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Trabalho de evento-resumo
Estrutura eletronica da microestrutura: 'GA IND.N' 'AS IND.M' (1992)
Piquini, P C; Fazzio, A; Canuto, Sylvio
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
PIQUINI, P C e FAZZIO, A e CANUTO, Sylvio. Estrutura eletronica da microestrutura: 'GA IND.N' 'AS IND.M'. 1992, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1992. . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Piquini, P. C., Fazzio, A., & Canuto, S. (1992). Estrutura eletronica da microestrutura: 'GA IND.N' 'AS IND.M'. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Piquini PC, Fazzio A, Canuto S. Estrutura eletronica da microestrutura: 'GA IND.N' 'AS IND.M'. Programa e Resumos. 1992 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Piquini PC, Fazzio A, Canuto S. Estrutura eletronica da microestrutura: 'GA IND.N' 'AS IND.M'. Programa e Resumos. 1992 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Trabalho de evento-resumo
Difusao de impurezas em semicondutores tipo iv (1992)
Justo Filho, João Francisco ; Caldas, Marília Junqueira; Fazzio, A
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e CALDAS, Marília Junqueira e FAZZIO, A. Difusao de impurezas em semicondutores tipo iv. 1992, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1992. . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Justo Filho, J. F., Caldas, M. J., & Fazzio, A. (1992). Difusao de impurezas em semicondutores tipo iv. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Justo Filho JF, Caldas MJ, Fazzio A. Difusao de impurezas em semicondutores tipo iv. Programa e Resumos. 1992 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Justo Filho JF, Caldas MJ, Fazzio A. Difusao de impurezas em semicondutores tipo iv. Programa e Resumos. 1992 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Trabalho de evento-resumo
Defeitos de antisitio e tipo-anti-sitio em 'GA'p (1992)
Venezuela, P P M; Schmidt, T M; Caldas, Marília Junqueira; Fazzio, A
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
VENEZUELA, P P M et al. Defeitos de antisitio e tipo-anti-sitio em 'GA'p. 1992, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1992. . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Venezuela, P. P. M., Schmidt, T. M., Caldas, M. J., & Fazzio, A. (1992). Defeitos de antisitio e tipo-anti-sitio em 'GA'p. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Venezuela PPM, Schmidt TM, Caldas MJ, Fazzio A. Defeitos de antisitio e tipo-anti-sitio em 'GA'p. Programa e Resumos. 1992 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Venezuela PPM, Schmidt TM, Caldas MJ, Fazzio A. Defeitos de antisitio e tipo-anti-sitio em 'GA'p. Programa e Resumos. 1992 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Trabalho de evento-resumo
Modelo de pares spin-polarons e a dependencia da temperatura critica tc com x em ' ('la ind.1-x''sr ind.X') IND.2''CU''O IND.4' (1992)
Mota, R.; Fazzio, A
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
MOTA, R. e FAZZIO, A. Modelo de pares spin-polarons e a dependencia da temperatura critica tc com x em ' ('la ind.1-x''sr ind.X') IND.2''CU''O IND.4'. 1992, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1992. . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Mota, R., & Fazzio, A. (1992). Modelo de pares spin-polarons e a dependencia da temperatura critica tc com x em ' ('la ind.1-x''sr ind.X') IND.2''CU''O IND.4'. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Mota R, Fazzio A. Modelo de pares spin-polarons e a dependencia da temperatura critica tc com x em ' ('la ind.1-x''sr ind.X') IND.2''CU''O IND.4'. Programa e Resumos. 1992 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Mota R, Fazzio A. Modelo de pares spin-polarons e a dependencia da temperatura critica tc com x em ' ('la ind.1-x''sr ind.X') IND.2''CU''O IND.4'. Programa e Resumos. 1992 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Trabalho de evento-resumo
Electronic structure of n and 'N IND.2' doped diamond, silicon and germanium (1992)
Cunha, C R M; Fazzio, A; Canuto, Sylvio
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
CUNHA, C R M e FAZZIO, A e CANUTO, Sylvio. Electronic structure of n and 'N IND.2' doped diamond, silicon and germanium. 1992, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1992. . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Cunha, C. R. M., Fazzio, A., & Canuto, S. (1992). Electronic structure of n and 'N IND.2' doped diamond, silicon and germanium. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Cunha CRM, Fazzio A, Canuto S. Electronic structure of n and 'N IND.2' doped diamond, silicon and germanium. Programa e Resumos. 1992 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Cunha CRM, Fazzio A, Canuto S. Electronic structure of n and 'N IND.2' doped diamond, silicon and germanium. Programa e Resumos. 1992 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Artigo de periodico
Many-electron effects on the structural properties of sp impurities in semiconductors (1992)
Schmidt, T M; Fazzio, A
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SCHMIDT, T M e FAZZIO, A. Many-electron effects on the structural properties of sp impurities in semiconductors. Solid State Communications, v. 82, p. 83-7, 1992Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0038-1098(92)90677-2. Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (1992). Many-electron effects on the structural properties of sp impurities in semiconductors. Solid State Communications, 82, 83-7. doi:10.1016/0038-1098(92)90677-2
NLM
Schmidt TM, Fazzio A. Many-electron effects on the structural properties of sp impurities in semiconductors [Internet]. Solid State Communications. 1992 ;82 83-7.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(92)90677-2
Vancouver
Schmidt TM, Fazzio A. Many-electron effects on the structural properties of sp impurities in semiconductors [Internet]. Solid State Communications. 1992 ;82 83-7.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(92)90677-2
Artigo de periodico
Spin-polaron pairing and the x dependence of the 'T IND.C''IN'' ('la ind.1-x''sr ind.X') IND.2''CU''O IND.4' (1992)
Mota, R.; Lima, G A R; Fazzio, A
Source: Modern Physics Letters B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOTA, R. e LIMA, G A R e FAZZIO, A. Spin-polaron pairing and the x dependence of the 'T IND.C''IN'' ('la ind.1-x''sr ind.X') IND.2''CU''O IND.4'. Modern Physics Letters B, v. 6 , n. 18, p. 1131-6, 1992Tradução . . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Mota, R., Lima, G. A. R., & Fazzio, A. (1992). Spin-polaron pairing and the x dependence of the 'T IND.C''IN'' ('la ind.1-x''sr ind.X') IND.2''CU''O IND.4'. Modern Physics Letters B, 6 ( 18), 1131-6.
NLM
Mota R, Lima GAR, Fazzio A. Spin-polaron pairing and the x dependence of the 'T IND.C''IN'' ('la ind.1-x''sr ind.X') IND.2''CU''O IND.4'. Modern Physics Letters B. 1992 ;6 ( 18): 1131-6.[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Mota R, Lima GAR, Fazzio A. Spin-polaron pairing and the x dependence of the 'T IND.C''IN'' ('la ind.1-x''sr ind.X') IND.2''CU''O IND.4'. Modern Physics Letters B. 1992 ;6 ( 18): 1131-6.[citado 2024 nov. 13 ]
Artigo de periodico
Electronic and structural properties of n and n2 in type-iv semiconductors (1992)
Fazzio, A; Cunha, C R M; Canuto, Sylvio
Source: International Journal of Quantum Chemistry. Unidade: IF
Subjects: ELETRICIDADE E ELETRONICA (FISICA), MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, A e CUNHA, C R M e CANUTO, Sylvio. Electronic and structural properties of n and n2 in type-iv semiconductors. International Journal of Quantum Chemistry, n. 26 suppl., p. 667-72, 1992Tradução . . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Fazzio, A., Cunha, C. R. M., & Canuto, S. (1992). Electronic and structural properties of n and n2 in type-iv semiconductors. International Journal of Quantum Chemistry, (26 suppl.), 667-72.
NLM
Fazzio A, Cunha CRM, Canuto S. Electronic and structural properties of n and n2 in type-iv semiconductors. International Journal of Quantum Chemistry. 1992 ;(26 suppl.): 667-72.[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Fazzio A, Cunha CRM, Canuto S. Electronic and structural properties of n and n2 in type-iv semiconductors. International Journal of Quantum Chemistry. 1992 ;(26 suppl.): 667-72.[citado 2024 nov. 13 ]
Trabalho de evento-resumo
'GA''AS': 'GE', e um centro dx ? (1992)
Schmidt, T M; Venezuela, P P M; Caldas, Marília Junqueira; Fazzio, A
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATERIA CONDENSADA (PROPRIEDADES TÉRMICAS), MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, T M et al. 'GA''AS': 'GE', e um centro dx ? 1992, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1992. . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Schmidt, T. M., Venezuela, P. P. M., Caldas, M. J., & Fazzio, A. (1992). 'GA''AS': 'GE', e um centro dx ? In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Schmidt TM, Venezuela PPM, Caldas MJ, Fazzio A. 'GA''AS': 'GE', e um centro dx ? Programa e Resumos. 1992 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Schmidt TM, Venezuela PPM, Caldas MJ, Fazzio A. 'GA''AS': 'GE', e um centro dx ? Programa e Resumos. 1992 ;[citado 2024 nov. 13 ]

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