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  • Artigo de periodico

    Theoretical investigation of electronic and optical properties of andalusite within density functional theory (2010)

    Cano, Nilo Francisco; Watanabe, S.

    Source: Solid State Communications. Unidade: IF

    Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, TERMOLUMINESCÊNCIA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      CANO, Nilo Francisco e WATANABE, S. Theoretical investigation of electronic and optical properties of andalusite within density functional theory. Solid State Communications, v. 150, n. 43-44, p. 2154-2157, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2010.09.006. Acesso em: 04 nov. 2025.

    • APA

      Cano, N. F., & Watanabe, S. (2010). Theoretical investigation of electronic and optical properties of andalusite within density functional theory. Solid State Communications, 150( 43-44), 2154-2157. doi:10.1016/j.ssc.2010.09.006

    • NLM

      Cano NF, Watanabe S. Theoretical investigation of electronic and optical properties of andalusite within density functional theory [Internet]. Solid State Communications. 2010 ;150( 43-44): 2154-2157.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2010.09.006

    • Vancouver

      Cano NF, Watanabe S. Theoretical investigation of electronic and optical properties of andalusite within density functional theory [Internet]. Solid State Communications. 2010 ;150( 43-44): 2154-2157.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2010.09.006

  • Artigo de periodico

    Comparative study of lower fullerenes doped with boron and nitrogen (2006)

    Viani, Lucas; Santos, Maria Cristina dos

    Source: Solid State Communications. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      VIANI, Lucas e SANTOS, Maria Cristina dos. Comparative study of lower fullerenes doped with boron and nitrogen. Solid State Communications, v. 138, n. 10-11, p. 498-501, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2006.04.027. Acesso em: 04 nov. 2025.

    • APA

      Viani, L., & Santos, M. C. dos. (2006). Comparative study of lower fullerenes doped with boron and nitrogen. Solid State Communications, 138( 10-11), 498-501. doi:10.1016/j.ssc.2006.04.027

    • NLM

      Viani L, Santos MC dos. Comparative study of lower fullerenes doped with boron and nitrogen [Internet]. Solid State Communications. 2006 ; 138( 10-11): 498-501.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2006.04.027

    • Vancouver

      Viani L, Santos MC dos. Comparative study of lower fullerenes doped with boron and nitrogen [Internet]. Solid State Communications. 2006 ; 138( 10-11): 498-501.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2006.04.027

  • Artigo de periodico

    Photoreflectance study of energy level structure of self-assembled InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3"mu"m (2005)

    Rudno-Rudzinski; Ryczko, K; Sek, G; Misiewicz, J; Silva, M J da; Quivy, A. A.

    Source: Solid State Communications. Unidade: IF

    Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, LASER, FOTOLUMINESCÊNCIA

    PrivadoAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      RUDNO-RUDZINSKI, et al. Photoreflectance study of energy level structure of self-assembled InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3"mu"m. Solid State Communications, v. 135, n. 4, p. 232-236, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2005.04.030. Acesso em: 04 nov. 2025.

    • APA

      Rudno-Rudzinski,, Ryczko, K., Sek, G., Misiewicz, J., Silva, M. J. da, & Quivy, A. A. (2005). Photoreflectance study of energy level structure of self-assembled InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3"mu"m. Solid State Communications, 135( 4), 232-236. doi:10.1016/j.ssc.2005.04.030

    • NLM

      Rudno-Rudzinski, Ryczko K, Sek G, Misiewicz J, Silva MJ da, Quivy AA. Photoreflectance study of energy level structure of self-assembled InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3"mu"m [Internet]. Solid State Communications. 2005 ; 135( 4): 232-236.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2005.04.030

    • Vancouver

      Rudno-Rudzinski, Ryczko K, Sek G, Misiewicz J, Silva MJ da, Quivy AA. Photoreflectance study of energy level structure of self-assembled InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3"mu"m [Internet]. Solid State Communications. 2005 ; 135( 4): 232-236.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.ssc.2005.04.030

  • Artigo de periodico

    Near band-edge optical properties of cubic GaN (2003)

    Fernandez, J R L; Noriega, O C; Soares, J A N T; Cerdeira, F; Meneses, E A; Leite, J. R.; As, D J; Schikora, D; Lischka, K

    Source: Solid State Communications. Unidade: IF

    Subjects: FILMES FINOS, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      FERNANDEZ, J R L et al. Near band-edge optical properties of cubic GaN. Solid State Communications, v. 125, n. 3-4, p. 205-208, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(02)00768-8. Acesso em: 04 nov. 2025.

    • APA

      Fernandez, J. R. L., Noriega, O. C., Soares, J. A. N. T., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Leite, J. R., et al. (2003). Near band-edge optical properties of cubic GaN. Solid State Communications, 125( 3-4), 205-208. doi:10.1016/s0038-1098(02)00768-8

    • NLM

      Fernandez JRL, Noriega OC, Soares JANT, Cerdeira F, Meneses EA, Leite JR, As DJ, Schikora D, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN [Internet]. Solid State Communications. 2003 ; 125( 3-4): 205-208.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(02)00768-8

    • Vancouver

      Fernandez JRL, Noriega OC, Soares JANT, Cerdeira F, Meneses EA, Leite JR, As DJ, Schikora D, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN [Internet]. Solid State Communications. 2003 ; 125( 3-4): 205-208.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(02)00768-8

  • Artigo de periodico

    Electric field gradients at Ta in Zr and Hf inter-metallic compounds (2002)

    Terrazos, L. A.; Petrilli, Helena Maria; Marszalek, M.; Saitovitch, H.; Silva, P. R. J.; Blaha, P.; Schwarz, K.

    Source: Solid State Communications. Unidade: IF

    Subjects: INTERAÇÕES NUCLEARES, ÍONS, RESSONÂNCIA PARAMAGNÉTICA ELETRÔNICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA

    PrivadoAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      TERRAZOS, L. A. et al. Electric field gradients at Ta in Zr and Hf inter-metallic compounds. Solid State Communications, v. 121, n. 9-10, p. 525-529, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(01)00515-4. Acesso em: 04 nov. 2025.

    • APA

      Terrazos, L. A., Petrilli, H. M., Marszalek, M., Saitovitch, H., Silva, P. R. J., Blaha, P., & Schwarz, K. (2002). Electric field gradients at Ta in Zr and Hf inter-metallic compounds. Solid State Communications, 121( 9-10), 525-529. doi:10.1016/s0038-1098(01)00515-4

    • NLM

      Terrazos LA, Petrilli HM, Marszalek M, Saitovitch H, Silva PRJ, Blaha P, Schwarz K. Electric field gradients at Ta in Zr and Hf inter-metallic compounds [Internet]. Solid State Communications. 2002 ; 121( 9-10): 525-529.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(01)00515-4

    • Vancouver

      Terrazos LA, Petrilli HM, Marszalek M, Saitovitch H, Silva PRJ, Blaha P, Schwarz K. Electric field gradients at Ta in Zr and Hf inter-metallic compounds [Internet]. Solid State Communications. 2002 ; 121( 9-10): 525-529.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(01)00515-4

  • Artigo de periodico

    Electronic structure of the 'AU'-'MN' pair complex in silicon (1986)

    Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Leite, J. R.

    Source: Solid State Communications. Unidade: IF

    Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      ASSALI, Lucy Vitoria Credidio e LEITE, J. R. Electronic structure of the 'AU'-'MN' pair complex in silicon. Solid State Communications, v. 58, n. 9 , p. 577-80, 1986Tradução . . Acesso em: 04 nov. 2025.

    • APA

      Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1986). Electronic structure of the 'AU'-'MN' pair complex in silicon. Solid State Communications, 58( 9 ), 577-80.

    • NLM

      Assali LVC, Leite JR. Electronic structure of the 'AU'-'MN' pair complex in silicon. Solid State Communications. 1986 ;58( 9 ): 577-80.[citado 2025 nov. 04 ]

    • Vancouver

      Assali LVC, Leite JR. Electronic structure of the 'AU'-'MN' pair complex in silicon. Solid State Communications. 1986 ;58( 9 ): 577-80.[citado 2025 nov. 04 ]
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