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Trabalho de evento-resumo
Metal-induced crystallization of Ni-doped amorphous si films (2005)
Ferri, F. A.; Chambouleyron, I; Zanatta, Antonio Ricardo
Source: Books of Abstracts. Conference titles: International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERRI, F. A. e CHAMBOULEYRON, I e ZANATTA, Antonio Ricardo. Metal-induced crystallization of Ni-doped amorphous si films. 2005, Anais.. Lisboa: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2005. . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Ferri, F. A., Chambouleyron, I., & Zanatta, A. R. (2005). Metal-induced crystallization of Ni-doped amorphous si films. In Books of Abstracts. Lisboa: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Ferri FA, Chambouleyron I, Zanatta AR. Metal-induced crystallization of Ni-doped amorphous si films. Books of Abstracts. 2005 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Ferri FA, Chambouleyron I, Zanatta AR. Metal-induced crystallization of Ni-doped amorphous si films. Books of Abstracts. 2005 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Artigo de periodico
Exponential absorption edge and disorder in Column IV amorphous semiconductors (1998)
Zanatta, Antonio Ricardo ; Mulato, M; Chambouleyron, I
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
ZANATTA, Antonio Ricardo e MULATO, M e CHAMBOULEYRON, I. Exponential absorption edge and disorder in Column IV amorphous semiconductors. Journal of Applied Physics, v. 84, n. 9, p. 5184-5190, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.368768. Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Zanatta, A. R., Mulato, M., & Chambouleyron, I. (1998). Exponential absorption edge and disorder in Column IV amorphous semiconductors. Journal of Applied Physics, 84( 9), 5184-5190. doi:10.1063/1.368768
NLM
Zanatta AR, Mulato M, Chambouleyron I. Exponential absorption edge and disorder in Column IV amorphous semiconductors [Internet]. Journal of Applied Physics. 1998 ; 84( 9): 5184-5190.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.368768
Vancouver
Zanatta AR, Mulato M, Chambouleyron I. Exponential absorption edge and disorder in Column IV amorphous semiconductors [Internet]. Journal of Applied Physics. 1998 ; 84( 9): 5184-5190.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.368768
Artigo de periodico
Nitrogen in germanium (1998)
Chambouleyron, I; Zanatta, Antonio Ricardo
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
CHAMBOULEYRON, I e ZANATTA, Antonio Ricardo. Nitrogen in germanium. Journal of Applied Physics, v. 84, n. 1, p. 1-30, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.368612. Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Chambouleyron, I., & Zanatta, A. R. (1998). Nitrogen in germanium. Journal of Applied Physics, 84( 1), 1-30. doi:10.1063/1.368612
NLM
Chambouleyron I, Zanatta AR. Nitrogen in germanium [Internet]. Journal of Applied Physics. 1998 ; 84( 1): 1-30.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.368612
Vancouver
Chambouleyron I, Zanatta AR. Nitrogen in germanium [Internet]. Journal of Applied Physics. 1998 ; 84( 1): 1-30.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.368612

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