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Artigo de periodico
Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices (2013)
Caroena, G; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Applied Physics Letters. Unidades: EP, IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, SPINTRÔNICA
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ABNT
CAROENA, G et al. Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices. Applied Physics Letters, v. 102, n. 6, p. 062101, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4791787. Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Caroena, G., Machado, W. V. M., Assali, L. V. C., & Justo Filho, J. F. (2013). Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices. Applied Physics Letters, 102( 6), 062101. doi:10.1063/1.4791787
NLM
Caroena G, Machado WVM, Assali LVC, Justo Filho JF. Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices [Internet]. Applied Physics Letters. 2013 ; 102( 6): 062101.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4791787
Vancouver
Caroena G, Machado WVM, Assali LVC, Justo Filho JF. Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices [Internet]. Applied Physics Letters. 2013 ; 102( 6): 062101.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4791787
Artigo de periodico
Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2 (2006)
Ayres, Frederico; Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Applied Physics Letters. Unidades: IF, EP
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, DETETORES, MERCÚRIO (ELEMENTO QUÍMICO), ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
AYRES, Frederico et al. Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2. Applied Physics Letters, v. 88, n. 1, p. 011918-1/011918-3, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2159573. Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Ayres, F., Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2006). Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2. Applied Physics Letters, 88( 1), 011918-1/011918-3. doi:10.1063/1.2159573
NLM
Ayres F, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2 [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 1): 011918-1/011918-3.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2159573
Vancouver
Ayres F, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Role of intrinsic defects in the electronic and optical properties of a-HgI2 [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 1): 011918-1/011918-3.[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2159573
Artigo de periodico
Isolated nickel impurities in diamond: a microscopic model for the electrically active centers (2004)
Larico, Rolando; Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Applied Physics Letters. Unidades: IF, EP
Assuntos: RESSONÂNCIA PARAMAGNÉTICA ELETRÔNICA, DIAMANTE
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ABNT
LARICO, Rolando et al. Isolated nickel impurities in diamond: a microscopic model for the electrically active centers. Applied Physics Letters, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1645327. Acesso em: 03 nov. 2025.
APA
Larico, R., Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2004). Isolated nickel impurities in diamond: a microscopic model for the electrically active centers. Applied Physics Letters. doi:10.1063/1.1645327
NLM
Larico R, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Isolated nickel impurities in diamond: a microscopic model for the electrically active centers [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1645327
Vancouver
Larico R, Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Isolated nickel impurities in diamond: a microscopic model for the electrically active centers [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ;[citado 2025 nov. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1645327

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