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Trabalho de evento-resumo
Influência dos parâmetros de corrosão em filmes de oxinitreto de silício depositados por PECVD para utilização em óptica integrada (2003)
Silva, Bárbara Dariano; Alayo Chávez, Marco Isaías ; Iguchi, Kleber; Pereyra, Inés
Source: 11 SIICUSP 2003 : resumos. Conference titles: Simpósio Internacional de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo (SIICUSP. Unidade: EP
Assunto: DISPOSITIVOS ÓPTICOS
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ABNT
SILVA, Bárbara Dariano et al. Influência dos parâmetros de corrosão em filmes de oxinitreto de silício depositados por PECVD para utilização em óptica integrada. 2003, Anais.. São Paulo: USP, 2003. Disponível em: http://www.usp.br/siicusp/11osiicusp/index01.htm. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Silva, B. D., Alayo Chávez, M. I., Iguchi, K., & Pereyra, I. (2003). Influência dos parâmetros de corrosão em filmes de oxinitreto de silício depositados por PECVD para utilização em óptica integrada. In 11 SIICUSP 2003 : resumos. São Paulo: USP. Recuperado de http://www.usp.br/siicusp/11osiicusp/index01.htm
NLM
Silva BD, Alayo Chávez MI, Iguchi K, Pereyra I. Influência dos parâmetros de corrosão em filmes de oxinitreto de silício depositados por PECVD para utilização em óptica integrada [Internet]. 11 SIICUSP 2003 : resumos. 2003 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.usp.br/siicusp/11osiicusp/index01.htm
Vancouver
Silva BD, Alayo Chávez MI, Iguchi K, Pereyra I. Influência dos parâmetros de corrosão em filmes de oxinitreto de silício depositados por PECVD para utilização em óptica integrada [Internet]. 11 SIICUSP 2003 : resumos. 2003 ;[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.usp.br/siicusp/11osiicusp/index01.htm
Trabalho de evento-resumo
Experimental and theoretical local structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride (2003)
Scopel, Wanderla Luis ; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; Prado, Rogerio Junqueira; Orellana, Walter M; Silva, Antonio Jose Roque da ; Fazzio, Adalberto ; Pereyra, Inés
Source: Book of Abstracts. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidades: IF, EP
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
SCOPEL, Wanderla Luis et al. Experimental and theoretical local structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Scopel, W. L., Fantini, M. C. de A., Prado, R. J., Orellana, W. M., Silva, A. J. R. da, Fazzio, A., & Pereyra, I. (2003). Experimental and theoretical local structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride. In Book of Abstracts. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Scopel WL, Fantini MC de A, Prado RJ, Orellana WM, Silva AJR da, Fazzio A, Pereyra I. Experimental and theoretical local structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 nov. 11 ]
Vancouver
Scopel WL, Fantini MC de A, Prado RJ, Orellana WM, Silva AJR da, Fazzio A, Pereyra I. Experimental and theoretical local structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 nov. 11 ]
Parte de monografia/livro
Silicon carbide clusters in silicon formed by carbon ions implantation (2003)
Escobar Forhan, Neisy Amparo; Pereyra, Inés
Source: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Unidade: EP
Assunto: MICROELETRÔNICA
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ABNT
ESCOBAR FORHAN, Neisy Amparo e PEREYRA, Inés. Silicon carbide clusters in silicon formed by carbon ions implantation. Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Tradução . Pennington: Electrochemical Society, 2003. . . Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Escobar Forhan, N. A., & Pereyra, I. (2003). Silicon carbide clusters in silicon formed by carbon ions implantation. In Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society.
NLM
Escobar Forhan NA, Pereyra I. Silicon carbide clusters in silicon formed by carbon ions implantation. In: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society; 2003. [citado 2024 nov. 11 ]
Vancouver
Escobar Forhan NA, Pereyra I. Silicon carbide clusters in silicon formed by carbon ions implantation. In: Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003. Pennington: Electrochemical Society; 2003. [citado 2024 nov. 11 ]
Artigo de periodico
Annealing effects of highly homogeneous a-'Si IND. 1-x''C IND. x': H (2003)
Prado, J. R; D'Addio, T. F; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; Pereyra, Inés ; Flank, A. M
Source: Journal of Non-Crystalline Solids. Unidades: IF, EP
Assunto: FILMES FINOS
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ABNT
PRADO, J. R et al. Annealing effects of highly homogeneous a-'Si IND. 1-x''C IND. x': H. Journal of Non-Crystalline Solids, v. 330, n. 1-3, p. 196-215, 2003Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5594&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0f8f94222ce407d33f3e1442abef58bd/. Acesso em: 11 nov. 2024.
APA
Prado, J. R., D'Addio, T. F., Fantini, M. C. de A., Pereyra, I., & Flank, A. M. (2003). Annealing effects of highly homogeneous a-'Si IND. 1-x''C IND. x': H. Journal of Non-Crystalline Solids, 330( 1-3), 196-215. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5594&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0f8f94222ce407d33f3e1442abef58bd/
NLM
Prado JR, D'Addio TF, Fantini MC de A, Pereyra I, Flank AM. Annealing effects of highly homogeneous a-'Si IND. 1-x''C IND. x': H [Internet]. Journal of Non-Crystalline Solids. 2003 ; 330( 1-3): 196-215.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5594&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0f8f94222ce407d33f3e1442abef58bd/
Vancouver
Prado JR, D'Addio TF, Fantini MC de A, Pereyra I, Flank AM. Annealing effects of highly homogeneous a-'Si IND. 1-x''C IND. x': H [Internet]. Journal of Non-Crystalline Solids. 2003 ; 330( 1-3): 196-215.[citado 2024 nov. 11 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5594&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0f8f94222ce407d33f3e1442abef58bd/

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