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Trabalho de evento-anais periodico
Effects of torsional disorder on poly-para-phenylene (2009)
Jorge, Leo M M; Caldas, Marilia Junqueira
Fonte: Synthetic Metals. Nome do evento: International Conference on Science and Technology of Synthetic Metals. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
JORGE, Leo M M e CALDAS, Marilia Junqueira. Effects of torsional disorder on poly-para-phenylene. Synthetic Metals. Amsterdam: Elsevier Science. Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science/journal/03796779. Acesso em: 04 nov. 2025. , 2009
APA
Jorge, L. M. M., & Caldas, M. J. (2009). Effects of torsional disorder on poly-para-phenylene. Synthetic Metals. Amsterdam: Elsevier Science. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science/journal/03796779
NLM
Jorge LMM, Caldas MJ. Effects of torsional disorder on poly-para-phenylene [Internet]. Synthetic Metals. 2009 ; 159( 21-22): 2222-2224.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/journal/03796779
Vancouver
Jorge LMM, Caldas MJ. Effects of torsional disorder on poly-para-phenylene [Internet]. Synthetic Metals. 2009 ; 159( 21-22): 2222-2224.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/journal/03796779
Trabalho de evento-anais periodico
Classical simulation of deposition of thiophene oligomers on `TiO IND.2´-anatase: relevance of long-range electrostatic interactions (2009)
Alves Santos, Marcelo; Caldas, Marilia Junqueira
Fonte: Synthetic Metals. Nome do evento: International Conference on Science and Technology of Synthetic Metals. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
ALVES SANTOS, Marcelo e CALDAS, Marilia Junqueira. Classical simulation of deposition of thiophene oligomers on `TiO IND.2´-anatase: relevance of long-range electrostatic interactions. Synthetic Metals. Amsterdam: Elsevier Science. Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science/journal/03796779. Acesso em: 04 nov. 2025. , 2009
APA
Alves Santos, M., & Caldas, M. J. (2009). Classical simulation of deposition of thiophene oligomers on `TiO IND.2´-anatase: relevance of long-range electrostatic interactions. Synthetic Metals. Amsterdam: Elsevier Science. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science/journal/03796779
NLM
Alves Santos M, Caldas MJ. Classical simulation of deposition of thiophene oligomers on `TiO IND.2´-anatase: relevance of long-range electrostatic interactions [Internet]. Synthetic Metals. 2009 ; 159( 21-22): 2302-2305.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/journal/03796779
Vancouver
Alves Santos M, Caldas MJ. Classical simulation of deposition of thiophene oligomers on `TiO IND.2´-anatase: relevance of long-range electrostatic interactions [Internet]. Synthetic Metals. 2009 ; 159( 21-22): 2302-2305.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science/journal/03796779
Trabalho de evento-anais periodico
Trends on 3d transition metal impurities in diamond (2009)
Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Physica B: Condensed Matter. Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidades: IF, EP
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
ASSALI, Lucy Vitoria Credidio e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco. Trends on 3d transition metal impurities in diamond. Physica B: Condensed Matter. Amsterdam: Elsevier Science. Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physb.2009.08.109. Acesso em: 04 nov. 2025. , 2009
APA
Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2009). Trends on 3d transition metal impurities in diamond. Physica B: Condensed Matter. Amsterdam: Elsevier Science. doi:10.1016/j.physb.2009.08.109
NLM
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Trends on 3d transition metal impurities in diamond [Internet]. Physica B: Condensed Matter. 2009 ; 404( 23-24): 4515-4517.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2009.08.109
Vancouver
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Trends on 3d transition metal impurities in diamond [Internet]. Physica B: Condensed Matter. 2009 ; 404( 23-24): 4515-4517.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physb.2009.08.109
Trabalho de evento-anais periodico
Adsorption and conductance of BDT on the Au(111) surface (2007)
Silva, Antonio José Roque da; Pontes, Renato B; Novaes, Frederico Dutilh; Fazzio, Adalberto
Fonte: Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. Nome do evento: Tenth International Conference on Electronic Spectroscopy and Structure: ICESS-10. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, ESPECTROSCOPIA, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
SILVA, Antonio José Roque da et al. Adsorption and conductance of BDT on the Au(111) surface. Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. Amsterdam: Elsevier Science. Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TGC-4NJDCND-5-1&_cdi=5251&_user=5674931&_orig=browse&_coverDate=05%2F31%2F2007&_sk=998439999&view=c&wchp=dGLbVzW-zSkzS&md5=218cc417a0c32bca70a5b43852d23e8e&ie=/sdarticle.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025. , 2007
APA
Silva, A. J. R. da, Pontes, R. B., Novaes, F. D., & Fazzio, A. (2007). Adsorption and conductance of BDT on the Au(111) surface. Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. Amsterdam: Elsevier Science. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TGC-4NJDCND-5-1&_cdi=5251&_user=5674931&_orig=browse&_coverDate=05%2F31%2F2007&_sk=998439999&view=c&wchp=dGLbVzW-zSkzS&md5=218cc417a0c32bca70a5b43852d23e8e&ie=/sdarticle.pdf
NLM
Silva AJR da, Pontes RB, Novaes FD, Fazzio A. Adsorption and conductance of BDT on the Au(111) surface [Internet]. Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. 2007 ; 156-158 11-12.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TGC-4NJDCND-5-1&_cdi=5251&_user=5674931&_orig=browse&_coverDate=05%2F31%2F2007&_sk=998439999&view=c&wchp=dGLbVzW-zSkzS&md5=218cc417a0c32bca70a5b43852d23e8e&ie=/sdarticle.pdf
Vancouver
Silva AJR da, Pontes RB, Novaes FD, Fazzio A. Adsorption and conductance of BDT on the Au(111) surface [Internet]. Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. 2007 ; 156-158 11-12.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TGC-4NJDCND-5-1&_cdi=5251&_user=5674931&_orig=browse&_coverDate=05%2F31%2F2007&_sk=998439999&view=c&wchp=dGLbVzW-zSkzS&md5=218cc417a0c32bca70a5b43852d23e8e&ie=/sdarticle.pdf
Trabalho de evento-resumo
A comparative study on titanium impurities in silicon, diamond and silicon carbide (2003)
Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Book of Abstracts. Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidades: IF, EP
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
ASSALI, Lucy Vitoria Credidio e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco. A comparative study on titanium impurities in silicon, diamond and silicon carbide. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2003). A comparative study on titanium impurities in silicon, diamond and silicon carbide. In Book of Abstracts. Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. A comparative study on titanium impurities in silicon, diamond and silicon carbide. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. A comparative study on titanium impurities in silicon, diamond and silicon carbide. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Heavy- and light-hole subband anti-crossing in GaAs/AlGaAs quantum wells under tensile biaxial strain (2003)
Gomes, Paulo F; Godoy, M P F; Nakaema, M K K; Iikawa, F; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.
Fonte: Book of Abstracts. Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOMES, Paulo F et al. Heavy- and light-hole subband anti-crossing in GaAs/AlGaAs quantum wells under tensile biaxial strain. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Gomes, P. F., Godoy, M. P. F., Nakaema, M. K. K., Iikawa, F., Lamas, T. E., & Quivy, A. A. (2003). Heavy- and light-hole subband anti-crossing in GaAs/AlGaAs quantum wells under tensile biaxial strain. In Book of Abstracts. Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Gomes PF, Godoy MPF, Nakaema MKK, Iikawa F, Lamas TE, Quivy AA. Heavy- and light-hole subband anti-crossing in GaAs/AlGaAs quantum wells under tensile biaxial strain. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Gomes PF, Godoy MPF, Nakaema MKK, Iikawa F, Lamas TE, Quivy AA. Heavy- and light-hole subband anti-crossing in GaAs/AlGaAs quantum wells under tensile biaxial strain. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Manganese and iron impurities in gallium nitride (2003)
Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Ayres, F; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Fonte: Book of Abstracts II (POSTER). Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidades: IF, EP
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, Lucy Vitoria Credidio et al. Manganese and iron impurities in gallium nitride. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Assali, L. V. C., Ayres, F., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2003). Manganese and iron impurities in gallium nitride. In Book of Abstracts II (POSTER). Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Assali LVC, Ayres F, Machado WVM, Justo Filho JF. Manganese and iron impurities in gallium nitride. Book of Abstracts II (POSTER). 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Assali LVC, Ayres F, Machado WVM, Justo Filho JF. Manganese and iron impurities in gallium nitride. Book of Abstracts II (POSTER). 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Large InAs/GaAs quantum dots optically active in the long-wavelength region (2003)
Silva, M J da; Martini, S; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Leite, J. R.
Fonte: Book of Abstracts. Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, M J da et al. Large InAs/GaAs quantum dots optically active in the long-wavelength region. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Silva, M. J. da, Martini, S., Lamas, T. E., Quivy, A. A., Silva, E. C. F. da, & Leite, J. R. (2003). Large InAs/GaAs quantum dots optically active in the long-wavelength region. In Book of Abstracts. Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Silva MJ da, Martini S, Lamas TE, Quivy AA, Silva ECF da, Leite JR. Large InAs/GaAs quantum dots optically active in the long-wavelength region. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Silva MJ da, Martini S, Lamas TE, Quivy AA, Silva ECF da, Leite JR. Large InAs/GaAs quantum dots optically active in the long-wavelength region. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Structural and electronic properties of Ni-related active centers in diamond (2003)
Larico, R; Justo Filho, João Francisco ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, Lucy Vitoria Credidio
Fonte: Book of Abstracts. Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidades: EP, IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LARICO, R et al. Structural and electronic properties of Ni-related active centers in diamond. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Larico, R., Justo Filho, J. F., Machado, W. V. M., & Assali, L. V. C. (2003). Structural and electronic properties of Ni-related active centers in diamond. In Book of Abstracts. Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Larico R, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Structural and electronic properties of Ni-related active centers in diamond. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Larico R, Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Structural and electronic properties of Ni-related active centers in diamond. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Electronic and structural properties of intrinsic and extrinsic defects in red mercuric iodide (2003)
Ayres, F; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco ; Assali, Lucy Vitoria Credidio
Fonte: Books of Abstracts II (POSTER). Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidades: IF, EP
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AYRES, F et al. Electronic and structural properties of intrinsic and extrinsic defects in red mercuric iodide. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Ayres, F., Machado, W. V. M., Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2003). Electronic and structural properties of intrinsic and extrinsic defects in red mercuric iodide. In Books of Abstracts II (POSTER). Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Ayres F, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. Electronic and structural properties of intrinsic and extrinsic defects in red mercuric iodide. Books of Abstracts II (POSTER). 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Ayres F, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. Electronic and structural properties of intrinsic and extrinsic defects in red mercuric iodide. Books of Abstracts II (POSTER). 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Vacancies in amorphous silicon: a first principles study (2003)
Miranda, C R; Antonelli, A; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Fonte: Book of Abstracts II (Poster). Nome do evento: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIRANDA, C R et al. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Miranda, C. R., Antonelli, A., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. In Book of Abstracts II (Poster). Amsterdam: Elsevier Science.
NLM
Miranda CR, Antonelli A, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Book of Abstracts II (Poster). 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Miranda CR, Antonelli A, Silva AJR da, Fazzio A. Vacancies in amorphous silicon: a first principles study. Book of Abstracts II (Poster). 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]

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