Spin-polarized transport in II-VI diluted magnetic semiconductors superlattices (2012)
- Authors:
- Autor USP: SIPAHI, GUILHERME MATOS - IFSC
- Unidade: IFSC
- DOI: 10.1016/j.mseb.2012.04.017
- Subjects: SEMICONDUTORES; SPIN; FOTOLUMINESCÊNCIA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Materials Science and Engineering B
- ISSN: 0921-5107
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 177, n. 12, p. 962-966, July 2012
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
GOMES, J. L. et al. Spin-polarized transport in II-VI diluted magnetic semiconductors superlattices. Materials Science and Engineering B, v. 177, n. 12, p. 962-966, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mseb.2012.04.017. Acesso em: 14 nov. 2024. -
APA
Gomes, J. L., Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L., & Silva Junior, E. F. (2012). Spin-polarized transport in II-VI diluted magnetic semiconductors superlattices. Materials Science and Engineering B, 177( 12), 962-966. doi:10.1016/j.mseb.2012.04.017 -
NLM
Gomes JL, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro L, Silva Junior EF. Spin-polarized transport in II-VI diluted magnetic semiconductors superlattices [Internet]. Materials Science and Engineering B. 2012 ; 177( 12): 962-966.[citado 2024 nov. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mseb.2012.04.017 -
Vancouver
Gomes JL, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro L, Silva Junior EF. Spin-polarized transport in II-VI diluted magnetic semiconductors superlattices [Internet]. Materials Science and Engineering B. 2012 ; 177( 12): 962-966.[citado 2024 nov. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mseb.2012.04.017 - Theoretical luminescence spectra from spin-polarized diluted magnetic semiconductor heterostructures
- Investigation of the spin charge polarization in diluted magnetic semiconductors (DMS) based on II-VI group
- Feira de Profissões da USP - FEPUSP, 2
- Theoretical luminescence spectra in p-type superlattices based on InGaAsN
- Spin polarization of Co(0001)/graphene junctions from first principles
- Magnetic field effects and nodal ground states in InP nanowires
- Cálculo dos parâmetros k.p para semicondutores Ga-V na forma zinc blende
- Investigação das propriedades ópticas em sistemas de GaAs/InGaAsN dopadas tipo-p sob efeito de campo elétrico
- Optical properties calculations in nitrides heterostructures
- Simulaçãodepropriedades eletrônicas de HEMTs
Informações sobre o DOI: 10.1016/j.mseb.2012.04.017 (Fonte: oaDOI API)
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
