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  • Trabalho de evento

    Analysis of the silicon film thickness and the ground plane influence on ultra thin buried oxide SOI nMOSFETs. (2012)

    Itocazu, Vitor Tatsuo ; Sonnenberg, Victor ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor ; Martino, João Antonio

    Source: Microelectronics technology and devices, SBMicro. Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP

    Assunto: MICROELETRÔNICA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      ITOCAZU, Vitor Tatsuo et al. Analysis of the silicon film thickness and the ground plane influence on ultra thin buried oxide SOI nMOSFETs. 2012, Anais.. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo, 2012. Disponível em: https://doi.org/10.1149/04901.0511ecst. Acesso em: 13 nov. 2024.

    • APA

      Itocazu, V. T., Sonnenberg, V., Simoen, E., Claeys, C., & Martino, J. A. (2012). Analysis of the silicon film thickness and the ground plane influence on ultra thin buried oxide SOI nMOSFETs. In Microelectronics technology and devices, SBMicro. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. doi:10.1149/04901.0511ecst

    • NLM

      Itocazu VT, Sonnenberg V, Simoen E, Claeys C, Martino JA. Analysis of the silicon film thickness and the ground plane influence on ultra thin buried oxide SOI nMOSFETs. [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0511ecst

    • Vancouver

      Itocazu VT, Sonnenberg V, Simoen E, Claeys C, Martino JA. Analysis of the silicon film thickness and the ground plane influence on ultra thin buried oxide SOI nMOSFETs. [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0511ecst

  • Trabalho de evento

    Corner effect on capacitance-voltage curves in triple gate FinFET (2008)

    Rodrigues, Michele; Sonnenberg, Victor ; Martino, João Antonio

    Source: SBMICRO 2008: Anais. Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO. Unidade: EP

    Assunto: MICROELETRÔNICA

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      RODRIGUES, Michele e SONNENBERG, Victor e MARTINO, João Antonio. Corner effect on capacitance-voltage curves in triple gate FinFET. 2008, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2008. . Acesso em: 13 nov. 2024.

    • APA

      Rodrigues, M., Sonnenberg, V., & Martino, J. A. (2008). Corner effect on capacitance-voltage curves in triple gate FinFET. In SBMICRO 2008: Anais. Pennington: The Electrochemical Society.

    • NLM

      Rodrigues M, Sonnenberg V, Martino JA. Corner effect on capacitance-voltage curves in triple gate FinFET. SBMICRO 2008: Anais. 2008 ;[citado 2024 nov. 13 ]

    • Vancouver

      Rodrigues M, Sonnenberg V, Martino JA. Corner effect on capacitance-voltage curves in triple gate FinFET. SBMICRO 2008: Anais. 2008 ;[citado 2024 nov. 13 ]

  • Tese (Doutorado)

    Novos métodos para a determinação de parâmetros da tecnologia SOI através de capacitores (2001)

    Sonnenberg, Victor ; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Assunto: MICROELETRÔNICA

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SONNENBERG, Victor. Novos métodos para a determinação de parâmetros da tecnologia SOI através de capacitores. 2001. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2001. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07112024-150339/pt-br.php. Acesso em: 13 nov. 2024.

    • APA

      Sonnenberg, V. (2001). Novos métodos para a determinação de parâmetros da tecnologia SOI através de capacitores (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07112024-150339/pt-br.php

    • NLM

      Sonnenberg V. Novos métodos para a determinação de parâmetros da tecnologia SOI através de capacitores [Internet]. 2001 ;[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07112024-150339/pt-br.php

    • Vancouver

      Sonnenberg V. Novos métodos para a determinação de parâmetros da tecnologia SOI através de capacitores [Internet]. 2001 ;[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-07112024-150339/pt-br.php
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