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Artigo de periodico
Influence of fixed electric charges on potential profile across the squid axon membrane (2008)
Cortez, C. M.; Cruz, F. A. O.; Silva, D.; Costa, Luciano da Fontoura
Source: Physica B. Unidade: IFSC
Subjects: MEMBRANAS CELULARES, BIOLOGIA, DOENÇAS DEGENERATIVAS, POTENCIAL ELÉTRICO, FÍSICA
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ABNT
CORTEZ, C. M. et al. Influence of fixed electric charges on potential profile across the squid axon membrane. Physica B, v. 403, n. 4, p. 644-652, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2007.09.078. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Cortez, C. M., Cruz, F. A. O., Silva, D., & Costa, L. da F. (2008). Influence of fixed electric charges on potential profile across the squid axon membrane. Physica B, 403( 4), 644-652. doi:10.1016/j.physb.2007.09.078
NLM
Cortez CM, Cruz FAO, Silva D, Costa L da F. Influence of fixed electric charges on potential profile across the squid axon membrane [Internet]. Physica B. 2008 ; 403( 4): 644-652.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2007.09.078
Vancouver
Cortez CM, Cruz FAO, Silva D, Costa L da F. Influence of fixed electric charges on potential profile across the squid axon membrane [Internet]. Physica B. 2008 ; 403( 4): 644-652.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2007.09.078
Artigo de periodico
Native defects in germanium (2001)
Silva, Antonio Jose Roque da; Baierle, Rogerio Jose; Mota, R.; Fazzio, Adalberto
Source: Physica B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
SILVA, Antonio Jose Roque da et al. Native defects in germanium. Physica B, v. 302-303, p. 363-368, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00455-0. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Silva, A. J. R. da, Baierle, R. J., Mota, R., & Fazzio, A. (2001). Native defects in germanium. Physica B, 302-303, 363-368. doi:10.1016/s0921-4526(01)00455-0
NLM
Silva AJR da, Baierle RJ, Mota R, Fazzio A. Native defects in germanium [Internet]. Physica B. 2001 ; 302-303 363-368.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00455-0
Vancouver
Silva AJR da, Baierle RJ, Mota R, Fazzio A. Native defects in germanium [Internet]. Physica B. 2001 ; 302-303 363-368.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00455-0
Artigo de periodico
Magnetoresistance in a stripe-shaped two-dimensional electron gas (2001)
Bykov, A A; Gusev, Guennadii Michailovich; Leite, J. R.; Moshegov, N T; Bakarov, A K; Toropov, A I; Maude, D K; Portal, J C
Source: Physica B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
BYKOV, A A et al. Magnetoresistance in a stripe-shaped two-dimensional electron gas. Physica B, v. 298, n. 1-4, p. 79-82, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00264-2. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Bykov, A. A., Gusev, G. M., Leite, J. R., Moshegov, N. T., Bakarov, A. K., Toropov, A. I., et al. (2001). Magnetoresistance in a stripe-shaped two-dimensional electron gas. Physica B, 298( 1-4), 79-82. doi:10.1016/s0921-4526(01)00264-2
NLM
Bykov AA, Gusev GM, Leite JR, Moshegov NT, Bakarov AK, Toropov AI, Maude DK, Portal JC. Magnetoresistance in a stripe-shaped two-dimensional electron gas [Internet]. Physica B. 2001 ; 298( 1-4): 79-82.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00264-2
Vancouver
Bykov AA, Gusev GM, Leite JR, Moshegov NT, Bakarov AK, Toropov AI, Maude DK, Portal JC. Magnetoresistance in a stripe-shaped two-dimensional electron gas [Internet]. Physica B. 2001 ; 298( 1-4): 79-82.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00264-2
Artigo de periodico
Magneto-photoluminescence of Tamm states in 'InP/In.IND.0.53' 'Ga IND.0.47' As superlattices (2001)
Henriques, André Bohomoletz ; Oliveira, R. F.; Souza, P. L.; Yavich, B.
Source: Physica B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
HENRIQUES, André Bohomoletz et al. Magneto-photoluminescence of Tamm states in 'InP/In.IND.0.53' 'Ga IND.0.47' As superlattices. Physica B, v. 298, n. 1-4, p. 320-323, 2001Tradução . . Disponível em: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=09214526&issue=v298i1-4&article=320_motsiis&form=pdf&file=file.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Henriques, A. B., Oliveira, R. F., Souza, P. L., & Yavich, B. (2001). Magneto-photoluminescence of Tamm states in 'InP/In.IND.0.53' 'Ga IND.0.47' As superlattices. Physica B, 298( 1-4), 320-323. Recuperado de http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=09214526&issue=v298i1-4&article=320_motsiis&form=pdf&file=file.pdf
NLM
Henriques AB, Oliveira RF, Souza PL, Yavich B. Magneto-photoluminescence of Tamm states in 'InP/In.IND.0.53' 'Ga IND.0.47' As superlattices [Internet]. Physica B. 2001 ; 298( 1-4): 320-323.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=09214526&issue=v298i1-4&article=320_motsiis&form=pdf&file=file.pdf
Vancouver
Henriques AB, Oliveira RF, Souza PL, Yavich B. Magneto-photoluminescence of Tamm states in 'InP/In.IND.0.53' 'Ga IND.0.47' As superlattices [Internet]. Physica B. 2001 ; 298( 1-4): 320-323.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=09214526&issue=v298i1-4&article=320_motsiis&form=pdf&file=file.pdf
Artigo de periodico
A unified microscopic mechanism for donor deactivation in Si (1999)
Baierle, Rogerio Jose; Caldas, Marilia Junqueira ; Dabrowski, J.; Mussig, H. J.; Zavodinsky, V.
Source: Physica B. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, INTERFACE
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ABNT
BAIERLE, Rogerio Jose et al. A unified microscopic mechanism for donor deactivation in Si. Physica B, v. 274, p. 260-263, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00477-9. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Baierle, R. J., Caldas, M. J., Dabrowski, J., Mussig, H. J., & Zavodinsky, V. (1999). A unified microscopic mechanism for donor deactivation in Si. Physica B, 274, 260-263. doi:10.1016/s0921-4526(99)00477-9
NLM
Baierle RJ, Caldas MJ, Dabrowski J, Mussig HJ, Zavodinsky V. A unified microscopic mechanism for donor deactivation in Si [Internet]. Physica B. 1999 ; 274 260-263.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00477-9
Vancouver
Baierle RJ, Caldas MJ, Dabrowski J, Mussig HJ, Zavodinsky V. A unified microscopic mechanism for donor deactivation in Si [Internet]. Physica B. 1999 ; 274 260-263.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00477-9
Artigo de periodico
Effects of extended defects on the properties of intrinsic and extrinsic point defects in silicon (1999)
Justo Filho, João Francisco ; Antonelli, Alex; Schmidt, T. M.; Fazzio, Adalberto
Source: Physica B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco et al. Effects of extended defects on the properties of intrinsic and extrinsic point defects in silicon. Physica B, v. 274, p. 473-475, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00528-1. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Justo Filho, J. F., Antonelli, A., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (1999). Effects of extended defects on the properties of intrinsic and extrinsic point defects in silicon. Physica B, 274, 473-475. doi:10.1016/s0921-4526(99)00528-1
NLM
Justo Filho JF, Antonelli A, Schmidt TM, Fazzio A. Effects of extended defects on the properties of intrinsic and extrinsic point defects in silicon [Internet]. Physica B. 1999 ; 274 473-475.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00528-1
Vancouver
Justo Filho JF, Antonelli A, Schmidt TM, Fazzio A. Effects of extended defects on the properties of intrinsic and extrinsic point defects in silicon [Internet]. Physica B. 1999 ; 274 473-475.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00528-1
Artigo de periodico
Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites (1999)
Schmidt, T. M.; Miwa, Roberto Hiroki; Fazzio, Adalberto ; Mota, R.
Source: Physica B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, T. M. et al. Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites. Physica B, v. 273-274, p. 831-834, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00515-3. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Schmidt, T. M., Miwa, R. H., Fazzio, A., & Mota, R. (1999). Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites. Physica B, 273-274, 831-834. doi:10.1016/s0921-4526(99)00515-3
NLM
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A, Mota R. Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites [Internet]. Physica B. 1999 ; 273-274 831-834.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00515-3
Vancouver
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A, Mota R. Intrinsic doping in InP: ab initio calculations of P-In antisites [Internet]. Physica B. 1999 ; 273-274 831-834.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00515-3
Artigo de periodico
Electronic and structural properties of vacancy and self-interstitial defects in germanium (1999)
Janotti, A.; Baierle, Rogerio Jose; Silva, Antônio J. R. da; Mota, R.; Fazzio, Adalberto
Source: Physica B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JANOTTI, A. et al. Electronic and structural properties of vacancy and self-interstitial defects in germanium. Physica B, v. 274, p. 575-578, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00576-1. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Janotti, A., Baierle, R. J., Silva, A. J. R. da, Mota, R., & Fazzio, A. (1999). Electronic and structural properties of vacancy and self-interstitial defects in germanium. Physica B, 274, 575-578. doi:10.1016/s0921-4526(99)00576-1
NLM
Janotti A, Baierle RJ, Silva AJR da, Mota R, Fazzio A. Electronic and structural properties of vacancy and self-interstitial defects in germanium [Internet]. Physica B. 1999 ; 274 575-578.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00576-1
Vancouver
Janotti A, Baierle RJ, Silva AJR da, Mota R, Fazzio A. Electronic and structural properties of vacancy and self-interstitial defects in germanium [Internet]. Physica B. 1999 ; 274 575-578.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00576-1
Artigo de periodico
Structural and electronic properties of doped InP/InGaAs short period superlattices grown by LP-MOVPE (1999)
Henriques, André Bohomoletz ; Hanamoto, L. K.; Oliveira, R. F.; Souza, P. L.; Gonçalves, L. C. D.; Yavich, B.
Source: Physica B. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, INTERFACE
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HENRIQUES, André Bohomoletz et al. Structural and electronic properties of doped InP/InGaAs short period superlattices grown by LP-MOVPE. Physica B, v. 273-274, p. 835-838, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00516-5. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Henriques, A. B., Hanamoto, L. K., Oliveira, R. F., Souza, P. L., Gonçalves, L. C. D., & Yavich, B. (1999). Structural and electronic properties of doped InP/InGaAs short period superlattices grown by LP-MOVPE. Physica B, 273-274, 835-838. doi:10.1016/s0921-4526(99)00516-5
NLM
Henriques AB, Hanamoto LK, Oliveira RF, Souza PL, Gonçalves LCD, Yavich B. Structural and electronic properties of doped InP/InGaAs short period superlattices grown by LP-MOVPE [Internet]. Physica B. 1999 ; 273-274 835-838.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00516-5
Vancouver
Henriques AB, Hanamoto LK, Oliveira RF, Souza PL, Gonçalves LCD, Yavich B. Structural and electronic properties of doped InP/InGaAs short period superlattices grown by LP-MOVPE [Internet]. Physica B. 1999 ; 273-274 835-838.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00516-5
Artigo de periodico
Initial stages of Ge growth on Si(100): ad-atoms, ad-dimers, and ad-trimers (1999)
Dalpian, Gustavo Martini ; Janotti, A.; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antônio J. R. da
Source: Physica B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DALPIAN, Gustavo Martini et al. Initial stages of Ge growth on Si(100): ad-atoms, ad-dimers, and ad-trimers. Physica B, v. 273-274, p. 589-592, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00580-3. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Dalpian, G. M., Janotti, A., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (1999). Initial stages of Ge growth on Si(100): ad-atoms, ad-dimers, and ad-trimers. Physica B, 273-274, 589-592. doi:10.1016/s0921-4526(99)00580-3
NLM
Dalpian GM, Janotti A, Fazzio A, Silva AJR da. Initial stages of Ge growth on Si(100): ad-atoms, ad-dimers, and ad-trimers [Internet]. Physica B. 1999 ; 273-274 589-592.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00580-3
Vancouver
Dalpian GM, Janotti A, Fazzio A, Silva AJR da. Initial stages of Ge growth on Si(100): ad-atoms, ad-dimers, and ad-trimers [Internet]. Physica B. 1999 ; 273-274 589-592.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-4526(99)00580-3

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