ReP USP - Resultado da busca

Relatorio tecnico
Simple implementation of complex functionals: scaled selfconsistency (2020)
Lima, Matheus Paes; Pedroza, , Luana Sucupira; Vieira, Daniel,; Freire, Henrique J. P.; Capelle, K.; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, EQUAÇÕES DIFERENCIAIS ORDINÁRIAS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LIMA, Matheus Paes et al. Simple implementation of complex functionals: scaled selfconsistency. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/1006.2129.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025. , 2020
APA
Lima, M. P., Pedroza,, Vieira, D., Freire, H. J. P., Capelle, K., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2020). Simple implementation of complex functionals: scaled selfconsistency. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/1006.2129.pdf
NLM
Lima MP, Pedroza, Vieira D, Freire HJP, Capelle K, Fazzio A, Silva AJR da. Simple implementation of complex functionals: scaled selfconsistency [Internet]. 2020 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/1006.2129.pdf
Vancouver
Lima MP, Pedroza, Vieira D, Freire HJP, Capelle K, Fazzio A, Silva AJR da. Simple implementation of complex functionals: scaled selfconsistency [Internet]. 2020 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/1006.2129.pdf
Relatorio tecnico
Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: ab-initio calculations (2020)
Acosta, Carlos Mera; Lima, Matheus P.; Miwa, R. H.; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, TOPOLOGIA EM COMPUTAÇÃO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ACOSTA, Carlos Mera et al. Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: ab-initio calculations. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/1401.5809.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025. , 2020
APA
Acosta, C. M., Lima, M. P., Miwa, R. H., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2020). Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: ab-initio calculations. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/1401.5809.pdf
NLM
Acosta CM, Lima MP, Miwa RH, Fazzio A, Silva AJR da. Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: ab-initio calculations [Internet]. 2020 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/1401.5809.pdf
Vancouver
Acosta CM, Lima MP, Miwa RH, Fazzio A, Silva AJR da. Topological phases in triangular lattices of 'RU' adsorbed on graphene: ab-initio calculations [Internet]. 2020 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/1401.5809.pdf
Relatorio tecnico
Spin caloritronics in graphene with 'MN' (2020)
Torres, Alberto Martinez ; Lima, Matheus P.; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TORRES, Alberto Martinez et al. Spin caloritronics in graphene with 'MN'. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/1305.0316.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025. , 2020
APA
Torres, A. M., Lima, M. P., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2020). Spin caloritronics in graphene with 'MN'. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/1305.0316.pdf
NLM
Torres AM, Lima MP, Fazzio A, Silva AJR da. Spin caloritronics in graphene with 'MN' [Internet]. 2020 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/1305.0316.pdf
Vancouver
Torres AM, Lima MP, Fazzio A, Silva AJR da. Spin caloritronics in graphene with 'MN' [Internet]. 2020 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/1305.0316.pdf
Relatorio tecnico
Interfaces between buckling phases in silicene: ab initio density functional theory calculations (2020)
Lima, Matheus P.; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LIMA, Matheus P. e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antonio Jose Roque da. Interfaces between buckling phases in silicene: ab initio density functional theory calculations. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/1312.3344.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025. , 2020
APA
Lima, M. P., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2020). Interfaces between buckling phases in silicene: ab initio density functional theory calculations. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/1312.3344.pdf
NLM
Lima MP, Fazzio A, Silva AJR da. Interfaces between buckling phases in silicene: ab initio density functional theory calculations [Internet]. 2020 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/1312.3344.pdf
Vancouver
Lima MP, Fazzio A, Silva AJR da. Interfaces between buckling phases in silicene: ab initio density functional theory calculations [Internet]. 2020 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/1312.3344.pdf
Relatorio tecnico
Structural, electronic, and magnetic properties of 'MN'-doped Ge nanowires by ab initio calculations (2020)
Arantes, J. T.; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, TERMODINÂMICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ARANTES, J. T. e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antonio Jose Roque da. Structural, electronic, and magnetic properties of 'MN'-doped Ge nanowires by ab initio calculations. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0608315.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025. , 2020
APA
Arantes, J. T., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2020). Structural, electronic, and magnetic properties of 'MN'-doped Ge nanowires by ab initio calculations. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0608315.pdf
NLM
Arantes JT, Fazzio A, Silva AJR da. Structural, electronic, and magnetic properties of 'MN'-doped Ge nanowires by ab initio calculations [Internet]. 2020 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0608315.pdf
Vancouver
Arantes JT, Fazzio A, Silva AJR da. Structural, electronic, and magnetic properties of 'MN'-doped Ge nanowires by ab initio calculations [Internet]. 2020 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0608315.pdf
Relatorio tecnico
'HF' defects in 'HF''O' IND. 2'/'SI' (2020)
Scopel, W. L.; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, TERMODINÂMICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCOPEL, W. L. e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antonio Jose Roque da. 'HF' defects in 'HF''O' IND. 2'/'SI'. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0608677.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025. , 2020
APA
Scopel, W. L., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2020). 'HF' defects in 'HF''O' IND. 2'/'SI'. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0608677.pdf
NLM
Scopel WL, Fazzio A, Silva AJR da. 'HF' defects in 'HF''O' IND. 2'/'SI' [Internet]. 2020 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0608677.pdf
Vancouver
Scopel WL, Fazzio A, Silva AJR da. 'HF' defects in 'HF''O' IND. 2'/'SI' [Internet]. 2020 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0608677.pdf
Relatorio tecnico
A tight-binding model for the band dispersion in rhombohedral topological insulators over the whole brilluoin zone (2020)
Acosta, Carlos Mera; Lima, Matheus P.; Lewenkopf, C. H.; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, TOPOLOGIA EM COMPUTAÇÃO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ACOSTA, Carlos Mera et al. A tight-binding model for the band dispersion in rhombohedral topological insulators over the whole brilluoin zone. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/1802.07864.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025. , 2020
APA
Acosta, C. M., Lima, M. P., Lewenkopf, C. H., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2020). A tight-binding model for the band dispersion in rhombohedral topological insulators over the whole brilluoin zone. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/1802.07864.pdf
NLM
Acosta CM, Lima MP, Lewenkopf CH, Fazzio A, Silva AJR da. A tight-binding model for the band dispersion in rhombohedral topological insulators over the whole brilluoin zone [Internet]. 2020 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/1802.07864.pdf
Vancouver
Acosta CM, Lima MP, Lewenkopf CH, Fazzio A, Silva AJR da. A tight-binding model for the band dispersion in rhombohedral topological insulators over the whole brilluoin zone [Internet]. 2020 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/1802.07864.pdf
Relatorio tecnico
Adatoms in graphene as a source of current polarization: role of the local magnetic moment (2020)
Lima, Matheus P.; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SPIN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LIMA, Matheus P. e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antonio Jose Roque da. Adatoms in graphene as a source of current polarization: role of the local magnetic moment. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://arxiv.org/pdf/1112.2159.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025. , 2020
APA
Lima, M. P., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2020). Adatoms in graphene as a source of current polarization: role of the local magnetic moment. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://arxiv.org/pdf/1112.2159.pdf
NLM
Lima MP, Fazzio A, Silva AJR da. Adatoms in graphene as a source of current polarization: role of the local magnetic moment [Internet]. 2020 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/1112.2159.pdf
Vancouver
Lima MP, Fazzio A, Silva AJR da. Adatoms in graphene as a source of current polarization: role of the local magnetic moment [Internet]. 2020 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://arxiv.org/pdf/1112.2159.pdf
Trabalho de evento-resumo
III-Te 2D structures for optoelectronic devices (2018)
Olmos-Asar, Jimena Anahí; Fazzio, Adalberto ; Leao, Cedric Rocha
Source: Resumo. Conference titles: Encontro de Outono. Unidade: IF
Subjects: ÓPTICA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, ESTRUTURA ELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLMOS-ASAR, Jimena Anahí e FAZZIO, Adalberto e LEAO, Cedric Rocha. III-Te 2D structures for optoelectronic devices. 2018, Anais.. São Paulo: SBF, 2018. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0090-1.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Olmos-Asar, J. A., Fazzio, A., & Leao, C. R. (2018). III-Te 2D structures for optoelectronic devices. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0090-1.pdf
NLM
Olmos-Asar JA, Fazzio A, Leao CR. III-Te 2D structures for optoelectronic devices [Internet]. Resumo. 2018 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0090-1.pdf
Vancouver
Olmos-Asar JA, Fazzio A, Leao CR. III-Te 2D structures for optoelectronic devices [Internet]. Resumo. 2018 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0090-1.pdf
Artigo de periodico
Valley hall effect in silicene and hydrogenated silicene ruled by grain boundaries: an ab initio investigation (2015)
Miwa, R. H.; Kagimura, R.; Lima, Matheus P.; Fazzio, Adalberto
Source: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF
Subjects: FERROMAGNETISMO, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, R. H. et al. Valley hall effect in silicene and hydrogenated silicene ruled by grain boundaries: an ab initio investigation. PHYSICAL REVIEW B, v. 91, n. 20, p. 205442, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.91.205442. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Miwa, R. H., Kagimura, R., Lima, M. P., & Fazzio, A. (2015). Valley hall effect in silicene and hydrogenated silicene ruled by grain boundaries: an ab initio investigation. PHYSICAL REVIEW B, 91( 20), 205442. doi:10.1103/physrevb.91.205442
NLM
Miwa RH, Kagimura R, Lima MP, Fazzio A. Valley hall effect in silicene and hydrogenated silicene ruled by grain boundaries: an ab initio investigation [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2015 ; 91( 20): 205442.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.91.205442
Vancouver
Miwa RH, Kagimura R, Lima MP, Fazzio A. Valley hall effect in silicene and hydrogenated silicene ruled by grain boundaries: an ab initio investigation [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2015 ; 91( 20): 205442.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.91.205442
Artigo de periodico
Switching a normal insulator into a topological insulator via electric field with application to phosphorene (2015)
Liu, Qihang; Zhang, Xiuwen; Zunger, Alex; Abdalla, Leonardo Batoni; Fazzio, Adalberto
Source: NANO LETTERS. Unidade: IF
Subjects: SPINTRÔNICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LIU, Qihang et al. Switching a normal insulator into a topological insulator via electric field with application to phosphorene. NANO LETTERS, v. fe 2015, n. 2, p. 1222-1228, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1021/nl5043769. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Liu, Q., Zhang, X., Zunger, A., Abdalla, L. B., & Fazzio, A. (2015). Switching a normal insulator into a topological insulator via electric field with application to phosphorene. NANO LETTERS, fe 2015( 2), 1222-1228. doi:10.1021/nl5043769
NLM
Liu Q, Zhang X, Zunger A, Abdalla LB, Fazzio A. Switching a normal insulator into a topological insulator via electric field with application to phosphorene [Internet]. NANO LETTERS. 2015 ; fe 2015( 2): 1222-1228.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1021/nl5043769
Vancouver
Liu Q, Zhang X, Zunger A, Abdalla LB, Fazzio A. Switching a normal insulator into a topological insulator via electric field with application to phosphorene [Internet]. NANO LETTERS. 2015 ; fe 2015( 2): 1222-1228.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1021/nl5043769
Artigo de periodico
Vertical twinning of the dirac cone at the interface between topological insulators and semiconductors (2015)
Seixas, L.; West, D.; Zhang, S. B.; Fazzio, Adalberto
Source: NATURE COMMUNICATIONS. Unidade: IF
Subjects: FERROMAGNETISMO, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SEIXAS, L. et al. Vertical twinning of the dirac cone at the interface between topological insulators and semiconductors. NATURE COMMUNICATIONS, v. 6, p. 7630, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1038/ncomms8630. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Seixas, L., West, D., Zhang, S. B., & Fazzio, A. (2015). Vertical twinning of the dirac cone at the interface between topological insulators and semiconductors. NATURE COMMUNICATIONS, 6, 7630. doi:10.1038/ncomms8630
NLM
Seixas L, West D, Zhang SB, Fazzio A. Vertical twinning of the dirac cone at the interface between topological insulators and semiconductors [Internet]. NATURE COMMUNICATIONS. 2015 ; 6 7630.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1038/ncomms8630
Vancouver
Seixas L, West D, Zhang SB, Fazzio A. Vertical twinning of the dirac cone at the interface between topological insulators and semiconductors [Internet]. NATURE COMMUNICATIONS. 2015 ; 6 7630.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1038/ncomms8630
Trabalho de evento-resumo
Nanotecnologia como geradora da inovação e a universidade como seu ambiente para a invenção (2015)
Fazzio, Adalberto
Source: SBF. Conference titles: Simpósio Nacional de Ensino de Física. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, Adalberto. Nanotecnologia como geradora da inovação e a universidade como seu ambiente para a invenção. 2015, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2015. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/snef/xxi/sys/resumos/T0150-19.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Fazzio, A. (2015). Nanotecnologia como geradora da inovação e a universidade como seu ambiente para a invenção. In SBF. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/snef/xxi/sys/resumos/T0150-19.pdf
NLM
Fazzio A. Nanotecnologia como geradora da inovação e a universidade como seu ambiente para a invenção [Internet]. SBF. 2015 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/snef/xxi/sys/resumos/T0150-19.pdf
Vancouver
Fazzio A. Nanotecnologia como geradora da inovação e a universidade como seu ambiente para a invenção [Internet]. SBF. 2015 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/snef/xxi/sys/resumos/T0150-19.pdf
Artigo de periodico
Van der waals heterostructure of phosphorene and graphene: tuning the schottky barrier and doping by electrostatic gating (2015)
Padilha, J. E.; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: PHYSICAL REVIEW LETTERS. Unidade: IF
Subjects: ELETROSTÁTICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PADILHA, J. E. e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antonio Jose Roque da. Van der waals heterostructure of phosphorene and graphene: tuning the schottky barrier and doping by electrostatic gating. PHYSICAL REVIEW LETTERS, v. fe 2015, n. 6, p. 066803, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.114.066803. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Padilha, J. E., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2015). Van der waals heterostructure of phosphorene and graphene: tuning the schottky barrier and doping by electrostatic gating. PHYSICAL REVIEW LETTERS, fe 2015( 6), 066803. doi:10.1103/PhysRevLett.114.066803
NLM
Padilha JE, Fazzio A, Silva AJR da. Van der waals heterostructure of phosphorene and graphene: tuning the schottky barrier and doping by electrostatic gating [Internet]. PHYSICAL REVIEW LETTERS. 2015 ; fe 2015( 6): 066803.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.114.066803
Vancouver
Padilha JE, Fazzio A, Silva AJR da. Van der waals heterostructure of phosphorene and graphene: tuning the schottky barrier and doping by electrostatic gating [Internet]. PHYSICAL REVIEW LETTERS. 2015 ; fe 2015( 6): 066803.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.114.066803
Artigo de periodico
Topological phase transitions of '('BI' IND. x''SB' IND. 1−x') IND. 2''SE' IND. 3' alloys by density functional theory (2015)
Abdalla, Leonardo Batoni; Padilha, Jose E.; Schmidt, T. M.; Miwa, R. H.; Fazzio, Adalberto
Source: JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER. Unidade: IF
Subjects: TOPOLOGIA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ABDALLA, Leonardo Batoni et al. Topological phase transitions of '('BI' IND. x''SB' IND. 1−x') IND. 2''SE' IND. 3' alloys by density functional theory. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, v. 27, n. 25, p. 255501, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/27/25/255501. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Abdalla, L. B., Padilha, J. E., Schmidt, T. M., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2015). Topological phase transitions of '('BI' IND. x''SB' IND. 1−x') IND. 2''SE' IND. 3' alloys by density functional theory. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 27( 25), 255501. doi:10.1088/0953-8984/27/25/255501
NLM
Abdalla LB, Padilha JE, Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Topological phase transitions of '('BI' IND. x''SB' IND. 1−x') IND. 2''SE' IND. 3' alloys by density functional theory [Internet]. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER. 2015 ; 27( 25): 255501.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/27/25/255501
Vancouver
Abdalla LB, Padilha JE, Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Topological phase transitions of '('BI' IND. x''SB' IND. 1−x') IND. 2''SE' IND. 3' alloys by density functional theory [Internet]. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER. 2015 ; 27( 25): 255501.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/27/25/255501
Trabalho de evento-resumo
Efeitos sub -10NM em transistores de nanotubos de carbono (2014)
Kirch, Alexsandro; Lima, M. P.; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: SBF. Conference titles: Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
KIRCH, Alexsandro et al. Efeitos sub -10NM em transistores de nanotubos de carbono. 2014, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2014. Disponível em: http://www2.fisica.ufc.br/ebee2014/main/ebee2014_resumos.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Kirch, A., Lima, M. P., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2014). Efeitos sub -10NM em transistores de nanotubos de carbono. In SBF. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www2.fisica.ufc.br/ebee2014/main/ebee2014_resumos.pdf
NLM
Kirch A, Lima MP, Fazzio A, Silva AJR da. Efeitos sub -10NM em transistores de nanotubos de carbono [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www2.fisica.ufc.br/ebee2014/main/ebee2014_resumos.pdf
Vancouver
Kirch A, Lima MP, Fazzio A, Silva AJR da. Efeitos sub -10NM em transistores de nanotubos de carbono [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www2.fisica.ufc.br/ebee2014/main/ebee2014_resumos.pdf
Parte de monografia/livro
Transporte eletrônico no grafeno (2014)
Fazzio, Adalberto
Source: Instituto de Física da USP aos oitenta anos. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, UNIVERSIDADE, ESTRUTURA ELETRÔNICA, FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, Adalberto. Transporte eletrônico no grafeno. Instituto de Física da USP aos oitenta anos. Tradução . São Paulo: Editora Livraria da Física, 2014. . . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Fazzio, A. (2014). Transporte eletrônico no grafeno. In Instituto de Física da USP aos oitenta anos. São Paulo: Editora Livraria da Física.
NLM
Fazzio A. Transporte eletrônico no grafeno. In: Instituto de Física da USP aos oitenta anos. São Paulo: Editora Livraria da Física; 2014. [citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Fazzio A. Transporte eletrônico no grafeno. In: Instituto de Física da USP aos oitenta anos. São Paulo: Editora Livraria da Física; 2014. [citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Caracterização topológica do germaneno funcionalizado: uma investigação de primeiros princípios. (2014)
Abdalla, Leonardo Batoni; Sousa, José Eduardo Padilha de; Fazzio, Adalberto
Source: SBF. Conference titles: Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SPIN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ABDALLA, Leonardo Batoni e SOUSA, José Eduardo Padilha de e FAZZIO, Adalberto. Caracterização topológica do germaneno funcionalizado: uma investigação de primeiros princípios. 2014, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2014. Disponível em: http://www2.fisica.ufc.br/ebee2014/main/ebee2014_resumos.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Abdalla, L. B., Sousa, J. E. P. de, & Fazzio, A. (2014). Caracterização topológica do germaneno funcionalizado: uma investigação de primeiros princípios. In SBF. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www2.fisica.ufc.br/ebee2014/main/ebee2014_resumos.pdf
NLM
Abdalla LB, Sousa JEP de, Fazzio A. Caracterização topológica do germaneno funcionalizado: uma investigação de primeiros princípios. [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www2.fisica.ufc.br/ebee2014/main/ebee2014_resumos.pdf
Vancouver
Abdalla LB, Sousa JEP de, Fazzio A. Caracterização topológica do germaneno funcionalizado: uma investigação de primeiros princípios. [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www2.fisica.ufc.br/ebee2014/main/ebee2014_resumos.pdf
Relatorio tecnico
Interfaces between buckling phases in Silicene: Ab initio density functional theory calculations (2013)
Lima, Matheus P; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LIMA, Matheus P e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antonio Jose Roque da. Interfaces between buckling phases in Silicene: Ab initio density functional theory calculations. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://lanl.arxiv.org/pdf/1312.3344v1.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025. , 2013
APA
Lima, M. P., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2013). Interfaces between buckling phases in Silicene: Ab initio density functional theory calculations. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://lanl.arxiv.org/pdf/1312.3344v1.pdf
NLM
Lima MP, Fazzio A, Silva AJR da. Interfaces between buckling phases in Silicene: Ab initio density functional theory calculations [Internet]. 2013 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://lanl.arxiv.org/pdf/1312.3344v1.pdf
Vancouver
Lima MP, Fazzio A, Silva AJR da. Interfaces between buckling phases in Silicene: Ab initio density functional theory calculations [Internet]. 2013 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://lanl.arxiv.org/pdf/1312.3344v1.pdf
Relatorio tecnico
Spin caloritronics in graphene with Mn (2013)
Torres, Alberto; Lima, Matheus P; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SPIN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TORRES, Alberto et al. Spin caloritronics in graphene with Mn. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://lanl.arxiv.org/pdf/1305.0316v2.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025. , 2013
APA
Torres, A., Lima, M. P., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2013). Spin caloritronics in graphene with Mn. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://lanl.arxiv.org/pdf/1305.0316v2.pdf
NLM
Torres A, Lima MP, Fazzio A, Silva AJR da. Spin caloritronics in graphene with Mn [Internet]. 2013 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://lanl.arxiv.org/pdf/1305.0316v2.pdf
Vancouver
Torres A, Lima MP, Fazzio A, Silva AJR da. Spin caloritronics in graphene with Mn [Internet]. 2013 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://lanl.arxiv.org/pdf/1305.0316v2.pdf

USP Schools

ReP

Filtros

Document Types

Departament

Authors

USP affiliated authors

Date published

Subjects

Source title

Publisher

Conference titles

Countries/Territories

Indexado em

Non normalized affiliation