ReP USP - Resultado da busca

Artigo de periodico
Phase diagram, chemical bonds, and gap bowing of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X' N: ab initio calculations (2002)
Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Furthmuller, J; Bechstedt, F
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA DOS SÓLIDOS, MUDANÇA DE FASE, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TELES, L. K. et al. Phase diagram, chemical bonds, and gap bowing of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X' N: ab initio calculations. Journal of Applied Physics, v. 92, n. 12, p. 7109-7113, 2002Tradução . . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Furthmuller, J., & Bechstedt, F. (2002). Phase diagram, chemical bonds, and gap bowing of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X' N: ab initio calculations. Journal of Applied Physics, 92( 12), 7109-7113.
NLM
Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Furthmuller J, Bechstedt F. Phase diagram, chemical bonds, and gap bowing of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X' N: ab initio calculations. Journal of Applied Physics. 2002 ; 92( 12): 7109-7113.[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Furthmuller J, Bechstedt F. Phase diagram, chemical bonds, and gap bowing of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X' N: ab initio calculations. Journal of Applied Physics. 2002 ; 92( 12): 7109-7113.[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Gradiente de campo elétrico no núcleo de uma impureza Ta em compostos intermetálicos com Zr e Hf através de cálculos ab-initio (2002)
Javier, Luís Alberto Terrazos; Petrilli, Helena Maria; Marszalek, M; Saitovitch, H; Silva, P R J; Blaha, P; Schwarz, K
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: DINÂMICA DAS ESTRUTURAS, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JAVIER, Luís Alberto Terrazos et al. Gradiente de campo elétrico no núcleo de uma impureza Ta em compostos intermetálicos com Zr e Hf através de cálculos ab-initio. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Javier, L. A. T., Petrilli, H. M., Marszalek, M., Saitovitch, H., Silva, P. R. J., Blaha, P., & Schwarz, K. (2002). Gradiente de campo elétrico no núcleo de uma impureza Ta em compostos intermetálicos com Zr e Hf através de cálculos ab-initio. In Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Javier LAT, Petrilli HM, Marszalek M, Saitovitch H, Silva PRJ, Blaha P, Schwarz K. Gradiente de campo elétrico no núcleo de uma impureza Ta em compostos intermetálicos com Zr e Hf através de cálculos ab-initio. Resumos. 2002 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Javier LAT, Petrilli HM, Marszalek M, Saitovitch H, Silva PRJ, Blaha P, Schwarz K. Gradiente de campo elétrico no núcleo de uma impureza Ta em compostos intermetálicos com Zr e Hf através de cálculos ab-initio. Resumos. 2002 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
First-principles investigation of 'alfa'-'SiN IND.X':H (2002)
Justo Filho, João Francisco ; Mota, F de Brito; Fazzio, Adalberto
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, NÃO METAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e MOTA, F de Brito e FAZZIO, Adalberto. First-principles investigation of 'alfa'-'SiN IND.X':H. Physical Review B, v. 65, n. 7, p. 73202/1-73202/4, 2002Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000007073202000001&idtype=cvips. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Justo Filho, J. F., Mota, F. de B., & Fazzio, A. (2002). First-principles investigation of 'alfa'-'SiN IND.X':H. Physical Review B, 65( 7), 73202/1-73202/4. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000007073202000001&idtype=cvips
NLM
Justo Filho JF, Mota F de B, Fazzio A. First-principles investigation of 'alfa'-'SiN IND.X':H [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 7): 73202/1-73202/4.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000007073202000001&idtype=cvips
Vancouver
Justo Filho JF, Mota F de B, Fazzio A. First-principles investigation of 'alfa'-'SiN IND.X':H [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 7): 73202/1-73202/4.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000065000007073202000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
Métodos Ab initio multiconfiguracionais para o estudo de estrutura eletrônica (2002)
Borin, Antonio Carlos
Fonte: Livro de Resumos. Nome do evento: Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica. Unidade: IQ
Assuntos: ESPECTROSCOPIA ELETRÔNICA, MOLÉCULA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BORIN, Antonio Carlos. Métodos Ab initio multiconfiguracionais para o estudo de estrutura eletrônica. 2002, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2002. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Borin, A. C. (2002). Métodos Ab initio multiconfiguracionais para o estudo de estrutura eletrônica. In Livro de Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Borin AC. Métodos Ab initio multiconfiguracionais para o estudo de estrutura eletrônica. Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Borin AC. Métodos Ab initio multiconfiguracionais para o estudo de estrutura eletrônica. Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Theoretical study of the 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys (2002)
Paiva, R de; Alves, J L A; Nogueira, R A; Oliveira, C de; Alves, H W L; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Fonte: Materials Science and Engineering B. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAIVA, R de et al. Theoretical study of the 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys. Materials Science and Engineering B, v. 93, n. 1-3, p. p 2-5, 2002Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5589&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0e0a80acf3a4a011f94b8bacbc1c1908. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Paiva, R. de, Alves, J. L. A., Nogueira, R. A., Oliveira, C. de, Alves, H. W. L., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2002). Theoretical study of the 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys. Materials Science and Engineering B, 93( 1-3), p 2-5. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5589&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0e0a80acf3a4a011f94b8bacbc1c1908
NLM
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Oliveira C de, Alves HWL, Scolfaro LMR, Leite JR. Theoretical study of the 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys [Internet]. Materials Science and Engineering B. 2002 ; 93( 1-3): p 2-5.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5589&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0e0a80acf3a4a011f94b8bacbc1c1908
Vancouver
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Oliveira C de, Alves HWL, Scolfaro LMR, Leite JR. Theoretical study of the 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys [Internet]. Materials Science and Engineering B. 2002 ; 93( 1-3): p 2-5.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5589&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0e0a80acf3a4a011f94b8bacbc1c1908
Artigo de periodico
First-principles calculations of the effective mass parameters of 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N and 'Zn IND.X' 'Cd IND.1-X'Te alloys (2002)
Paiva, R de; Nogueira, R A; Oliveira, C de; Alves, H W Leite; Alves, J L A; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAIVA, R de et al. First-principles calculations of the effective mass parameters of 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N and 'Zn IND.X' 'Cd IND.1-X'Te alloys. Brazilian Journal of Physics, v. 32, n. 2A, p. 405-408, 2002Tradução . . Disponível em: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_405.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Paiva, R. de, Nogueira, R. A., Oliveira, C. de, Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2002). First-principles calculations of the effective mass parameters of 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N and 'Zn IND.X' 'Cd IND.1-X'Te alloys. Brazilian Journal of Physics, 32( 2A), 405-408. Recuperado de http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_405.pdf
NLM
Paiva R de, Nogueira RA, Oliveira C de, Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. First-principles calculations of the effective mass parameters of 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N and 'Zn IND.X' 'Cd IND.1-X'Te alloys [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 405-408.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_405.pdf
Vancouver
Paiva R de, Nogueira RA, Oliveira C de, Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. First-principles calculations of the effective mass parameters of 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N and 'Zn IND.X' 'Cd IND.1-X'Te alloys [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2002 ; 32( 2A): 405-408.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf.if.usp.br/bjp/Vol32/Num2a/v32_405.pdf
Artigo de periodico
Magnetism of Co clusters embedded in Cu(001) surfaces: an ab initio study (2002)
Klatau, Eliza Burlamaqui; Frota-Pessoa, Sônia
Fonte: Surface Science. Unidade: IF
Assuntos: MAGNETISMO, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
KLATAU, Eliza Burlamaqui e FROTA-PESSOA, Sônia. Magnetism of Co clusters embedded in Cu(001) surfaces: an ab initio study. Surface Science, v. 497, n. 1-3, p. 385-397, 2002Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5546&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=12cc7163887b9327838c19187cdddd51. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Klatau, E. B., & Frota-Pessoa, S. (2002). Magnetism of Co clusters embedded in Cu(001) surfaces: an ab initio study. Surface Science, 497( 1-3), 385-397. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5546&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=12cc7163887b9327838c19187cdddd51
NLM
Klatau EB, Frota-Pessoa S. Magnetism of Co clusters embedded in Cu(001) surfaces: an ab initio study [Internet]. Surface Science. 2002 ; 497( 1-3): 385-397.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5546&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=12cc7163887b9327838c19187cdddd51
Vancouver
Klatau EB, Frota-Pessoa S. Magnetism of Co clusters embedded in Cu(001) surfaces: an ab initio study [Internet]. Surface Science. 2002 ; 497( 1-3): 385-397.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5546&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=12cc7163887b9327838c19187cdddd51
Artigo de periodico
Electric field gradients at Ta in Zr and Hf inter-metallic compounds (2002)
Terrazos, L. A.; Petrilli, Helena Maria; Marszalek, M.; Saitovitch, H.; Silva, P. R. J.; Blaha, P.; Schwarz, K.
Fonte: Solid State Communications. Unidade: IF
Assuntos: INTERAÇÕES NUCLEARES, ÍONS, RESSONÂNCIA PARAMAGNÉTICA ELETRÔNICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TERRAZOS, L. A. et al. Electric field gradients at Ta in Zr and Hf inter-metallic compounds. Solid State Communications, v. 121, n. 9-10, p. 525-529, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(01)00515-4. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Terrazos, L. A., Petrilli, H. M., Marszalek, M., Saitovitch, H., Silva, P. R. J., Blaha, P., & Schwarz, K. (2002). Electric field gradients at Ta in Zr and Hf inter-metallic compounds. Solid State Communications, 121( 9-10), 525-529. doi:10.1016/s0038-1098(01)00515-4
NLM
Terrazos LA, Petrilli HM, Marszalek M, Saitovitch H, Silva PRJ, Blaha P, Schwarz K. Electric field gradients at Ta in Zr and Hf inter-metallic compounds [Internet]. Solid State Communications. 2002 ; 121( 9-10): 525-529.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(01)00515-4
Vancouver
Terrazos LA, Petrilli HM, Marszalek M, Saitovitch H, Silva PRJ, Blaha P, Schwarz K. Electric field gradients at Ta in Zr and Hf inter-metallic compounds [Internet]. Solid State Communications. 2002 ; 121( 9-10): 525-529.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(01)00515-4
Artigo de periodico
Solid state effects on exciton states and optical properties of PPV (2002)
Ruini, Alice; Caldas, Marilia Junqueira ; Bussi, Giovanni; Molinari, Elisa
Fonte: Physical Review Letters. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RUINI, Alice et al. Solid state effects on exciton states and optical properties of PPV. Physical Review Letters, v. 88, n. 20, p. 206403/1-206403/7, 2002Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000088000020206403000001&idtype=cvips. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Ruini, A., Caldas, M. J., Bussi, G., & Molinari, E. (2002). Solid state effects on exciton states and optical properties of PPV. Physical Review Letters, 88( 20), 206403/1-206403/7. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000088000020206403000001&idtype=cvips
NLM
Ruini A, Caldas MJ, Bussi G, Molinari E. Solid state effects on exciton states and optical properties of PPV [Internet]. Physical Review Letters. 2002 ; 88( 20): 206403/1-206403/7.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000088000020206403000001&idtype=cvips
Vancouver
Ruini A, Caldas MJ, Bussi G, Molinari E. Solid state effects on exciton states and optical properties of PPV [Internet]. Physical Review Letters. 2002 ; 88( 20): 206403/1-206403/7.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000088000020206403000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
Properties of 'HgI IND.2' and 'ZnI IND.2' semiconductor detectors (2002)
Ayres, F; Assali, Lucy Vitoria Credidio
Fonte: Livro de Resumos. Nome do evento: Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AYRES, F e ASSALI, Lucy Vitoria Credidio. Properties of 'HgI IND.2' and 'ZnI IND.2' semiconductor detectors. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Ayres, F., & Assali, L. V. C. (2002). Properties of 'HgI IND.2' and 'ZnI IND.2' semiconductor detectors. In Livro de Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Ayres F, Assali LVC. Properties of 'HgI IND.2' and 'ZnI IND.2' semiconductor detectors. Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Ayres F, Assali LVC. Properties of 'HgI IND.2' and 'ZnI IND.2' semiconductor detectors. Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Ab initio theory of native defects in alloys: application to charged N vacancies in 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N (2002)
Ramos, L. E.; Furthmüller, J.; Bechstedt, F.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Fonte: Journal of Physics: Condensed Matter. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ATÔMICA (FÍSICA MODERNA), ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RAMOS, L. E. et al. Ab initio theory of native defects in alloys: application to charged N vacancies in 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N. Journal of Physics: Condensed Matter, v. 14, n. 10, p. 2577-2589, 2002Tradução . . Disponível em: http://www.iop.org/EJ3-Links/47/Ax,BAjMCspsfoLr,6pAEkg/c21009.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Ramos, L. E., Furthmüller, J., Bechstedt, F., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2002). Ab initio theory of native defects in alloys: application to charged N vacancies in 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N. Journal of Physics: Condensed Matter, 14( 10), 2577-2589. Recuperado de http://www.iop.org/EJ3-Links/47/Ax,BAjMCspsfoLr,6pAEkg/c21009.pdf
NLM
Ramos LE, Furthmüller J, Bechstedt F, Scolfaro LMR, Leite JR. Ab initio theory of native defects in alloys: application to charged N vacancies in 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2002 ; 14( 10): 2577-2589.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.iop.org/EJ3-Links/47/Ax,BAjMCspsfoLr,6pAEkg/c21009.pdf
Vancouver
Ramos LE, Furthmüller J, Bechstedt F, Scolfaro LMR, Leite JR. Ab initio theory of native defects in alloys: application to charged N vacancies in 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2002 ; 14( 10): 2577-2589.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.iop.org/EJ3-Links/47/Ax,BAjMCspsfoLr,6pAEkg/c21009.pdf
Artigo de periodico
Substitutional carbon in group-III nitrides: ab initio description of shallow and deep levels (2002)
Ramos, L E; Furthmuller, J; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Bechstedt, F
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, ESTRUTURA DOS SÓLIDOS, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RAMOS, L E et al. Substitutional carbon in group-III nitrides: ab initio description of shallow and deep levels. Physical Review B, v. 66, n. 7, p. 075209/1-075209/ , 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.66.075209. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Ramos, L. E., Furthmuller, J., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Bechstedt, F. (2002). Substitutional carbon in group-III nitrides: ab initio description of shallow and deep levels. Physical Review B, 66( 7), 075209/1-075209/ . doi:10.1103/physrevb.66.075209
NLM
Ramos LE, Furthmuller J, Scolfaro LMR, Leite JR, Bechstedt F. Substitutional carbon in group-III nitrides: ab initio description of shallow and deep levels [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 66( 7): 075209/1-075209/ .[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.66.075209
Vancouver
Ramos LE, Furthmuller J, Scolfaro LMR, Leite JR, Bechstedt F. Substitutional carbon in group-III nitrides: ab initio description of shallow and deep levels [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 66( 7): 075209/1-075209/ .[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.66.075209
Artigo de periodico
Carbon-based defects in GaN: doping behaviour (2002)
Ramos, L E; Furthmuller, J; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Bechstedt, F
Fonte: Physica Status Solidi B-Basic Research. Unidade: IF
Assuntos: CRISTALOGRAFIA FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RAMOS, L E et al. Carbon-based defects in GaN: doping behaviour. Physica Status Solidi B-Basic Research, v. 234, n. 4, p. 864-867, 2002Tradução . . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Ramos, L. E., Furthmuller, J., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., & Bechstedt, F. (2002). Carbon-based defects in GaN: doping behaviour. Physica Status Solidi B-Basic Research, 234( 4), 864-867.
NLM
Ramos LE, Furthmuller J, Leite JR, Scolfaro LMR, Bechstedt F. Carbon-based defects in GaN: doping behaviour. Physica Status Solidi B-Basic Research. 2002 ; 234( 4): 864-867.[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Ramos LE, Furthmuller J, Leite JR, Scolfaro LMR, Bechstedt F. Carbon-based defects in GaN: doping behaviour. Physica Status Solidi B-Basic Research. 2002 ; 234( 4): 864-867.[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Zn-induced features at the GaAs(110) surface: a first-principles study (2002)
Ferraz, A. C.; Miotto, R.
Fonte: Vacuum. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, VÁCUO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERRAZ, A. C. e MIOTTO, R. Zn-induced features at the GaAs(110) surface: a first-principles study. Vacuum, v. 67, n. 1, p. 31-35, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0042-207x(02)00184-7. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Ferraz, A. C., & Miotto, R. (2002). Zn-induced features at the GaAs(110) surface: a first-principles study. Vacuum, 67( 1), 31-35. doi:10.1016/s0042-207x(02)00184-7
NLM
Ferraz AC, Miotto R. Zn-induced features at the GaAs(110) surface: a first-principles study [Internet]. Vacuum. 2002 ; 67( 1): 31-35.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0042-207x(02)00184-7
Vancouver
Ferraz AC, Miotto R. Zn-induced features at the GaAs(110) surface: a first-principles study [Internet]. Vacuum. 2002 ; 67( 1): 31-35.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0042-207x(02)00184-7
Trabalho de evento-resumo
Estrutura eletrônica de poços quânticos magnéticos rasos (2002)
Freire, Henrique Jota de Paula; Egues, José Carlos
Fonte: Resumos. Nome do evento: Workshop dos Alunos de Pós-Graduação do IFSC. Unidade: IFSC
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FREIRE, Henrique Jota de Paula e EGUES, José Carlos. Estrutura eletrônica de poços quânticos magnéticos rasos. 2002, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - USP, 2002. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Freire, H. J. de P., & Egues, J. C. (2002). Estrutura eletrônica de poços quânticos magnéticos rasos. In Resumos. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - USP.
NLM
Freire HJ de P, Egues JC. Estrutura eletrônica de poços quânticos magnéticos rasos. Resumos. 2002 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Freire HJ de P, Egues JC. Estrutura eletrônica de poços quânticos magnéticos rasos. Resumos. 2002 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Propriedades físicas do diamante puro e com impurezas de Ni (2002)
Mamani, Rolando Larico; Assali, Lucy Vitoria Credidio
Fonte: Livro de Resumos. Nome do evento: Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MAMANI, Rolando Larico e ASSALI, Lucy Vitoria Credidio. Propriedades físicas do diamante puro e com impurezas de Ni. 2002, Anais.. São Paulo: SBF, 2002. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Mamani, R. L., & Assali, L. V. C. (2002). Propriedades físicas do diamante puro e com impurezas de Ni. In Livro de Resumos. São Paulo: SBF.
NLM
Mamani RL, Assali LVC. Propriedades físicas do diamante puro e com impurezas de Ni. Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Mamani RL, Assali LVC. Propriedades físicas do diamante puro e com impurezas de Ni. Livro de Resumos. 2002 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Acetylene adsorption on the Si(001) surface (2002)
Miotto, R.; Ferraz, A. C.; Srivastava, G P
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: SUPERFÍCIE FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIOTTO, R. e FERRAZ, A. C. e SRIVASTAVA, G P. Acetylene adsorption on the Si(001) surface. Physical Review B, v. 65, n. 7, p. 75401/1-75401/11, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.65.075401. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Miotto, R., Ferraz, A. C., & Srivastava, G. P. (2002). Acetylene adsorption on the Si(001) surface. Physical Review B, 65( 7), 75401/1-75401/11. doi:10.1103/physrevb.65.075401
NLM
Miotto R, Ferraz AC, Srivastava GP. Acetylene adsorption on the Si(001) surface [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 7): 75401/1-75401/11.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.65.075401
Vancouver
Miotto R, Ferraz AC, Srivastava GP. Acetylene adsorption on the Si(001) surface [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 7): 75401/1-75401/11.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.65.075401
Artigo de periodico
Enhanced X-ray phase determination by three-beam diffraction (2002)
Morelhão, Sérgio Luiz; Kycia, Stefan
Fonte: Physical Review Letters. Unidade: IF
Assuntos: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MORELHÃO, Sérgio Luiz e KYCIA, Stefan. Enhanced X-ray phase determination by three-beam diffraction. Physical Review Letters, v. 89, n. 1, p. 15501/1-15501/4, 2002Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000089000001015501000001&idtype=cvips. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Morelhão, S. L., & Kycia, S. (2002). Enhanced X-ray phase determination by three-beam diffraction. Physical Review Letters, 89( 1), 15501/1-15501/4. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000089000001015501000001&idtype=cvips
NLM
Morelhão SL, Kycia S. Enhanced X-ray phase determination by three-beam diffraction [Internet]. Physical Review Letters. 2002 ; 89( 1): 15501/1-15501/4.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000089000001015501000001&idtype=cvips
Vancouver
Morelhão SL, Kycia S. Enhanced X-ray phase determination by three-beam diffraction [Internet]. Physical Review Letters. 2002 ; 89( 1): 15501/1-15501/4.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000089000001015501000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Stability and electronic structure of hydrogen-nitrogen complexes in GaAs (2002)
Orellana, W; Ferraz, A. C.
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ORELLANA, W e FERRAZ, A. C. Stability and electronic structure of hydrogen-nitrogen complexes in GaAs. Applied Physics Letters, v. 81, n. 20, p. 3816-3818, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1521571. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Orellana, W., & Ferraz, A. C. (2002). Stability and electronic structure of hydrogen-nitrogen complexes in GaAs. Applied Physics Letters, 81( 20), 3816-3818. doi:10.1063/1.1521571
NLM
Orellana W, Ferraz AC. Stability and electronic structure of hydrogen-nitrogen complexes in GaAs [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 20): 3816-3818.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1521571
Vancouver
Orellana W, Ferraz AC. Stability and electronic structure of hydrogen-nitrogen complexes in GaAs [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 20): 3816-3818.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1521571
Artigo de periodico
Ab initio calculations of vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' (2002)
Dalpian, Gustavo Martini ; Venezuela, Pedro; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DALPIAN, Gustavo Martini et al. Ab initio calculations of vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'. Applied Physics Letters, v. 81, n. 8, p. 3383-3385, 2002Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000081000018003383000001&idtype=cvips. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Dalpian, G. M., Venezuela, P., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2002). Ab initio calculations of vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X'. Applied Physics Letters, 81( 8), 3383-3385. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000081000018003383000001&idtype=cvips
NLM
Dalpian GM, Venezuela P, Silva AJR da, Fazzio A. Ab initio calculations of vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 8): 3383-3385.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000081000018003383000001&idtype=cvips
Vancouver
Dalpian GM, Venezuela P, Silva AJR da, Fazzio A. Ab initio calculations of vacancies in 'Si IND.X' 'Ge IND.1-X' [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 8): 3383-3385.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000081000018003383000001&idtype=cvips

Unidades USP

ReP

Filtros

Departamento

Autores

Autores USP

Assuntos

Título da fonte

País de publicação

Afiliação dos autores externos não normalizada