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Artigo de periodico
Electronic band structure of ' ( 'ga''as' ) IND.N'' (A1AS) IND.N' superlattices (1986)
Ferraz, A. C.; Srivastava, G. P.
Fonte: Semiconductors Science Technology. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
FERRAZ, A. C. e SRIVASTAVA, G. P. Electronic band structure of ' ( 'ga''as' ) IND.N'' (A1AS) IND.N' superlattices. Semiconductors Science Technology, v. 1 , n. 3 , p. 169-71, 1986Tradução . . Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Ferraz, A. C., & Srivastava, G. P. (1986). Electronic band structure of ' ( 'ga''as' ) IND.N'' (A1AS) IND.N' superlattices. Semiconductors Science Technology, 1 ( 3 ), 169-71.
NLM
Ferraz AC, Srivastava GP. Electronic band structure of ' ( 'ga''as' ) IND.N'' (A1AS) IND.N' superlattices. Semiconductors Science Technology. 1986 ;1 ( 3 ): 169-71.[citado 2025 nov. 07 ]
Vancouver
Ferraz AC, Srivastava GP. Electronic band structure of ' ( 'ga''as' ) IND.N'' (A1AS) IND.N' superlattices. Semiconductors Science Technology. 1986 ;1 ( 3 ): 169-71.[citado 2025 nov. 07 ]
Artigo de periodico
Ab-initio mo electronic structure calculations of defect-pair complexes in silicon (1986)
Gomes, V M S; Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Leite, J. R.
Fonte: International Journal of Quantum Chemistry. Symposium. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
GOMES, V M S e ASSALI, Lucy Vitoria Credidio e LEITE, J. R. Ab-initio mo electronic structure calculations of defect-pair complexes in silicon. International Journal of Quantum Chemistry. Symposium, v. 20, p. 749-61, 1986Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/qua.560300764. Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Gomes, V. M. S., Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1986). Ab-initio mo electronic structure calculations of defect-pair complexes in silicon. International Journal of Quantum Chemistry. Symposium, 20, 749-61. doi:10.1002/qua.560300764
NLM
Gomes VMS, Assali LVC, Leite JR. Ab-initio mo electronic structure calculations of defect-pair complexes in silicon [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry. Symposium. 1986 ;20 749-61.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1002/qua.560300764
Vancouver
Gomes VMS, Assali LVC, Leite JR. Ab-initio mo electronic structure calculations of defect-pair complexes in silicon [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry. Symposium. 1986 ;20 749-61.[citado 2025 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1002/qua.560300764
Artigo de periodico
Electronic structure of the 'AU'-'MN' pair complex in silicon (1986)
Assali, Lucy Vitoria Credidio ; Leite, J. R.
Fonte: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
ASSALI, Lucy Vitoria Credidio e LEITE, J. R. Electronic structure of the 'AU'-'MN' pair complex in silicon. Solid State Communications, v. 58, n. 9 , p. 577-80, 1986Tradução . . Acesso em: 07 nov. 2025.
APA
Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1986). Electronic structure of the 'AU'-'MN' pair complex in silicon. Solid State Communications, 58( 9 ), 577-80.
NLM
Assali LVC, Leite JR. Electronic structure of the 'AU'-'MN' pair complex in silicon. Solid State Communications. 1986 ;58( 9 ): 577-80.[citado 2025 nov. 07 ]
Vancouver
Assali LVC, Leite JR. Electronic structure of the 'AU'-'MN' pair complex in silicon. Solid State Communications. 1986 ;58( 9 ): 577-80.[citado 2025 nov. 07 ]

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