Optical properties of cubic GaN and InGaN of different doping levels (2003)
Fonte: Book of Abstracts. Nome do evento: International Meeting on Applied Physics. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Optical properties of cubic GaN and InGaN of different doping levels. 2003, Anais.. Badajoz: APHYS, 2003. . Acesso em: 04 nov. 2025.APA
Fernandez, J. R. L., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Soares, J. A. N. T., Santos, A. M., Noriega, O. C., & Leite, J. R. (2003). Optical properties of cubic GaN and InGaN of different doping levels. In Book of Abstracts. Badajoz: APHYS.NLM
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Santos AM, Noriega OC, Leite JR. Optical properties of cubic GaN and InGaN of different doping levels. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]Vancouver
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Santos AM, Noriega OC, Leite JR. Optical properties of cubic GaN and InGaN of different doping levels. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
