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Dissertação (Mestrado)
Sensor de temperatura na tecnologia CMOS para proteção de CIs: arquitetura e aplicações (2019)
Quispe Cartagena, Luis Antonio; Salcedo, Walter Jaimes (Orientador) ; Barbin, Silvio Ernesto (coorient)
Unidade: EP
Subjects: SENSOR, TEMPERATURA, CIRCUITOS INTEGRADOS, MICROELETRÔNICA
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ABNT
QUISPE CARTAGENA, Luis Antonio. Sensor de temperatura na tecnologia CMOS para proteção de CIs: arquitetura e aplicações. 2019. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2019. Disponível em: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06022020-111900/. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Quispe Cartagena, L. A. (2019). Sensor de temperatura na tecnologia CMOS para proteção de CIs: arquitetura e aplicações (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06022020-111900/
NLM
Quispe Cartagena LA. Sensor de temperatura na tecnologia CMOS para proteção de CIs: arquitetura e aplicações [Internet]. 2019 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06022020-111900/
Vancouver
Quispe Cartagena LA. Sensor de temperatura na tecnologia CMOS para proteção de CIs: arquitetura e aplicações [Internet]. 2019 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-06022020-111900/
Artigo de periodico
Advantages of different source/drain engineering on scaled UTBOX FDSOI nMOSFETs at high temperature operation (2014)
Nicoletti, Talitha; Santos, Sara Dereste dos; Martino, João Antonio ; Aoulaiche, Marc; Veloso, Anabela; Claeys, Cor ; Simoen, Eddy ; Jurczak, Malgorzata
Source: Solid-State Electronics. Unidade: EP
Subjects: TEMPERATURA, MICROELETRÔNICA
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ABNT
NICOLETTI, Talitha et al. Advantages of different source/drain engineering on scaled UTBOX FDSOI nMOSFETs at high temperature operation. Solid-State Electronics, v. 91, p. 53-58, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2013.09.012. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Nicoletti, T., Santos, S. D. dos, Martino, J. A., Aoulaiche, M., Veloso, A., Claeys, C., et al. (2014). Advantages of different source/drain engineering on scaled UTBOX FDSOI nMOSFETs at high temperature operation. Solid-State Electronics, 91, 53-58. doi:10.1016/j.sse.2013.09.012
NLM
Nicoletti T, Santos SD dos, Martino JA, Aoulaiche M, Veloso A, Claeys C, Simoen E, Jurczak M. Advantages of different source/drain engineering on scaled UTBOX FDSOI nMOSFETs at high temperature operation [Internet]. Solid-State Electronics. 2014 ; 91 53-58.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2013.09.012
Vancouver
Nicoletti T, Santos SD dos, Martino JA, Aoulaiche M, Veloso A, Claeys C, Simoen E, Jurczak M. Advantages of different source/drain engineering on scaled UTBOX FDSOI nMOSFETs at high temperature operation [Internet]. Solid-State Electronics. 2014 ; 91 53-58.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2013.09.012
Artigo de periodico
Low-frequency noise assessment in advanced UTBOX SOI nMOSFETs with different gate dielectrics (2014)
Santos, Sara Dereste dos; Martino, João Antonio ; Cretu, B; Strobel, V; Routoure, J.-M; Carin, R; Aoulaiche, Marc; Jurczak, Malgorzata; Claeys, Cor
Source: Solid-State Electronics. Unidade: EP
Subjects: TEMPERATURA, MICROELETRÔNICA, SILÍCIO
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ABNT
SANTOS, Sara Dereste dos et al. Low-frequency noise assessment in advanced UTBOX SOI nMOSFETs with different gate dielectrics. Solid-State Electronics, v. 97, p. 14-22, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2014.04.034. Acesso em: 09 out. 2024.
APA
Santos, S. D. dos, Martino, J. A., Cretu, B., Strobel, V., Routoure, J. -M., Carin, R., et al. (2014). Low-frequency noise assessment in advanced UTBOX SOI nMOSFETs with different gate dielectrics. Solid-State Electronics, 97, 14-22. doi:10.1016/j.sse.2014.04.034
NLM
Santos SD dos, Martino JA, Cretu B, Strobel V, Routoure J-M, Carin R, Aoulaiche M, Jurczak M, Claeys C. Low-frequency noise assessment in advanced UTBOX SOI nMOSFETs with different gate dielectrics [Internet]. Solid-State Electronics. 2014 ; 97 14-22.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2014.04.034
Vancouver
Santos SD dos, Martino JA, Cretu B, Strobel V, Routoure J-M, Carin R, Aoulaiche M, Jurczak M, Claeys C. Low-frequency noise assessment in advanced UTBOX SOI nMOSFETs with different gate dielectrics [Internet]. Solid-State Electronics. 2014 ; 97 14-22.[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2014.04.034

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