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Trabalho de evento-anais periodico
Ab initio study of GaN/'Mn IND.x' 'Ga IND.i-x' N digital heterostructure (2007)
Marques, M; Ferreira, Luiz Guimarães; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Furthmüller, J; Bechstedt, F
Fonte: AIP Conference Proceedings. Nome do evento: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MAGNETISMO
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ABNT
MARQUES, M et al. Ab initio study of GaN/'Mn IND.x' 'Ga IND.i-x' N digital heterostructure. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001249000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 04 nov. 2025. , 2007
APA
Marques, M., Ferreira, L. G., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Furthmüller, J., & Bechstedt, F. (2007). Ab initio study of GaN/'Mn IND.x' 'Ga IND.i-x' N digital heterostructure. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001249000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Marques M, Ferreira LG, Teles LK, Scolfaro LMR, Furthmüller J, Bechstedt F. Ab initio study of GaN/'Mn IND.x' 'Ga IND.i-x' N digital heterostructure [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 1249-1250.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001249000001&idtype=cvips&prog=normal
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Marques M, Ferreira LG, Teles LK, Scolfaro LMR, Furthmüller J, Bechstedt F. Ab initio study of GaN/'Mn IND.x' 'Ga IND.i-x' N digital heterostructure [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 1249-1250.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001249000001&idtype=cvips&prog=normal
Trabalho de evento-resumo
Ab initio study of the novel `(GaN) IND.n´/`(`In IND.x´ `Ga IND.1-x´ N) IND.1´ heterostructures (2007)
Caetano, C; Teles, L. K.; Marques, Marcelo; Ferreira, Luiz Guimarães
Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
CAETANO, C et al. Ab initio study of the novel `(GaN) IND.n´/`(`In IND.x´ `Ga IND.1-x´ N) IND.1´ heterostructures. 2007, Anais.. São Paulo: SBF, 2007. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0885-1.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Caetano, C., Teles, L. K., Marques, M., & Ferreira, L. G. (2007). Ab initio study of the novel `(GaN) IND.n´/`(`In IND.x´ `Ga IND.1-x´ N) IND.1´ heterostructures. In . São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0885-1.pdf
NLM
Caetano C, Teles LK, Marques M, Ferreira LG. Ab initio study of the novel `(GaN) IND.n´/`(`In IND.x´ `Ga IND.1-x´ N) IND.1´ heterostructures [Internet]. 2007 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0885-1.pdf
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Caetano C, Teles LK, Marques M, Ferreira LG. Ab initio study of the novel `(GaN) IND.n´/`(`In IND.x´ `Ga IND.1-x´ N) IND.1´ heterostructures [Internet]. 2007 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0885-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Stability of ferromagnetic zincblende CrN growing on GaN (2007)
Ribeiro Junior, Mauro; Marques, Marcelo; Teles, L. K.; Ferreira, Luiz Guimarães
Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
RIBEIRO JUNIOR, Mauro et al. Stability of ferromagnetic zincblende CrN growing on GaN. 2007, Anais.. São Paulo: SBF, 2007. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0908-1.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Ribeiro Junior, M., Marques, M., Teles, L. K., & Ferreira, L. G. (2007). Stability of ferromagnetic zincblende CrN growing on GaN. In . São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0908-1.pdf
NLM
Ribeiro Junior M, Marques M, Teles LK, Ferreira LG. Stability of ferromagnetic zincblende CrN growing on GaN [Internet]. 2007 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0908-1.pdf
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Ribeiro Junior M, Marques M, Teles LK, Ferreira LG. Stability of ferromagnetic zincblende CrN growing on GaN [Internet]. 2007 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxx/sys/resumos/R0908-1.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Theoretical study of magnetic properties of VN, CrN, MnN, FeN and CoN under strain (2007)
Ribeiro Junior, M; Marques, M; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Teles, L. K.; Ferreira, Luiz Guimarães
Fonte: AIP Conference Proceedings. Nome do evento: 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MAGNETISMO, MATERIAIS MAGNÉTICOS
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ABNT
RIBEIRO JUNIOR, M et al. Theoretical study of magnetic properties of VN, CrN, MnN, FeN and CoN under strain. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001227000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 04 nov. 2025. , 2007
APA
Ribeiro Junior, M., Marques, M., Scolfaro, L. M. R., Teles, L. K., & Ferreira, L. G. (2007). Theoretical study of magnetic properties of VN, CrN, MnN, FeN and CoN under strain. AIP Conference Proceedings. New York: The Institute. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001227000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Ribeiro Junior M, Marques M, Scolfaro LMR, Teles LK, Ferreira LG. Theoretical study of magnetic properties of VN, CrN, MnN, FeN and CoN under strain [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 1227-1228.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001227000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Ribeiro Junior M, Marques M, Scolfaro LMR, Teles LK, Ferreira LG. Theoretical study of magnetic properties of VN, CrN, MnN, FeN and CoN under strain [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2007 ; 893 1227-1228.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APCPCS000893000001001227000001&idtype=cvips&prog=normal
Artigo de periodico
Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems (2006)
Marques, M; Teles, L. K.; Ferreira, L G; Scolfaro, L M R
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
MARQUES, M et al. Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems. Physical Review B, v. 73, n. 23, p. 235205, 2006Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000023235205000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Marques, M., Teles, L. K., Ferreira, L. G., & Scolfaro, L. M. R. (2006). Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems. Physical Review B, 73( 23), 235205. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000023235205000001&idtype=cvips&prog=normal
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Marques M, Teles LK, Ferreira LG, Scolfaro LMR. Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235205.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000023235205000001&idtype=cvips&prog=normal
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Marques M, Teles LK, Ferreira LG, Scolfaro LMR. Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235205.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000023235205000001&idtype=cvips&prog=normal
Artigo de periodico
Monte Carlo simulations applied to "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X quaternary alloys (X=As, P, N): a comparative study (2005)
Marques, M; Ferreira, L G; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MÉTODO DE MONTE CARLO, MUDANÇA DE FASE, SUPERFÍCIE FÍSICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
MARQUES, M et al. Monte Carlo simulations applied to "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X quaternary alloys (X=As, P, N): a comparative study. Physical Review B, v. 71, n. 20, p. 205204/1-205204/11, 2005Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000071000020205204000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Marques, M., Ferreira, L. G., Teles, L. K., & Scolfaro, L. M. R. (2005). Monte Carlo simulations applied to "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X quaternary alloys (X=As, P, N): a comparative study. Physical Review B, 71( 20), 205204/1-205204/11. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000071000020205204000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Marques M, Ferreira LG, Teles LK, Scolfaro LMR. Monte Carlo simulations applied to "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X quaternary alloys (X=As, P, N): a comparative study [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 71( 20): 205204/1-205204/11.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000071000020205204000001&idtype=cvips&prog=normal
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Marques M, Ferreira LG, Teles LK, Scolfaro LMR. Monte Carlo simulations applied to "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X quaternary alloys (X=As, P, N): a comparative study [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 71( 20): 205204/1-205204/11.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000071000020205204000001&idtype=cvips&prog=normal
Artigo de periodico
Magnetic properties of MnN: influence of strain and crystal structure (2005)
Marques, M; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Furthmüller, J; Bechstedt, F; Ferreira, L G
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARQUES, M et al. Magnetic properties of MnN: influence of strain and crystal structure. Applied Physics Letters, v. 86, n. 16, p. 164105/1-164105/3, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1905787. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Marques, M., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Furthmüller, J., Bechstedt, F., & Ferreira, L. G. (2005). Magnetic properties of MnN: influence of strain and crystal structure. Applied Physics Letters, 86( 16), 164105/1-164105/3. doi:10.1063/1.1905787
NLM
Marques M, Teles LK, Scolfaro LMR, Furthmüller J, Bechstedt F, Ferreira LG. Magnetic properties of MnN: influence of strain and crystal structure [Internet]. Applied Physics Letters. 2005 ; 86( 16): 164105/1-164105/3.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1905787
Vancouver
Marques M, Teles LK, Scolfaro LMR, Furthmüller J, Bechstedt F, Ferreira LG. Magnetic properties of MnN: influence of strain and crystal structure [Internet]. Applied Physics Letters. 2005 ; 86( 16): 164105/1-164105/3.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1905787
Artigo de periodico
Theoretical study of strain-induced ordering in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N epitaxial layers (2004)
Teles, L. K.; Ferreira, L G; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, ESTRUTURA ATÔMICA (FÍSICA MODERNA)
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ABNT
TELES, L. K. et al. Theoretical study of strain-induced ordering in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N epitaxial layers. Physical Review B, 2004Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000069000024245317000001&idtype=cvips. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Teles, L. K., Ferreira, L. G., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2004). Theoretical study of strain-induced ordering in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N epitaxial layers. Physical Review B. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000069000024245317000001&idtype=cvips
NLM
Teles LK, Ferreira LG, Scolfaro LMR, Leite JR. Theoretical study of strain-induced ordering in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N epitaxial layers [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000069000024245317000001&idtype=cvips
Vancouver
Teles LK, Ferreira LG, Scolfaro LMR, Leite JR. Theoretical study of strain-induced ordering in cubic 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N epitaxial layers [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000069000024245317000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function (2003)
Marques, M; Teles, L. K.; Anjos, V; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Freire, V N; Farias, G A; Silva Junior, E F da
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FILMES FINOS, ÓPTICA
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ABNT
MARQUES, M et al. Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function. Applied Physics Letters, v. 82, n. 18, p. 3074-3076, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1570922. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Marques, M., Teles, L. K., Anjos, V., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Freire, V. N., et al. (2003). Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function. Applied Physics Letters, 82( 18), 3074-3076. doi:10.1063/1.1570922
NLM
Marques M, Teles LK, Anjos V, Scolfaro LMR, Leite JR, Freire VN, Farias GA, Silva Junior EF da. Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 18): 3074-3076.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1570922
Vancouver
Marques M, Teles LK, Anjos V, Scolfaro LMR, Leite JR, Freire VN, Farias GA, Silva Junior EF da. Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 18): 3074-3076.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1570922
Trabalho de evento-resumo
Strain effects on coherent cubic InGaN and the formation of ordered phases (2003)
Teles, L. K.; Ferreira, L G; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Fonte: Book of Abstract. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
TELES, L. K. et al. Strain effects on coherent cubic InGaN and the formation of ordered phases. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Teles, L. K., Ferreira, L. G., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2003). Strain effects on coherent cubic InGaN and the formation of ordered phases. In Book of Abstract. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Teles LK, Ferreira LG, Scolfaro LMR, Leite JR. Strain effects on coherent cubic InGaN and the formation of ordered phases. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Teles LK, Ferreira LG, Scolfaro LMR, Leite JR. Strain effects on coherent cubic InGaN and the formation of ordered phases. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Lattice parameter and energy band gap of cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.Y' 'In IND.1-X-Y' N quaternary alloys (2003)
Marques, M; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Furthmüller, J; Bechstedt, F
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARQUES, M et al. Lattice parameter and energy band gap of cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.Y' 'In IND.1-X-Y' N quaternary alloys. Applied Physics Letters, v. 83, n. 5, p. 890-892, 2003Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000083000005000890000001&idtype=cvips. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Marques, M., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Furthmüller, J., & Bechstedt, F. (2003). Lattice parameter and energy band gap of cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.Y' 'In IND.1-X-Y' N quaternary alloys. Applied Physics Letters, 83( 5), 890-892. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000083000005000890000001&idtype=cvips
NLM
Marques M, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Furthmüller J, Bechstedt F. Lattice parameter and energy band gap of cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.Y' 'In IND.1-X-Y' N quaternary alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 83( 5): 890-892.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000083000005000890000001&idtype=cvips
Vancouver
Marques M, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Furthmüller J, Bechstedt F. Lattice parameter and energy band gap of cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.Y' 'In IND.1-X-Y' N quaternary alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 83( 5): 890-892.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000083000005000890000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys (2003)
Teles, L. K.; Ferreira, L G; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Kharchenko, A; Husberg, O; As, D J; Schikora, D; Lischka, K
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TELES, L. K. et al. Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys. Applied Physics Letters, v. 82, n. 24, p. 4274-4276, 2003Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000082000024004274000001&idtype=cvips. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Teles, L. K., Ferreira, L. G., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., Kharchenko, A., Husberg, O., et al. (2003). Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys. Applied Physics Letters, 82( 24), 4274-4276. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000082000024004274000001&idtype=cvips
NLM
Teles LK, Ferreira LG, Leite JR, Scolfaro LMR, Kharchenko A, Husberg O, As DJ, Schikora D, Lischka K. Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 24): 4274-4276.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000082000024004274000001&idtype=cvips
Vancouver
Teles LK, Ferreira LG, Leite JR, Scolfaro LMR, Kharchenko A, Husberg O, As DJ, Schikora D, Lischka K. Strain-induced ordering in 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N alloys [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 24): 4274-4276.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000082000024004274000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Phase diagram, chemical bonds, and gap bowing of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X' N: ab initio calculations (2002)
Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Furthmuller, J; Bechstedt, F
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA DOS SÓLIDOS, MUDANÇA DE FASE, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TELES, L. K. et al. Phase diagram, chemical bonds, and gap bowing of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X' N: ab initio calculations. Journal of Applied Physics, v. 92, n. 12, p. 7109-7113, 2002Tradução . . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Furthmuller, J., & Bechstedt, F. (2002). Phase diagram, chemical bonds, and gap bowing of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X' N: ab initio calculations. Journal of Applied Physics, 92( 12), 7109-7113.
NLM
Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Furthmuller J, Bechstedt F. Phase diagram, chemical bonds, and gap bowing of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X' N: ab initio calculations. Journal of Applied Physics. 2002 ; 92( 12): 7109-7113.[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Furthmuller J, Bechstedt F. Phase diagram, chemical bonds, and gap bowing of cubic 'In IND.X' 'Al IND.1-X' N: ab initio calculations. Journal of Applied Physics. 2002 ; 92( 12): 7109-7113.[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Structural, electronic, and effective-mass properties of silicon and zinc-blende group-III nitride semiconductor compounds (2001)
Ramos, L. E.; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Castineira, J L P; Rosa, A L; Leite, J. R.
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES, SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
RAMOS, L. E. et al. Structural, electronic, and effective-mass properties of silicon and zinc-blende group-III nitride semiconductor compounds. Physical Review B, v. 63, n. 16, p. 5210/1-5210/10, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.165210. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Ramos, L. E., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Castineira, J. L. P., Rosa, A. L., & Leite, J. R. (2001). Structural, electronic, and effective-mass properties of silicon and zinc-blende group-III nitride semiconductor compounds. Physical Review B, 63( 16), 5210/1-5210/10. doi:10.1103/physrevb.63.165210
NLM
Ramos LE, Teles LK, Scolfaro LMR, Castineira JLP, Rosa AL, Leite JR. Structural, electronic, and effective-mass properties of silicon and zinc-blende group-III nitride semiconductor compounds [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 63( 16): 5210/1-5210/10.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.165210
Vancouver
Ramos LE, Teles LK, Scolfaro LMR, Castineira JLP, Rosa AL, Leite JR. Structural, electronic, and effective-mass properties of silicon and zinc-blende group-III nitride semiconductor compounds [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 63( 16): 5210/1-5210/10.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.165210
Dissertação (Mestrado)
Propriedades estruturais e eletrônicas de nitretos do grupo III (1997)
Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro (Orientador)
Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
TELES, L. K. Propriedades estruturais e eletrônicas de nitretos do grupo III. 1997. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1997. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Teles, L. K. (1997). Propriedades estruturais e eletrônicas de nitretos do grupo III (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Teles LK. Propriedades estruturais e eletrônicas de nitretos do grupo III. 1997 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Teles LK. Propriedades estruturais e eletrônicas de nitretos do grupo III. 1997 ;[citado 2025 nov. 04 ]

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