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Artigo de periodico
Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001) (2005)
Miwa, R H; Orellana, W; Fazzio, Adalberto
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
MIWA, R H e ORELLANA, W e FAZZIO, Adalberto. Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001). Applied Physics Letters, v. 86, p. 213111, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1931027. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Miwa, R. H., Orellana, W., & Fazzio, A. (2005). Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001). Applied Physics Letters, 86, 213111. doi:10.1063/1.1931027
NLM
Miwa RH, Orellana W, Fazzio A. Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001) [Internet]. Applied Physics Letters. 2005 ; 86 213111.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1931027
Vancouver
Miwa RH, Orellana W, Fazzio A. Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001) [Internet]. Applied Physics Letters. 2005 ; 86 213111.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1931027
Artigo de periodico
Stability and electronic properties of carbon nanotubes adsorbed on Si(001) (2004)
Orellana, W; Miwa, R H; Fazzio, Adalberto
Fonte: Surface Science. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
ORELLANA, W e MIWA, R H e FAZZIO, Adalberto. Stability and electronic properties of carbon nanotubes adsorbed on Si(001). Surface Science, v. 566-568, p. 728-732, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.susc.2004.06.006. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Orellana, W., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2004). Stability and electronic properties of carbon nanotubes adsorbed on Si(001). Surface Science, 566-568, 728-732. doi:10.1016/j.susc.2004.06.006
NLM
Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. Stability and electronic properties of carbon nanotubes adsorbed on Si(001) [Internet]. Surface Science. 2004 ; 566-568 728-732.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.susc.2004.06.006
Vancouver
Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. Stability and electronic properties of carbon nanotubes adsorbed on Si(001) [Internet]. Surface Science. 2004 ; 566-568 728-732.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.susc.2004.06.006
Trabalho de evento-resumo
Metal-semiconducting behavior of metallic carbon nanotubes adsorbed on hydrogenated Si(001) surfaces (2004)
Miwa, R H; Orellana, W; Fazzio, Adalberto
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
MIWA, R H e ORELLANA, W e FAZZIO, Adalberto. Metal-semiconducting behavior of metallic carbon nanotubes adsorbed on hydrogenated Si(001) surfaces. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1054-1.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Miwa, R. H., Orellana, W., & Fazzio, A. (2004). Metal-semiconducting behavior of metallic carbon nanotubes adsorbed on hydrogenated Si(001) surfaces. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1054-1.pdf
NLM
Miwa RH, Orellana W, Fazzio A. Metal-semiconducting behavior of metallic carbon nanotubes adsorbed on hydrogenated Si(001) surfaces [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1054-1.pdf
Vancouver
Miwa RH, Orellana W, Fazzio A. Metal-semiconducting behavior of metallic carbon nanotubes adsorbed on hydrogenated Si(001) surfaces [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1054-1.pdf
Artigo de periodico
Diffusion-reaction mechanisms of nitriding species in Si 'O IND. 2' (2004)
Orellana, W; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
ORELLANA, W e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Diffusion-reaction mechanisms of nitriding species in Si 'O IND. 2'. Physical Review B, 2004Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000070000012125206000001&idtype=cvips. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Orellana, W., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2004). Diffusion-reaction mechanisms of nitriding species in Si 'O IND. 2'. Physical Review B. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000070000012125206000001&idtype=cvips
NLM
Orellana W, Silva AJR da, Fazzio A. Diffusion-reaction mechanisms of nitriding species in Si 'O IND. 2' [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000070000012125206000001&idtype=cvips
Vancouver
Orellana W, Silva AJR da, Fazzio A. Diffusion-reaction mechanisms of nitriding species in Si 'O IND. 2' [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000070000012125206000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
Diffusion-reaction mechanisms of nitriding species in Si'O IND. 2' (2004)
Orellana, W; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Fonte: Programação. Nome do evento: Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
ORELLANA, W e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Diffusion-reaction mechanisms of nitriding species in Si'O IND. 2'. 2004, Anais.. Salvador: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/ebee/ix/sys/resumos/R0268-1.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Orellana, W., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2004). Diffusion-reaction mechanisms of nitriding species in Si'O IND. 2'. In Programação. Salvador: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/ebee/ix/sys/resumos/R0268-1.pdf
NLM
Orellana W, Silva AJR da, Fazzio A. Diffusion-reaction mechanisms of nitriding species in Si'O IND. 2' [Internet]. Programação. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/ebee/ix/sys/resumos/R0268-1.pdf
Vancouver
Orellana W, Silva AJR da, Fazzio A. Diffusion-reaction mechanisms of nitriding species in Si'O IND. 2' [Internet]. Programação. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/ebee/ix/sys/resumos/R0268-1.pdf
Artigo de periodico
First-principles calculations of carbon nanotubes adsorbed on Si(001) (2003)
Orellana, W; Miwa, R H; Fazzio, Adalberto
Fonte: Physical Review Letters. Unidade: IF
Assuntos: PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
ORELLANA, W e MIWA, R H e FAZZIO, Adalberto. First-principles calculations of carbon nanotubes adsorbed on Si(001). Physical Review Letters, v. 91, n. 16, p. 166802/1-166802/4, 2003Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000091000016166802000001&idtype=cvips. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Orellana, W., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2003). First-principles calculations of carbon nanotubes adsorbed on Si(001). Physical Review Letters, 91( 16), 166802/1-166802/4. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000091000016166802000001&idtype=cvips
NLM
Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. First-principles calculations of carbon nanotubes adsorbed on Si(001) [Internet]. Physical Review Letters. 2003 ; 91( 16): 166802/1-166802/4.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000091000016166802000001&idtype=cvips
Vancouver
Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. First-principles calculations of carbon nanotubes adsorbed on Si(001) [Internet]. Physical Review Letters. 2003 ; 91( 16): 166802/1-166802/4.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000091000016166802000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
Carbon nanotube on Si(100): structural and electronic properties (2003)
Orellana, W; Miwa, R H; Fazzio, Adalberto
Fonte: Book of Abstract. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assuntos: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
ORELLANA, W e MIWA, R H e FAZZIO, Adalberto. Carbon nanotube on Si(100): structural and electronic properties. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Orellana, W., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2003). Carbon nanotube on Si(100): structural and electronic properties. In Book of Abstract. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. Carbon nanotube on Si(100): structural and electronic properties. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. Carbon nanotube on Si(100): structural and electronic properties. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Artigo de periodico
Oxifation at the 'Si/SiO IND.2' interface: influence of the spin degree of freedom (2003)
Orellana, W; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Fonte: Physical Review Letters. Unidade: IF
Assuntos: SUPERFÍCIE FÍSICA, OXIDAÇÃO, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
ORELLANA, W e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Oxifation at the 'Si/SiO IND.2' interface: influence of the spin degree of freedom. Physical Review Letters, v. 90, n. 1, p. 016103/1-016103/4, 2003Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000090000001016103000001&idtype=cvips. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Orellana, W., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2003). Oxifation at the 'Si/SiO IND.2' interface: influence of the spin degree of freedom. Physical Review Letters, 90( 1), 016103/1-016103/4. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000090000001016103000001&idtype=cvips
NLM
Orellana W, Silva AJR da, Fazzio A. Oxifation at the 'Si/SiO IND.2' interface: influence of the spin degree of freedom [Internet]. Physical Review Letters. 2003 ; 90( 1): 016103/1-016103/4.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000090000001016103000001&idtype=cvips
Vancouver
Orellana W, Silva AJR da, Fazzio A. Oxifation at the 'Si/SiO IND.2' interface: influence of the spin degree of freedom [Internet]. Physical Review Letters. 2003 ; 90( 1): 016103/1-016103/4.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRLTAO000090000001016103000001&idtype=cvips
Artigo de periodico
Stability and electronic structure of hydrogen-nitrogen complexes in GaAs (2002)
Orellana, W; Ferraz, A. C.
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ORELLANA, W e FERRAZ, A. C. Stability and electronic structure of hydrogen-nitrogen complexes in GaAs. Applied Physics Letters, v. 81, n. 20, p. 3816-3818, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1521571. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Orellana, W., & Ferraz, A. C. (2002). Stability and electronic structure of hydrogen-nitrogen complexes in GaAs. Applied Physics Letters, 81( 20), 3816-3818. doi:10.1063/1.1521571
NLM
Orellana W, Ferraz AC. Stability and electronic structure of hydrogen-nitrogen complexes in GaAs [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 20): 3816-3818.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1521571
Vancouver
Orellana W, Ferraz AC. Stability and electronic structure of hydrogen-nitrogen complexes in GaAs [Internet]. Applied Physics Letters. 2002 ; 81( 20): 3816-3818.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1521571
Artigo de periodico
Ab initio study of substitutional nitrogen in GaAs (2001)
Orellana, W; Ferraz, A. C.
Fonte: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, NITROGÊNIO, ESTADO SÓLIDO, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ORELLANA, W e FERRAZ, A. C. Ab initio study of substitutional nitrogen in GaAs. Applied Physics Letters, v. 78, n. 9, p. 1231-1233, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1351524. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Orellana, W., & Ferraz, A. C. (2001). Ab initio study of substitutional nitrogen in GaAs. Applied Physics Letters, 78( 9), 1231-1233. doi:10.1063/1.1351524
NLM
Orellana W, Ferraz AC. Ab initio study of substitutional nitrogen in GaAs [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 78( 9): 1231-1233.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1351524
Vancouver
Orellana W, Ferraz AC. Ab initio study of substitutional nitrogen in GaAs [Internet]. Applied Physics Letters. 2001 ; 78( 9): 1231-1233.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1351524

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