Magnetoresistance of doped silicon (2015)
- Authors:
- Autor USP: LEVINE, ALEXANDRE - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1103/physrevb.91.214414
- Subjects: SEMICONDUTORES; MAGNETISMO
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: College, PK.
- Date published: 2015
- Source:
- Título: PHYSICAL REVIEW B
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 91, n. 21, p. 214414, jun. 2015
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
SILVA, Antonio Ferreira da et al. Magnetoresistance of doped silicon. PHYSICAL REVIEW B, v. 91, n. ju 2015, p. 214414, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.91.214414. Acesso em: 18 fev. 2026. -
APA
Silva, A. F. da, Boudinov, H., Sernelius, B. E., Momtaz, Z. S., & Levine, A. (2015). Magnetoresistance of doped silicon. PHYSICAL REVIEW B, 91( ju 2015), 214414. doi:10.1103/physrevb.91.214414 -
NLM
Silva AF da, Boudinov H, Sernelius BE, Momtaz ZS, Levine A. Magnetoresistance of doped silicon [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2015 ; 91( ju 2015): 214414.[citado 2026 fev. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.91.214414 -
Vancouver
Silva AF da, Boudinov H, Sernelius BE, Momtaz ZS, Levine A. Magnetoresistance of doped silicon [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2015 ; 91( ju 2015): 214414.[citado 2026 fev. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.91.214414 - Propriedades óticas de estruturas semicondutoras com dopagem planar do tipo 'n' ou 'p'
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Informações sobre o DOI: 10.1103/physrevb.91.214414 (Fonte: oaDOI API)
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