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  • Artigo de periodico

    Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach (2012)

    Santos, J P T; Marques, M; Pelá, R R; Teles, L. K.; Ferreira, Luiz Guimarães

    Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Subjects: MATERIAIS MAGNÉTICOS, FERROMAGNETISMO, SEMICONDUTORES, FILMES FINOS, NÍQUEL

    Versão PublicadaAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      SANTOS, J P T et al. Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach. Applied Physics Letters, v. 101, n. 11, p. 112403, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4751285. Acesso em: 08 nov. 2025.

    • APA

      Santos, J. P. T., Marques, M., Pelá, R. R., Teles, L. K., & Ferreira, L. G. (2012). Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach. Applied Physics Letters, 101( 11), 112403. doi:10.1063/1.4751285

    • NLM

      Santos JPT, Marques M, Pelá RR, Teles LK, Ferreira LG. Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach [Internet]. Applied Physics Letters. 2012 ;101( 11): 112403.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4751285

    • Vancouver

      Santos JPT, Marques M, Pelá RR, Teles LK, Ferreira LG. Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach [Internet]. Applied Physics Letters. 2012 ;101( 11): 112403.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4751285

  • Artigo de periodico

    GaMnAs: position of Mn-d levels and majority spin band gap predicted from GGA-1/2 calculations (2012)

    Pela, R R; Marques, M; Ferreira, Luiz Guimarães; Furthmüller, Jurgen; Teles, L. K.

    Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, SEMICONDUTORES (PROPRIEDADES MAGNÉTICAS)

    Versão PublicadaAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      PELA, R R et al. GaMnAs: position of Mn-d levels and majority spin band gap predicted from GGA-1/2 calculations. Applied Physics Letters, v. 100, n. 20, p. 202408/1-202408/4, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4718602. Acesso em: 08 nov. 2025.

    • APA

      Pela, R. R., Marques, M., Ferreira, L. G., Furthmüller, J., & Teles, L. K. (2012). GaMnAs: position of Mn-d levels and majority spin band gap predicted from GGA-1/2 calculations. Applied Physics Letters, 100( 20), 202408/1-202408/4. doi:10.1063/1.4718602

    • NLM

      Pela RR, Marques M, Ferreira LG, Furthmüller J, Teles LK. GaMnAs: position of Mn-d levels and majority spin band gap predicted from GGA-1/2 calculations [Internet]. Applied Physics Letters. 2012 ; 100( 20): 202408/1-202408/4.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4718602

    • Vancouver

      Pela RR, Marques M, Ferreira LG, Furthmüller J, Teles LK. GaMnAs: position of Mn-d levels and majority spin band gap predicted from GGA-1/2 calculations [Internet]. Applied Physics Letters. 2012 ; 100( 20): 202408/1-202408/4.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4718602

  • Artigo de periodico

    Anomalous lattice parameter of magnetic semiconductor alloys (2009)

    Caetano, Clovis; Marques, Marcelo; Ferreira, Luiz Guimarães; Teles, L. K.

    Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assunto: SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      CAETANO, Clovis et al. Anomalous lattice parameter of magnetic semiconductor alloys. Applied Physics Letters, v. 94, n. 24, p. 241914/1-241914/3. 2009, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3154560. Acesso em: 08 nov. 2025.

    • APA

      Caetano, C., Marques, M., Ferreira, L. G., & Teles, L. K. (2009). Anomalous lattice parameter of magnetic semiconductor alloys. Applied Physics Letters, 94( 24), 241914/1-241914/3. 2009. doi:10.1063/1.3154560

    • NLM

      Caetano C, Marques M, Ferreira LG, Teles LK. Anomalous lattice parameter of magnetic semiconductor alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2009 ; 94( 24): 241914/1-241914/3. 2009.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3154560

    • Vancouver

      Caetano C, Marques M, Ferreira LG, Teles LK. Anomalous lattice parameter of magnetic semiconductor alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2009 ; 94( 24): 241914/1-241914/3. 2009.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3154560

  • Artigo de periodico

    Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN (2006)

    Marques, M; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Teles, L. K.; Furthmüller, Jurgen; Bechstedt, F; Ferreira, L G

    Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      MARQUES, M et al. Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN. Applied Physics Letters, v. 88, n. 2, p. 022507-1/022507-3, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2162802. Acesso em: 08 nov. 2025.

    • APA

      Marques, M., Scolfaro, L. M. R., Teles, L. K., Furthmüller, J., Bechstedt, F., & Ferreira, L. G. (2006). Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN. Applied Physics Letters, 88( 2), 022507-1/022507-3. doi:10.1063/1.2162802

    • NLM

      Marques M, Scolfaro LMR, Teles LK, Furthmüller J, Bechstedt F, Ferreira LG. Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 2): 022507-1/022507-3.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2162802

    • Vancouver

      Marques M, Scolfaro LMR, Teles LK, Furthmüller J, Bechstedt F, Ferreira LG. Theoretical prediction of ferromagnetic MnN layers embedded in wurtzite GaN [Internet]. Applied Physics Letters. 2006 ; 88( 2): 022507-1/022507-3.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2162802

  • Artigo de periodico

    Magnetic properties of MnN: influence of strain and crystal structure (2005)

    Marques, M; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Furthmüller, J; Bechstedt, F; Ferreira, L G

    Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MAGNETISMO

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      MARQUES, M et al. Magnetic properties of MnN: influence of strain and crystal structure. Applied Physics Letters, v. 86, n. 16, p. 164105/1-164105/3, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1905787. Acesso em: 08 nov. 2025.

    • APA

      Marques, M., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Furthmüller, J., Bechstedt, F., & Ferreira, L. G. (2005). Magnetic properties of MnN: influence of strain and crystal structure. Applied Physics Letters, 86( 16), 164105/1-164105/3. doi:10.1063/1.1905787

    • NLM

      Marques M, Teles LK, Scolfaro LMR, Furthmüller J, Bechstedt F, Ferreira LG. Magnetic properties of MnN: influence of strain and crystal structure [Internet]. Applied Physics Letters. 2005 ; 86( 16): 164105/1-164105/3.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1905787

    • Vancouver

      Marques M, Teles LK, Scolfaro LMR, Furthmüller J, Bechstedt F, Ferreira LG. Magnetic properties of MnN: influence of strain and crystal structure [Internet]. Applied Physics Letters. 2005 ; 86( 16): 164105/1-164105/3.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1905787

  • Artigo de periodico

    Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function (2003)

    Marques, M; Teles, L. K.; Anjos, V; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Freire, V N; Farias, G A; Silva Junior, E F da

    Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FILMES FINOS, ÓPTICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MARQUES, M et al. Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function. Applied Physics Letters, v. 82, n. 18, p. 3074-3076, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1570922. Acesso em: 08 nov. 2025.

    • APA

      Marques, M., Teles, L. K., Anjos, V., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Freire, V. N., et al. (2003). Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function. Applied Physics Letters, 82( 18), 3074-3076. doi:10.1063/1.1570922

    • NLM

      Marques M, Teles LK, Anjos V, Scolfaro LMR, Leite JR, Freire VN, Farias GA, Silva Junior EF da. Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 18): 3074-3076.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1570922

    • Vancouver

      Marques M, Teles LK, Anjos V, Scolfaro LMR, Leite JR, Freire VN, Farias GA, Silva Junior EF da. Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 18): 3074-3076.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1570922

  • Artigo de periodico

    Lattice parameter and energy band gap of cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.Y' 'In IND.1-X-Y' N quaternary alloys (2003)

    Marques, M; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Furthmüller, J; Bechstedt, F

    Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      MARQUES, M et al. Lattice parameter and energy band gap of cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.Y' 'In IND.1-X-Y' N quaternary alloys. Applied Physics Letters, v. 83, n. 5, p. 890-892, 2003Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000083000005000890000001&idtype=cvips. Acesso em: 08 nov. 2025.

    • APA

      Marques, M., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Furthmüller, J., & Bechstedt, F. (2003). Lattice parameter and energy band gap of cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.Y' 'In IND.1-X-Y' N quaternary alloys. Applied Physics Letters, 83( 5), 890-892. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000083000005000890000001&idtype=cvips

    • NLM

      Marques M, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Furthmüller J, Bechstedt F. Lattice parameter and energy band gap of cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.Y' 'In IND.1-X-Y' N quaternary alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 83( 5): 890-892.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000083000005000890000001&idtype=cvips

    • Vancouver

      Marques M, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Furthmüller J, Bechstedt F. Lattice parameter and energy band gap of cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.Y' 'In IND.1-X-Y' N quaternary alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 83( 5): 890-892.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000083000005000890000001&idtype=cvips

  • Artigo de periodico

    Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys (2003)

    Teles, L. K.; Ferreira, L G; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Kharchenko, A; Husberg, O; As, D J; Schikora, D; Lischka, K

    Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      TELES, L. K. et al. Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys. Applied Physics Letters, v. 82, n. 24, p. 4274-4276, 2003Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000082000024004274000001&idtype=cvips. Acesso em: 08 nov. 2025.

    • APA

      Teles, L. K., Ferreira, L. G., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., Kharchenko, A., Husberg, O., et al. (2003). Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys. Applied Physics Letters, 82( 24), 4274-4276. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000082000024004274000001&idtype=cvips

    • NLM

      Teles LK, Ferreira LG, Leite JR, Scolfaro LMR, Kharchenko A, Husberg O, As DJ, Schikora D, Lischka K. Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 24): 4274-4276.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000082000024004274000001&idtype=cvips

    • Vancouver

      Teles LK, Ferreira LG, Leite JR, Scolfaro LMR, Kharchenko A, Husberg O, As DJ, Schikora D, Lischka K. Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 24): 4274-4276.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000082000024004274000001&idtype=cvips

  • Artigo de periodico

    Spinodal decomposition in 'B IND.X' Ga IND.1-X'N alloys (2002)

    Teles, L. K.; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.; Furthmuller, K; Bechstedt, F

    Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Subjects: TERMODINÂMICA, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      TELES, L. K. et al. Spinodal decomposition in 'B IND.X' Ga IND.1-X'N alloys. Applied Physics Letters, v. 80, n. 7, p. 1177-1178, 2002Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000080000007001177000001&idtype=cvips. Acesso em: 08 nov. 2025.

    • APA

      Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Furthmuller, K., & Bechstedt, F. (2002). Spinodal decomposition in 'B IND.X' Ga IND.1-X'N alloys. Applied Physics Letters, 80( 7), 1177-1178. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000080000007001177000001&idtype=cvips

    • NLM

      Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Furthmuller K, Bechstedt F. Spinodal decomposition in 'B IND.X' Ga IND.1-X'N alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 80( 7): 1177-1178.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000080000007001177000001&idtype=cvips

    • Vancouver

      Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Furthmuller K, Bechstedt F. Spinodal decomposition in 'B IND.X' Ga IND.1-X'N alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 80( 7): 1177-1178.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000080000007001177000001&idtype=cvips

  • Artigo de periodico

    Phase separation suppression in InGaN epitaxial layers due to biaxial strain (2002)

    Tabata, A; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Kharchenko, A; Frey, T; As, D J; Schikora, D; Lischka, K; Furthmüller, J; Bechstedt, F

    Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, ESPECTROSCOPIA RAMAN

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      TABATA, A et al. Phase separation suppression in InGaN epitaxial layers due to biaxial strain. Applied Physics Letters, v. 80, n. 5, p. 769-771, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1436270. Acesso em: 08 nov. 2025.

    • APA

      Tabata, A., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Kharchenko, A., Frey, T., et al. (2002). Phase separation suppression in InGaN epitaxial layers due to biaxial strain. Applied Physics Letters, 80( 5), 769-771. doi:10.1063/1.1436270

    • NLM

      Tabata A, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Kharchenko A, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K, Furthmüller J, Bechstedt F. Phase separation suppression in InGaN epitaxial layers due to biaxial strain [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 80( 5): 769-771.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1436270

    • Vancouver

      Tabata A, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Kharchenko A, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K, Furthmüller J, Bechstedt F. Phase separation suppression in InGaN epitaxial layers due to biaxial strain [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 80( 5): 769-771.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1436270

  • Artigo de periodico

    Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers (1999)

    Tabata, A.; Lima, A. P.; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Lemos, V.; Schoettker, B.; Frey, T.; Schikova, D.; Lischka, K.

    Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      TABATA, A. et al. Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers. Applied Physics Letters, v. 74, n. 3, p. 362-364, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.123072. Acesso em: 08 nov. 2025.

    • APA

      Tabata, A., Lima, A. P., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Lemos, V., et al. (1999). Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers. Applied Physics Letters, 74( 3), 362-364. doi:10.1063/1.123072

    • NLM

      Tabata A, Lima AP, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Lemos V, Schoettker B, Frey T, Schikova D, Lischka K. Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers [Internet]. Applied Physics Letters. 1999 ; 74( 3): 362-364.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.123072

    • Vancouver

      Tabata A, Lima AP, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Lemos V, Schoettker B, Frey T, Schikova D, Lischka K. Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers [Internet]. Applied Physics Letters. 1999 ; 74( 3): 362-364.[citado 2025 nov. 08 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.123072
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