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Trabalho de evento-resumo
Theoretical luminescence spectra in p-type superlattices based on InGaAsN (2012)
Rodrigues, S. C. P.; Oliveira, T. F.; Scolfaro, L. M. R.; Sipahi, Guilherme Matos ; Silva Junior, E. F.
Source: Abstracts. Conference titles: International Conference on Superlattices, Nanostructures and Nanodevices - ICSNN. Unidade: IFSC
Subjects: LUMINESCÊNCIA, EMISSÃO DA LUZ, GASES
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ABNT
RODRIGUES, S. C. P. et al. Theoretical luminescence spectra in p-type superlattices based on InGaAsN. 2012, Anais.. Dresden: [s.n.], 2012. . Acesso em: 17 nov. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Oliveira, T. F., Scolfaro, L. M. R., Sipahi, G. M., & Silva Junior, E. F. (2012). Theoretical luminescence spectra in p-type superlattices based on InGaAsN. In Abstracts. Dresden: [s.n.].
NLM
Rodrigues SCP, Oliveira TF, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Silva Junior EF. Theoretical luminescence spectra in p-type superlattices based on InGaAsN. Abstracts. 2012 ;[citado 2024 nov. 17 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, Oliveira TF, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Silva Junior EF. Theoretical luminescence spectra in p-type superlattices based on InGaAsN. Abstracts. 2012 ;[citado 2024 nov. 17 ]
Artigo de periodico
Spin-polarized transport in II-VI diluted magnetic semiconductors superlattices (2012)
Gomes, J. L.; Rodrigues, S. C. P.; Sipahi, Guilherme Matos ; Scolfaro, L.; Silva Junior, E. F.
Source: Materials Science and Engineering B. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, SPIN, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
GOMES, J. L. et al. Spin-polarized transport in II-VI diluted magnetic semiconductors superlattices. Materials Science and Engineering B, v. 177, n. 12, p. 962-966, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mseb.2012.04.017. Acesso em: 17 nov. 2024.
APA
Gomes, J. L., Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L., & Silva Junior, E. F. (2012). Spin-polarized transport in II-VI diluted magnetic semiconductors superlattices. Materials Science and Engineering B, 177( 12), 962-966. doi:10.1016/j.mseb.2012.04.017
NLM
Gomes JL, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro L, Silva Junior EF. Spin-polarized transport in II-VI diluted magnetic semiconductors superlattices [Internet]. Materials Science and Engineering B. 2012 ; 177( 12): 962-966.[citado 2024 nov. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mseb.2012.04.017
Vancouver
Gomes JL, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro L, Silva Junior EF. Spin-polarized transport in II-VI diluted magnetic semiconductors superlattices [Internet]. Materials Science and Engineering B. 2012 ; 177( 12): 962-966.[citado 2024 nov. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mseb.2012.04.017
Trabalho de evento-resumo
Investigation of vertical transport in thin layers based on group III-V semiconductors (2011)
Santos, O. F. P.; Rodrigues, S. C. P.; Sipahi, Guilherme Matos ; Scolfaro, L. M. R.; Silva Junior, E. F.
Source: Book of Abstracts. Conference titles: International Conference on Low Dimensional Structures and Devices - LDSD. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FENÔMENOS DE TRANSPORTE, FILMES FINOS
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ABNT
SANTOS, O. F. P. et al. Investigation of vertical transport in thin layers based on group III-V semiconductors. 2011, Anais.. Melville: American Institute of Physics - AIP, 2011. . Acesso em: 17 nov. 2024.
APA
Santos, O. F. P., Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Silva Junior, E. F. (2011). Investigation of vertical transport in thin layers based on group III-V semiconductors. In Book of Abstracts. Melville: American Institute of Physics - AIP.
NLM
Santos OFP, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Silva Junior EF. Investigation of vertical transport in thin layers based on group III-V semiconductors. Book of Abstracts. 2011 ;[citado 2024 nov. 17 ]
Vancouver
Santos OFP, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Silva Junior EF. Investigation of vertical transport in thin layers based on group III-V semiconductors. Book of Abstracts. 2011 ;[citado 2024 nov. 17 ]
Trabalho de evento-resumo
Investigações das propriedades eletrônicas e ópticas de sistemas baseados em semicondutores diluídos de nitretos (2011)
Oliveira, T. F.; Rodrigues, S. C. P.; Sipahi, Guilherme Matos ; Silva Junior, E. F.
Source: Livro de resumos. Conference titles: Encontro de Físicos do Norte e Nordeste - EFNNE. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES (ESTUDO), ÓPTICA ELETRÔNICA, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
OLIVEIRA, T. F. et al. Investigações das propriedades eletrônicas e ópticas de sistemas baseados em semicondutores diluídos de nitretos. 2011, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2011. . Acesso em: 17 nov. 2024.
APA
Oliveira, T. F., Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., & Silva Junior, E. F. (2011). Investigações das propriedades eletrônicas e ópticas de sistemas baseados em semicondutores diluídos de nitretos. In Livro de resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF.
NLM
Oliveira TF, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Silva Junior EF. Investigações das propriedades eletrônicas e ópticas de sistemas baseados em semicondutores diluídos de nitretos. Livro de resumos. 2011 ;[citado 2024 nov. 17 ]
Vancouver
Oliveira TF, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Silva Junior EF. Investigações das propriedades eletrônicas e ópticas de sistemas baseados em semicondutores diluídos de nitretos. Livro de resumos. 2011 ;[citado 2024 nov. 17 ]
Artigo de periodico
The effect of additional Si and SiGE layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor (2008)
Rodrigues, S. C. P.; Araújo, Y. R. V.; Sipahi, Guilherme Matos ; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Silva Junior, E. F.
Source: Applied Surface Science. Unidades: IFSC, IF
Subjects: SPIN, POLARIZAÇÃO, FERROMAGNETISMO, SEMICONDUTORES
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ABNT
RODRIGUES, S. C. P. et al. The effect of additional Si and SiGE layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor. Applied Surface Science, v. No 2008, n. 3, p. 709-711, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.07.015. Acesso em: 17 nov. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Araújo, Y. R. V., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Silva Junior, E. F. (2008). The effect of additional Si and SiGE layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor. Applied Surface Science, No 2008( 3), 709-711. doi:10.1016/j.apsusc.2008.07.015
NLM
Rodrigues SCP, Araújo YRV, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Silva Junior EF. The effect of additional Si and SiGE layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor [Internet]. Applied Surface Science. 2008 ; No 2008( 3): 709-711.[citado 2024 nov. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.07.015
Vancouver
Rodrigues SCP, Araújo YRV, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Silva Junior EF. The effect of additional Si and SiGE layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor [Internet]. Applied Surface Science. 2008 ; No 2008( 3): 709-711.[citado 2024 nov. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.07.015
Trabalho de evento-resumo
Interband transitions in cubic nitride quaternary alloys double quantum wells (2008)
Santos, O. F. P.; Rodrigues, S. C. P.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Sipahi, Guilherme Matos ; Silva Junior, E. F.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada - ENFMC. Unidades: IF, IFSC
Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, ELETROMAGNETISMO, SEMICONDUTORES, ÓPTICA (PROPRIEDADES)
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ABNT
SANTOS, O. F. P. et al. Interband transitions in cubic nitride quaternary alloys double quantum wells. 2008, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2008. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0747-1.pdf. Acesso em: 17 nov. 2024.
APA
Santos, O. F. P., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Sipahi, G. M., & Silva Junior, E. F. (2008). Interband transitions in cubic nitride quaternary alloys double quantum wells. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0747-1.pdf
NLM
Santos OFP, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Silva Junior EF. Interband transitions in cubic nitride quaternary alloys double quantum wells [Internet]. Resumos. 2008 ;[citado 2024 nov. 17 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0747-1.pdf
Vancouver
Santos OFP, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Silva Junior EF. Interband transitions in cubic nitride quaternary alloys double quantum wells [Internet]. Resumos. 2008 ;[citado 2024 nov. 17 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0747-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Group-IV based diluted magnetic semiconductors: spin polarization (2008)
Sipahi, Guilherme Matos ; Rodrigues, S. C. P.; Araújo, Y. R. V.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Silva Junior, E. F.
Source: Abstracts Book. Conference titles: International Conference on Physics and Applications of Spin-Related Phenomena in Semiconductors - PASPS. Unidades: IFSC, IF
Subjects: SEMICONDUTORES, SPIN, MAGNETISMO, POLARIZAÇÃO
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ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Group-IV based diluted magnetic semiconductors: spin polarization. 2008, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2008. Disponível em: http://www.pasps-v.com.br/arquivos/webbooklet2.pdf. Acesso em: 17 nov. 2024.
APA
Sipahi, G. M., Rodrigues, S. C. P., Araújo, Y. R. V., Scolfaro, L. M. R., & Silva Junior, E. F. (2008). Group-IV based diluted magnetic semiconductors: spin polarization. In Abstracts Book. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de http://www.pasps-v.com.br/arquivos/webbooklet2.pdf
NLM
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Araújo YRV, Scolfaro LMR, Silva Junior EF. Group-IV based diluted magnetic semiconductors: spin polarization [Internet]. Abstracts Book. 2008 ;[citado 2024 nov. 17 ] Available from: http://www.pasps-v.com.br/arquivos/webbooklet2.pdf
Vancouver
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Araújo YRV, Scolfaro LMR, Silva Junior EF. Group-IV based diluted magnetic semiconductors: spin polarization [Internet]. Abstracts Book. 2008 ;[citado 2024 nov. 17 ] Available from: http://www.pasps-v.com.br/arquivos/webbooklet2.pdf
Trabalho de evento-resumo
Investigation of spin vertical polarization in IV-Mn diluted magnetic semiconductors (2008)
Rodrigues, S. C. P.; Araújo, Y. R. V.; Sipahi, Guilherme Matos ; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Silva Junior, E. F.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada - ENFMC. Unidades: IFSC, IF
Subjects: SPIN, POLARIZAÇÃO, SEMICONDUTORES, MAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S. C. P. et al. Investigation of spin vertical polarization in IV-Mn diluted magnetic semiconductors. 2008, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2008. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0794-1.pdf. Acesso em: 17 nov. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Araújo, Y. R. V., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Silva Junior, E. F. (2008). Investigation of spin vertical polarization in IV-Mn diluted magnetic semiconductors. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0794-1.pdf
NLM
Rodrigues SCP, Araújo YRV, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Silva Junior EF. Investigation of spin vertical polarization in IV-Mn diluted magnetic semiconductors [Internet]. Resumos. 2008 ;[citado 2024 nov. 17 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0794-1.pdf
Vancouver
Rodrigues SCP, Araújo YRV, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Silva Junior EF. Investigation of spin vertical polarization in IV-Mn diluted magnetic semiconductors [Internet]. Resumos. 2008 ;[citado 2024 nov. 17 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0794-1.pdf
Artigo de periodico
Optical and electronic properties of AlInGaN/InGaN superlattices (2005)
Rodrigues, S. C. P.; Sipahi, Guilherme Matos ; Silva Junior, E. F.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S. C. P. e SIPAHI, Guilherme Matos e SILVA JUNIOR, E. F. Optical and electronic properties of AlInGaN/InGaN superlattices. Microelectronics Journal, v. 36, n. Ju 2005, p. 434-437, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.041. Acesso em: 17 nov. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., & Silva Junior, E. F. (2005). Optical and electronic properties of AlInGaN/InGaN superlattices. Microelectronics Journal, 36( Ju 2005), 434-437. doi:10.1016/j.mejo.2005.02.041
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Silva Junior EF. Optical and electronic properties of AlInGaN/InGaN superlattices [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( Ju 2005): 434-437.[citado 2024 nov. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.041
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Silva Junior EF. Optical and electronic properties of AlInGaN/InGaN superlattices [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; 36( Ju 2005): 434-437.[citado 2024 nov. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2005.02.041
Trabalho de evento-anais periodico
Optical properties in p-type doping of nitrides quaternary alloys multiple quantum wells (2005)
D'Eurydice, Marcel Nogueira; Sipahi, Guilherme Matos ; Rodrigues, S. C. P.; Silva Junior, E. F.
Source: Microelectronics Journal. Conference titles: Workshop of Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials - NanoSemiMat. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
D'EURYDICE, Marcel Nogueira et al. Optical properties in p-type doping of nitrides quaternary alloys multiple quantum wells. Microelectronics Journal. Oxford: Elsevier Science. . Acesso em: 17 nov. 2024. , 2005
APA
D'Eurydice, M. N., Sipahi, G. M., Rodrigues, S. C. P., & Silva Junior, E. F. (2005). Optical properties in p-type doping of nitrides quaternary alloys multiple quantum wells. Microelectronics Journal. Oxford: Elsevier Science.
NLM
D'Eurydice MN, Sipahi GM, Rodrigues SCP, Silva Junior EF. Optical properties in p-type doping of nitrides quaternary alloys multiple quantum wells. Microelectronics Journal. 2005 ; No 2005( 11): 1029-1033.[citado 2024 nov. 17 ]
Vancouver
D'Eurydice MN, Sipahi GM, Rodrigues SCP, Silva Junior EF. Optical properties in p-type doping of nitrides quaternary alloys multiple quantum wells. Microelectronics Journal. 2005 ; No 2005( 11): 1029-1033.[citado 2024 nov. 17 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Design of InGaN/AlInGaN superlattices for white-light device applications (2005)
Rodrigues, S. C. P.; D'Eurydice, Marcel Nogueira; Sipahi, Guilherme Matos ; Silva Junior, E. F.
Source: Microelectronics Journal. Conference titles: Workshop of Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials - NanoSemiMat. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S. C. P. et al. Design of InGaN/AlInGaN superlattices for white-light device applications. Microelectronics Journal. Oxford: Elsevier Science. . Acesso em: 17 nov. 2024. , 2005
APA
Rodrigues, S. C. P., D'Eurydice, M. N., Sipahi, G. M., & Silva Junior, E. F. (2005). Design of InGaN/AlInGaN superlattices for white-light device applications. Microelectronics Journal. Oxford: Elsevier Science.
NLM
Rodrigues SCP, D'Eurydice MN, Sipahi GM, Silva Junior EF. Design of InGaN/AlInGaN superlattices for white-light device applications. Microelectronics Journal. 2005 ; No 2005( 11): 1002-1005.[citado 2024 nov. 17 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, D'Eurydice MN, Sipahi GM, Silva Junior EF. Design of InGaN/AlInGaN superlattices for white-light device applications. Microelectronics Journal. 2005 ; No 2005( 11): 1002-1005.[citado 2024 nov. 17 ]
Trabalho de evento-resumo
Electronic properties of diluted ferromagnetic semiconductor based on InGaAS and GaAs (2004)
Rodrigues, S. C. P.; Silva Junior, E. F.; Sipahi, Guilherme Matos ; Lima, I. C. da Cunha; Scolfaro, Luísa Maria Ribeiro
Source: Programa e Livro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Unidades: IFSC, IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S. C. P. et al. Electronic properties of diluted ferromagnetic semiconductor based on InGaAS and GaAs. 2004, Anais.. São Carlos: SBPMat, 2004. . Acesso em: 17 nov. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Silva Junior, E. F., Sipahi, G. M., Lima, I. C. da C., & Scolfaro, L. M. R. (2004). Electronic properties of diluted ferromagnetic semiconductor based on InGaAS and GaAs. In Programa e Livro de Resumos. São Carlos: SBPMat.
NLM
Rodrigues SCP, Silva Junior EF, Sipahi GM, Lima IC da C, Scolfaro LMR. Electronic properties of diluted ferromagnetic semiconductor based on InGaAS and GaAs. Programa e Livro de Resumos. 2004 ;[citado 2024 nov. 17 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, Silva Junior EF, Sipahi GM, Lima IC da C, Scolfaro LMR. Electronic properties of diluted ferromagnetic semiconductor based on InGaAS and GaAs. Programa e Livro de Resumos. 2004 ;[citado 2024 nov. 17 ]

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