ReP USP - Resultado da busca

Artigo de periodico
EL2-like defects in InP nanowires: an ab initio total energy investigation (2007)
Miwa, R H; Schmidt, T M; Fazzio, Adalberto
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: NANOTECNOLOGIA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
MIWA, R H e SCHMIDT, T M e FAZZIO, Adalberto. EL2-like defects in InP nanowires: an ab initio total energy investigation. Physical Review B, v. 75, n. 16, p. 165324/1-165324/5, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.165324. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Miwa, R. H., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2007). EL2-like defects in InP nanowires: an ab initio total energy investigation. Physical Review B, 75( 16), 165324/1-165324/5. doi:10.1103/physrevb.75.165324
NLM
Miwa RH, Schmidt TM, Fazzio A. EL2-like defects in InP nanowires: an ab initio total energy investigation [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 16): 165324/1-165324/5.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.165324
Vancouver
Miwa RH, Schmidt TM, Fazzio A. EL2-like defects in InP nanowires: an ab initio total energy investigation [Internet]. Physical Review B. 2007 ; 75( 16): 165324/1-165324/5.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.75.165324
Artigo de periodico
Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles (2006)
Schmidt, T M; Venezuela, P; Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Fazzio, Adalberto
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
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ABNT
SCHMIDT, T M et al. Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles. Physical Review B, v. 73, n. 23, p. 235330, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.73.235330. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Schmidt, T. M., Venezuela, P., Arantes Junior, J. T., & Fazzio, A. (2006). Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles. Physical Review B, 73( 23), 235330. doi:10.1103/physrevb.73.235330
NLM
Schmidt TM, Venezuela P, Arantes Junior JT, Fazzio A. Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235330.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.73.235330
Vancouver
Schmidt TM, Venezuela P, Arantes Junior JT, Fazzio A. Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235330.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.73.235330
Artigo de periodico
First principles calculations of As impurities in the presence of a "90 GRAUS" partial dislocation in Si (2006)
Schmidt, T M; Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Fazzio, Adalberto
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SCHMIDT, T M e ARANTES JUNIOR, Jeverson Teodoro e FAZZIO, Adalberto. First principles calculations of As impurities in the presence of a "90 GRAUS" partial dislocation in Si. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 2A, p. 261-263, 2006Tradução . . Disponível em: http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v36_261.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Schmidt, T. M., Arantes Junior, J. T., & Fazzio, A. (2006). First principles calculations of As impurities in the presence of a "90 GRAUS" partial dislocation in Si. Brazilian Journal of Physics, 36( 2A), 261-263. Recuperado de http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v36_261.pdf
NLM
Schmidt TM, Arantes Junior JT, Fazzio A. First principles calculations of As impurities in the presence of a "90 GRAUS" partial dislocation in Si [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 261-263.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v36_261.pdf
Vancouver
Schmidt TM, Arantes Junior JT, Fazzio A. First principles calculations of As impurities in the presence of a "90 GRAUS" partial dislocation in Si [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 261-263.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbfisica.org.br/bjp/files/v36_261.pdf
Artigo de periodico
Formation energy of native defects in BN nanotubes: an ab initio study (2005)
Piquini, P; Baierle, Rogerio Jose; Schmidt, T M; Fazzio, Adalberto
Fonte: Nanotechnology. Unidade: IF
Assuntos: MATERIAIS, ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
PIQUINI, P et al. Formation energy of native defects in BN nanotubes: an ab initio study. Nanotechnology, v. 16, n. 6, p. 827-831, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0957-4484/16/6/035. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Piquini, P., Baierle, R. J., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2005). Formation energy of native defects in BN nanotubes: an ab initio study. Nanotechnology, 16( 6), 827-831. doi:10.1088/0957-4484/16/6/035
NLM
Piquini P, Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. Formation energy of native defects in BN nanotubes: an ab initio study [Internet]. Nanotechnology. 2005 ; 16( 6): 827-831.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0957-4484/16/6/035
Vancouver
Piquini P, Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. Formation energy of native defects in BN nanotubes: an ab initio study [Internet]. Nanotechnology. 2005 ; 16( 6): 827-831.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0957-4484/16/6/035
Artigo de periodico
Stability and electronic confinement of free-standing InP nanowires: Ab initio calculations (2005)
Schmidt, T M; Miwa, R H; Venezuela, P; Fazzio, Adalberto
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, FOTOLUMINESCÊNCIA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, T M et al. Stability and electronic confinement of free-standing InP nanowires: Ab initio calculations. Physical Review B, v. 72, n. 19, p. 193404/1-193404/4, 2005Tradução . . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Schmidt, T. M., Miwa, R. H., Venezuela, P., & Fazzio, A. (2005). Stability and electronic confinement of free-standing InP nanowires: Ab initio calculations. Physical Review B, 72( 19), 193404/1-193404/4.
NLM
Schmidt TM, Miwa RH, Venezuela P, Fazzio A. Stability and electronic confinement of free-standing InP nanowires: Ab initio calculations. Physical Review B. 2005 ; 72( 19): 193404/1-193404/4.[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Schmidt TM, Miwa RH, Venezuela P, Fazzio A. Stability and electronic confinement of free-standing InP nanowires: Ab initio calculations. Physical Review B. 2005 ; 72( 19): 193404/1-193404/4.[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Theoretical study of native defects in BN nanotubes (2003)
Schmidt, T M; Baierle, Rogerio Jose; Piquini, P; Fazzio, Adalberto
Fonte: Physical Review. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, POLÍMEROS (MATERIAIS), ESTRUTURA DOS SÓLIDOS, CRISTALOGRAFIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, T M et al. Theoretical study of native defects in BN nanotubes. Physical Review, v. 67, n. 11, p. 113407/1-113407/4, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.113407. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Schmidt, T. M., Baierle, R. J., Piquini, P., & Fazzio, A. (2003). Theoretical study of native defects in BN nanotubes. Physical Review, 67( 11), 113407/1-113407/4. doi:10.1103/physrevb.67.113407
NLM
Schmidt TM, Baierle RJ, Piquini P, Fazzio A. Theoretical study of native defects in BN nanotubes [Internet]. Physical Review. 2003 ; 67( 11): 113407/1-113407/4.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.113407
Vancouver
Schmidt TM, Baierle RJ, Piquini P, Fazzio A. Theoretical study of native defects in BN nanotubes [Internet]. Physical Review. 2003 ; 67( 11): 113407/1-113407/4.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.67.113407
Artigo de periodico
Stacking fault effects in pure and n-type doped GaAs (2001)
Schmidt, T M; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, Adalberto
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHMIDT, T M e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, Adalberto. Stacking fault effects in pure and n-type doped GaAs. Applied Physics Letters, v. 78, n. 7, p. 907-909, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1347005. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Schmidt, T. M., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (2001). Stacking fault effects in pure and n-type doped GaAs. Applied Physics Letters, 78( 7), 907-909. doi:10.1063/1.1347005
NLM
Schmidt TM, Justo Filho JF, Fazzio A. Stacking fault effects in pure and n-type doped GaAs [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 78( 7): 907-909.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1347005
Vancouver
Schmidt TM, Justo Filho JF, Fazzio A. Stacking fault effects in pure and n-type doped GaAs [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 78( 7): 907-909.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1347005

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