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Propriedades estruturais e eletrônicas de nitretos do grupo III (1997)

  • Authors:
  • Autor USP: TELES, LARA KÜHL - IF
  • Unidade: IF
  • Sigla do Departamento: FMT
  • Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; ESTRUTURA ELETRÔNICA
  • Language: Português
  • Abstract: Neste trabalho efetuamos estudos pioneiros de propriedades estruturais e eletrônicas do grupo III, em particular para o GaN e InN. Para tanto, fizemos uso de dois métodos, semi-empírico (Tight-Biding) e outro ab initio (full potential Linear Augmented Plane Wave - FPLAPW). Na primeira parte, estudamos a deposição de algumas camadas de GaN cúbico sobre o substrato 'beta'-SiC na direção <100> através de cálculos autoconsistentes tight-Biding da energia total. Obtivemos para diversos sistemas as energias de coesão, deslocamentos atômicos, ocupação das ligações pendentes e reconstruções da superfície. O substrato de SiC e as camadas epitaxiais de Ga-N são representados por supercélulas 2x2. Como resultado obtivemos que os átomos da superfície formam dimeros simetrica- ou assimetricamente, resultando em reconstruções da superfície tipo 2x1, c-2x2 ou 2x2. Independentemente da terminação do substrato, o nitrogênio se liga mais fortemente que o gálio. Na segunda parte, estudamos a estrutura
  • Imprenta:
  • Data da defesa: 21.03.1997

  • How to cite
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    • ABNT

      TELES, L. K.; SCOLFARO, Luisa Maria Ribeiro. Propriedades estruturais e eletrônicas de nitretos do grupo III. 1997.Universidade de São Paulo, São Paulo, 1997.
    • APA

      Teles, L. K., & Scolfaro, L. M. R. (1997). Propriedades estruturais e eletrônicas de nitretos do grupo III. Universidade de São Paulo, São Paulo.
    • NLM

      Teles LK, Scolfaro LMR. Propriedades estruturais e eletrônicas de nitretos do grupo III. 1997 ;
    • Vancouver

      Teles LK, Scolfaro LMR. Propriedades estruturais e eletrônicas de nitretos do grupo III. 1997 ;

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