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  • Tese (Doutorado)

    Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos (2017)

    Martino, Márcio Dalla Valle; Agopian, Paula Ghedini Der (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS

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    • ABNT

      MARTINO, Márcio Dalla Valle. Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos. 2017. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05032018-110248/. Acesso em: 13 nov. 2024.

    • APA

      Martino, M. D. V. (2017). Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05032018-110248/

    • NLM

      Martino MDV. Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos [Internet]. 2017 ;[citado 2024 nov. 13 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05032018-110248/

    • Vancouver

      Martino MDV. Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos [Internet]. 2017 ;[citado 2024 nov. 13 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05032018-110248/

  • Artigo de periodico

    Analog performance of vertical nanowire TFETs as a function of temperature and transport mechanism (2015)

    Martino, Márcio Dalla Valle; Thean, Aaron; Claeys, Cor ; Neves, Felipe S; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio ; Vandooren, A; Rooyackers, Rita; Simoen, Eddy

    Source: Solid-State Electronics. Unidade: EP

    Subjects: TRANSISTORES, MICROELETRÔNICA

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MARTINO, Márcio Dalla Valle et al. Analog performance of vertical nanowire TFETs as a function of temperature and transport mechanism. Solid-State Electronics, v. 112, p. 51-55, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.02.006. Acesso em: 13 nov. 2024.

    • APA

      Martino, M. D. V., Thean, A., Claeys, C., Neves, F. S., Agopian, P. G. D., Martino, J. A., et al. (2015). Analog performance of vertical nanowire TFETs as a function of temperature and transport mechanism. Solid-State Electronics, 112, 51-55. doi:10.1016/j.sse.2015.02.006

    • NLM

      Martino MDV, Thean A, Claeys C, Neves FS, Agopian PGD, Martino JA, Vandooren A, Rooyackers R, Simoen E. Analog performance of vertical nanowire TFETs as a function of temperature and transport mechanism [Internet]. Solid-State Electronics. 2015 ; 112 51-55.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.02.006

    • Vancouver

      Martino MDV, Thean A, Claeys C, Neves FS, Agopian PGD, Martino JA, Vandooren A, Rooyackers R, Simoen E. Analog performance of vertical nanowire TFETs as a function of temperature and transport mechanism [Internet]. Solid-State Electronics. 2015 ; 112 51-55.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.02.006

  • Dissertação (Mestrado)

    Estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo (2012)

    Martino, Márcio Dalla Valle; Santos Filho, Sebastião Gomes dos (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MARTINO, Márcio Dalla Valle. Estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo. 2012. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2012. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16112012-164339/. Acesso em: 13 nov. 2024.

    • APA

      Martino, M. D. V. (2012). Estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16112012-164339/

    • NLM

      Martino MDV. Estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo [Internet]. 2012 ;[citado 2024 nov. 13 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16112012-164339/

    • Vancouver

      Martino MDV. Estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo [Internet]. 2012 ;[citado 2024 nov. 13 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-16112012-164339/
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