de um potencial fotoinduzido, que confina so elétrons fotogerados. O processo de formaçãodeste potencial é discutido neste trabalho
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 29.04.1998
    • Acesso à fonte
    How to cite
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    • ABNT

      LEVINE, Alexandre. Propriedades óticas de estruturas semicondutoras com dopagem planar do tipo 'n' ou 'p'. 1998. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1998. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-04072012-162802/. Acesso em: 19 fev. 2026.

    • APA

      Levine, A. (1998). Propriedades óticas de estruturas semicondutoras com dopagem planar do tipo 'n' ou 'p' (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-04072012-162802/

    • NLM

      Levine A. Propriedades óticas de estruturas semicondutoras com dopagem planar do tipo 'n' ou 'p' [Internet]. 1998 ;[citado 2026 fev. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-04072012-162802/

    • Vancouver

      Levine A. Propriedades óticas de estruturas semicondutoras com dopagem planar do tipo 'n' ou 'p' [Internet]. 1998 ;[citado 2026 fev. 19 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-04072012-162802/

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