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Artigo de periodico
Oxygen-mediated electron transport through hybrid silicon-organic interfaces (2008)
Bonferroni, Benedetta; Ferretti, Andrea; Calzolari, Arrigo; Ruini, Alice; Caldas, Marilia Junqueira ; Molinari, Elisa
Source: Nanotechnology. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
BONFERRONI, Benedetta et al. Oxygen-mediated electron transport through hybrid silicon-organic interfaces. Nanotechnology, v. 19, n. 28, p. 285201/1-285201/5, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0957-4484/19/28/285201. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Bonferroni, B., Ferretti, A., Calzolari, A., Ruini, A., Caldas, M. J., & Molinari, E. (2008). Oxygen-mediated electron transport through hybrid silicon-organic interfaces. Nanotechnology, 19( 28), 285201/1-285201/5. doi:10.1088/0957-4484/19/28/285201
NLM
Bonferroni B, Ferretti A, Calzolari A, Ruini A, Caldas MJ, Molinari E. Oxygen-mediated electron transport through hybrid silicon-organic interfaces [Internet]. Nanotechnology. 2008 ; 19( 28): 285201/1-285201/5.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0957-4484/19/28/285201
Vancouver
Bonferroni B, Ferretti A, Calzolari A, Ruini A, Caldas MJ, Molinari E. Oxygen-mediated electron transport through hybrid silicon-organic interfaces [Internet]. Nanotechnology. 2008 ; 19( 28): 285201/1-285201/5.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0957-4484/19/28/285201
Artigo de periodico
Competitive chemisorption of bifunctional carboxylic acids on H:Si(100): a first-principles study (2008)
Cucinotta, Clotilde S; Ruini, Alice; Molinari, Elisa; Pignedoli, Carlo A; Catellani, Alessandra; Caldas, Marilia Junqueira
Source: Journal of Physical Chemistry C. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
CUCINOTTA, Clotilde S et al. Competitive chemisorption of bifunctional carboxylic acids on H:Si(100): a first-principles study. Journal of Physical Chemistry C, v. 112, n. 27, p. 10167-10175, 2008Tradução . . Disponível em: http://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/jp711303j. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Cucinotta, C. S., Ruini, A., Molinari, E., Pignedoli, C. A., Catellani, A., & Caldas, M. J. (2008). Competitive chemisorption of bifunctional carboxylic acids on H:Si(100): a first-principles study. Journal of Physical Chemistry C, 112( 27), 10167-10175. Recuperado de http://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/jp711303j
NLM
Cucinotta CS, Ruini A, Molinari E, Pignedoli CA, Catellani A, Caldas MJ. Competitive chemisorption of bifunctional carboxylic acids on H:Si(100): a first-principles study [Internet]. Journal of Physical Chemistry C. 2008 ; 112( 27): 10167-10175.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/jp711303j
Vancouver
Cucinotta CS, Ruini A, Molinari E, Pignedoli CA, Catellani A, Caldas MJ. Competitive chemisorption of bifunctional carboxylic acids on H:Si(100): a first-principles study [Internet]. Journal of Physical Chemistry C. 2008 ; 112( 27): 10167-10175.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/jp711303j
Artigo de periodico
A first-principles study of the magnetism and electronic structure of Cr clusters supported on a Au(111) surface (2007)
Bergman, Anders; Nordström, Lars; Klautau, A. B.; Frota-Pessoa, S; Eriksson, Olle
Source: Journal of Physics-Condensed Matter. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA
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ABNT
BERGMAN, Anders et al. A first-principles study of the magnetism and electronic structure of Cr clusters supported on a Au(111) surface. Journal of Physics-Condensed Matter, v. 19, n. 15, p. 156226/1-156226/8, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/19/15/156226. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Bergman, A., Nordström, L., Klautau, A. B., Frota-Pessoa, S., & Eriksson, O. (2007). A first-principles study of the magnetism and electronic structure of Cr clusters supported on a Au(111) surface. Journal of Physics-Condensed Matter, 19( 15), 156226/1-156226/8. doi:10.1088/0953-8984/19/15/156226
NLM
Bergman A, Nordström L, Klautau AB, Frota-Pessoa S, Eriksson O. A first-principles study of the magnetism and electronic structure of Cr clusters supported on a Au(111) surface [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2007 ; 19( 15): 156226/1-156226/8.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/19/15/156226
Vancouver
Bergman A, Nordström L, Klautau AB, Frota-Pessoa S, Eriksson O. A first-principles study of the magnetism and electronic structure of Cr clusters supported on a Au(111) surface [Internet]. Journal of Physics-Condensed Matter. 2007 ; 19( 15): 156226/1-156226/8.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/19/15/156226
Trabalho de evento
Breaking of copper nanowires: a computer simulation (2005)
Amorin, Edgard P M; Silva, E Z da; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Program. Conference titles: Latin American Congress of Surface Science and its Applications. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
AMORIN, Edgard P M et al. Breaking of copper nanowires: a computer simulation. 2005, Anais.. Rio de Janeiro: PUC/RIO, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0112-1.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Amorin, E. P. M., Silva, E. Z. da, Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2005). Breaking of copper nanowires: a computer simulation. In Program. Rio de Janeiro: PUC/RIO. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0112-1.pdf
NLM
Amorin EPM, Silva EZ da, Silva AJR da, Fazzio A. Breaking of copper nanowires: a computer simulation [Internet]. Program. 2005 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0112-1.pdf
Vancouver
Amorin EPM, Silva EZ da, Silva AJR da, Fazzio A. Breaking of copper nanowires: a computer simulation [Internet]. Program. 2005 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0112-1.pdf
Trabalho de evento
On the adorption of benzene-1,4-dithiol on the Au(111) surface and its possible role in molecular condutance (2005)
Pontes, Renato B; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Program. Conference titles: Latin American Congress of Surface Science and its Applications. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
PONTES, Renato B e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antonio Jose Roque da. On the adorption of benzene-1,4-dithiol on the Au(111) surface and its possible role in molecular condutance. 2005, Anais.. Rio de Janeiro: PUC/RIO, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0069-1.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Pontes, R. B., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2005). On the adorption of benzene-1,4-dithiol on the Au(111) surface and its possible role in molecular condutance. In Program. Rio de Janeiro: PUC/RIO. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0069-1.pdf
NLM
Pontes RB, Fazzio A, Silva AJR da. On the adorption of benzene-1,4-dithiol on the Au(111) surface and its possible role in molecular condutance [Internet]. Program. 2005 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0069-1.pdf
Vancouver
Pontes RB, Fazzio A, Silva AJR da. On the adorption of benzene-1,4-dithiol on the Au(111) surface and its possible role in molecular condutance [Internet]. Program. 2005 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0069-1.pdf
Trabalho de evento
Electron transmission through metal nanowires (2005)
Martins, Thiago Barros; Silva, Antonio Jose Roque da; Novaes, Frederico Dutilh; Pontes, Renato Borges; Fazzio, Adalberto
Source: Program. Conference titles: Latin American Congress of Surface Science and its Applications. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
MARTINS, Thiago Barros et al. Electron transmission through metal nanowires. 2005, Anais.. Rio de Janeiro: PUC/RIO, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0290-1.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Martins, T. B., Silva, A. J. R. da, Novaes, F. D., Pontes, R. B., & Fazzio, A. (2005). Electron transmission through metal nanowires. In Program. Rio de Janeiro: PUC/RIO. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0290-1.pdf
NLM
Martins TB, Silva AJR da, Novaes FD, Pontes RB, Fazzio A. Electron transmission through metal nanowires [Internet]. Program. 2005 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0290-1.pdf
Vancouver
Martins TB, Silva AJR da, Novaes FD, Pontes RB, Fazzio A. Electron transmission through metal nanowires [Internet]. Program. 2005 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0290-1.pdf
Artigo de periodico
The quantum mobility of a two-dimensional electron gas in selectively doped GaAs/InGaAs quantum wells with embedded quantum dots (2005)
Silva, E C F; Quivy, A. A.
Source: Journal of applied physics. Unidade: IF
Subjects: SUPERFÍCIE FÍSICA, ESPECTROSCOPIA POR ABSORÇÃO ELETRÔNICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
SILVA, E C F e QUIVY, A. A. The quantum mobility of a two-dimensional electron gas in selectively doped GaAs/InGaAs quantum wells with embedded quantum dots. Journal of applied physics, v. 97, n. 11, p. 113709/1-113709/6, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1925329. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Silva, E. C. F., & Quivy, A. A. (2005). The quantum mobility of a two-dimensional electron gas in selectively doped GaAs/InGaAs quantum wells with embedded quantum dots. Journal of applied physics, 97( 11), 113709/1-113709/6. doi:10.1063/1.1925329
NLM
Silva ECF, Quivy AA. The quantum mobility of a two-dimensional electron gas in selectively doped GaAs/InGaAs quantum wells with embedded quantum dots [Internet]. Journal of applied physics. 2005 ; 97( 11): 113709/1-113709/6.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1925329
Vancouver
Silva ECF, Quivy AA. The quantum mobility of a two-dimensional electron gas in selectively doped GaAs/InGaAs quantum wells with embedded quantum dots [Internet]. Journal of applied physics. 2005 ; 97( 11): 113709/1-113709/6.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1925329
Artigo de periodico
Electronic and structural properties of "C IND.59" Si on the monohydride Si(100) surface (2005)
Zanella, Ivana; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: International Journal of Quantum Chemistry. Unidade: IF
Subjects: FÍSICO-QUÍMICA, SUPERFÍCIE FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
ZANELLA, Ivana e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antonio Jose Roque da. Electronic and structural properties of "C IND.59" Si on the monohydride Si(100) surface. International Journal of Quantum Chemistry, v. 103, n. 5, p. 557-561, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/qua.20528. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Zanella, I., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2005). Electronic and structural properties of "C IND.59" Si on the monohydride Si(100) surface. International Journal of Quantum Chemistry, 103( 5), 557-561. doi:10.1002/qua.20528
NLM
Zanella I, Fazzio A, Silva AJR da. Electronic and structural properties of "C IND.59" Si on the monohydride Si(100) surface [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry. 2005 ; 103( 5): 557-561.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1002/qua.20528
Vancouver
Zanella I, Fazzio A, Silva AJR da. Electronic and structural properties of "C IND.59" Si on the monohydride Si(100) surface [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry. 2005 ; 103( 5): 557-561.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1002/qua.20528
Trabalho de evento-resumo
Propriedades eletrônicas e estruturais da superfície (101) de TiO2 anatase (2005)
Santos, Marcelo Alves dos; Caldas, Marilia Junqueira ; Petrilli, Helena Maria
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
SANTOS, Marcelo Alves dos e CALDAS, Marilia Junqueira e PETRILLI, Helena Maria. Propriedades eletrônicas e estruturais da superfície (101) de TiO2 anatase. 2005, Anais.. São Paulo: SBF, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1063-1.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Santos, M. A. dos, Caldas, M. J., & Petrilli, H. M. (2005). Propriedades eletrônicas e estruturais da superfície (101) de TiO2 anatase. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1063-1.pdf
NLM
Santos MA dos, Caldas MJ, Petrilli HM. Propriedades eletrônicas e estruturais da superfície (101) de TiO2 anatase [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1063-1.pdf
Vancouver
Santos MA dos, Caldas MJ, Petrilli HM. Propriedades eletrônicas e estruturais da superfície (101) de TiO2 anatase [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1063-1.pdf
Trabalho de evento
Electronic steps and band offset on Si-Ge two dimensional superlattices on Bi/Si(111) (2005)
Miwa, Roberto Hiroki; Schmidt, Tomé; Venezuela, Pedro; Fazzio, Adalberto
Source: Program. Conference titles: Latin American Congress of Surface Science and its Applications. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, Roberto Hiroki et al. Electronic steps and band offset on Si-Ge two dimensional superlattices on Bi/Si(111). 2005, Anais.. Rio de Janeiro: PUC/RIO, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0092-1.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Miwa, R. H., Schmidt, T., Venezuela, P., & Fazzio, A. (2005). Electronic steps and band offset on Si-Ge two dimensional superlattices on Bi/Si(111). In Program. Rio de Janeiro: PUC/RIO. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0092-1.pdf
NLM
Miwa RH, Schmidt T, Venezuela P, Fazzio A. Electronic steps and band offset on Si-Ge two dimensional superlattices on Bi/Si(111) [Internet]. Program. 2005 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0092-1.pdf
Vancouver
Miwa RH, Schmidt T, Venezuela P, Fazzio A. Electronic steps and band offset on Si-Ge two dimensional superlattices on Bi/Si(111) [Internet]. Program. 2005 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0092-1.pdf
Artigo de periodico
The relative stability of the two isomers of "AlP IND.3" (2005)
Malaspina, Thaciana; Coutinho, Kaline Rabelo ; Canuto, Sylvio Roberto Accioly
Source: Chemical Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: FÍSICO-QUÍMICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MALASPINA, Thaciana e COUTINHO, Kaline Rabelo e CANUTO, Sylvio Roberto Accioly. The relative stability of the two isomers of "AlP IND.3". Chemical Physics Letters, v. 411, n. 1-3, p. 14-17, 2005Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TFN-4GFV5TK-8-7&_cdi=5231&_user=972067&_orig=browse&_coverDate=08%2F05%2F2005&_sk=995889998&view=c&wchp=dGLzVlz-zSkzS&md5=98443bb3a8afabc44dfe61423f5b4034&ie=/sdarticle.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Malaspina, T., Coutinho, K. R., & Canuto, S. R. A. (2005). The relative stability of the two isomers of "AlP IND.3". Chemical Physics Letters, 411( 1-3), 14-17. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TFN-4GFV5TK-8-7&_cdi=5231&_user=972067&_orig=browse&_coverDate=08%2F05%2F2005&_sk=995889998&view=c&wchp=dGLzVlz-zSkzS&md5=98443bb3a8afabc44dfe61423f5b4034&ie=/sdarticle.pdf
NLM
Malaspina T, Coutinho KR, Canuto SRA. The relative stability of the two isomers of "AlP IND.3" [Internet]. Chemical Physics Letters. 2005 ; 411( 1-3): 14-17.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TFN-4GFV5TK-8-7&_cdi=5231&_user=972067&_orig=browse&_coverDate=08%2F05%2F2005&_sk=995889998&view=c&wchp=dGLzVlz-zSkzS&md5=98443bb3a8afabc44dfe61423f5b4034&ie=/sdarticle.pdf
Vancouver
Malaspina T, Coutinho KR, Canuto SRA. The relative stability of the two isomers of "AlP IND.3" [Internet]. Chemical Physics Letters. 2005 ; 411( 1-3): 14-17.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TFN-4GFV5TK-8-7&_cdi=5231&_user=972067&_orig=browse&_coverDate=08%2F05%2F2005&_sk=995889998&view=c&wchp=dGLzVlz-zSkzS&md5=98443bb3a8afabc44dfe61423f5b4034&ie=/sdarticle.pdf
Artigo de periodico
Monte Carlo simulations applied to "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X quaternary alloys (X=As, P, N): a comparative study (2005)
Marques, M; Ferreira, L G; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MÉTODO DE MONTE CARLO, MUDANÇA DE FASE, SUPERFÍCIE FÍSICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARQUES, M et al. Monte Carlo simulations applied to "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X quaternary alloys (X=As, P, N): a comparative study. Physical Review B, v. 71, n. 20, p. 205204/1-205204/11, 2005Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000071000020205204000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Marques, M., Ferreira, L. G., Teles, L. K., & Scolfaro, L. M. R. (2005). Monte Carlo simulations applied to "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X quaternary alloys (X=As, P, N): a comparative study. Physical Review B, 71( 20), 205204/1-205204/11. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000071000020205204000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Marques M, Ferreira LG, Teles LK, Scolfaro LMR. Monte Carlo simulations applied to "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X quaternary alloys (X=As, P, N): a comparative study [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 71( 20): 205204/1-205204/11.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000071000020205204000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Marques M, Ferreira LG, Teles LK, Scolfaro LMR. Monte Carlo simulations applied to "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X quaternary alloys (X=As, P, N): a comparative study [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 71( 20): 205204/1-205204/11.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000071000020205204000001&idtype=cvips&prog=normal
Artigo de periodico
Tailoring the electronic properties of silicon with cysteine: a first-principles study (2005)
Cucinotta, C S; Ruini, A; Catellani, A; Caldas, Marilia Junqueira
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MOLÉCULA, QUÍMICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CUCINOTTA, C S et al. Tailoring the electronic properties of silicon with cysteine: a first-principles study. Physical Review B, v. 72, n. 24, p. 245310/1-245310/6, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.72.245310. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Cucinotta, C. S., Ruini, A., Catellani, A., & Caldas, M. J. (2005). Tailoring the electronic properties of silicon with cysteine: a first-principles study. Physical Review B, 72( 24), 245310/1-245310/6. doi:10.1103/physrevb.72.245310
NLM
Cucinotta CS, Ruini A, Catellani A, Caldas MJ. Tailoring the electronic properties of silicon with cysteine: a first-principles study [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 72( 24): 245310/1-245310/6.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.72.245310
Vancouver
Cucinotta CS, Ruini A, Catellani A, Caldas MJ. Tailoring the electronic properties of silicon with cysteine: a first-principles study [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 72( 24): 245310/1-245310/6.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.72.245310
Artigo de periodico
Maleic anhydride adsorption on silicon (001) (2005)
Miotto, P; Ferraz, A. C.; Srivastava, G. P.
Source: Journal of Chemical Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICO-QUÍMICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIOTTO, P e FERRAZ, A. C. e SRIVASTAVA, G. P. Maleic anhydride adsorption on silicon (001). Journal of Chemical Physics, v. 123, n. 7, p. 074708/1-074708/9, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2006676. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Miotto, P., Ferraz, A. C., & Srivastava, G. P. (2005). Maleic anhydride adsorption on silicon (001). Journal of Chemical Physics, 123( 7), 074708/1-074708/9. doi:10.1063/1.2006676
NLM
Miotto P, Ferraz AC, Srivastava GP. Maleic anhydride adsorption on silicon (001) [Internet]. Journal of Chemical Physics. 2005 ; 123( 7): 074708/1-074708/9.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2006676
Vancouver
Miotto P, Ferraz AC, Srivastava GP. Maleic anhydride adsorption on silicon (001) [Internet]. Journal of Chemical Physics. 2005 ; 123( 7): 074708/1-074708/9.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2006676
Trabalho de evento
Electronic and structural properties of Silicon Nanowires (2005)
Leão, Cedric Rocha; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Source: Program. Conference titles: Latin American Congress of Surface Science and its Applications. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEÃO, Cedric Rocha e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Electronic and structural properties of Silicon Nanowires. 2005, Anais.. Rio de Janeiro: PUC/RIO, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0103-1.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Leão, C. R., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2005). Electronic and structural properties of Silicon Nanowires. In Program. Rio de Janeiro: PUC/RIO. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0103-1.pdf
NLM
Leão CR, Silva AJR da, Fazzio A. Electronic and structural properties of Silicon Nanowires [Internet]. Program. 2005 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0103-1.pdf
Vancouver
Leão CR, Silva AJR da, Fazzio A. Electronic and structural properties of Silicon Nanowires [Internet]. Program. 2005 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0103-1.pdf
Trabalho de evento
Electronic properties of free-standing semiconductors nanowires (2005)
Fazzio, Adalberto
Source: Program. Conference titles: Latin American Congress of Surface Science and its Applications. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
FAZZIO, Adalberto. Electronic properties of free-standing semiconductors nanowires. 2005, Anais.. Rio de Janeiro: PUC/RIO, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0288-1.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Fazzio, A. (2005). Electronic properties of free-standing semiconductors nanowires. In Program. Rio de Janeiro: PUC/RIO. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0288-1.pdf
NLM
Fazzio A. Electronic properties of free-standing semiconductors nanowires [Internet]. Program. 2005 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0288-1.pdf
Vancouver
Fazzio A. Electronic properties of free-standing semiconductors nanowires [Internet]. Program. 2005 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/clacsa/sys/resumos/R0288-1.pdf
Artigo de periodico
Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001) (2005)
Miwa, R H; Orellana, W; Fazzio, Adalberto
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIWA, R H e ORELLANA, W e FAZZIO, Adalberto. Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001). Applied Physics Letters, v. 86, p. 213111, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1931027. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Miwa, R. H., Orellana, W., & Fazzio, A. (2005). Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001). Applied Physics Letters, 86, 213111. doi:10.1063/1.1931027
NLM
Miwa RH, Orellana W, Fazzio A. Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001) [Internet]. Applied Physics Letters. 2005 ; 86 213111.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1931027
Vancouver
Miwa RH, Orellana W, Fazzio A. Substrate-dependent electronic properties of an armchair carbon nanotube adsorbed on H/Si(001) [Internet]. Applied Physics Letters. 2005 ; 86 213111.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1931027
Artigo de periodico
Acetonitrile adsorption on Si(001) (2004)
Miotto, R; Oliveira, M C de; Pinto, M M; Léon Pérez, F de; Ferraz, A. C.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIOTTO, R et al. Acetonitrile adsorption on Si(001). Physical Review B, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.69.235331. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Miotto, R., Oliveira, M. C. de, Pinto, M. M., Léon Pérez, F. de, & Ferraz, A. C. (2004). Acetonitrile adsorption on Si(001). Physical Review B. doi:10.1103/physrevb.69.235331
NLM
Miotto R, Oliveira MC de, Pinto MM, Léon Pérez F de, Ferraz AC. Acetonitrile adsorption on Si(001) [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.69.235331
Vancouver
Miotto R, Oliveira MC de, Pinto MM, Léon Pérez F de, Ferraz AC. Acetonitrile adsorption on Si(001) [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.69.235331
Artigo de periodico
Stability and electronic properties of carbon nanotubes adsorbed on Si(001) (2004)
Orellana, W; Miwa, R H; Fazzio, Adalberto
Source: Surface Science. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SUPERFÍCIE FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ORELLANA, W e MIWA, R H e FAZZIO, Adalberto. Stability and electronic properties of carbon nanotubes adsorbed on Si(001). Surface Science, v. 566-568, p. 728-732, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.susc.2004.06.006. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Orellana, W., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2004). Stability and electronic properties of carbon nanotubes adsorbed on Si(001). Surface Science, 566-568, 728-732. doi:10.1016/j.susc.2004.06.006
NLM
Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. Stability and electronic properties of carbon nanotubes adsorbed on Si(001) [Internet]. Surface Science. 2004 ; 566-568 728-732.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.susc.2004.06.006
Vancouver
Orellana W, Miwa RH, Fazzio A. Stability and electronic properties of carbon nanotubes adsorbed on Si(001) [Internet]. Surface Science. 2004 ; 566-568 728-732.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.susc.2004.06.006
Artigo de periodico
Ab initio calculation of the (100) and (110) surface phonon dispersion of GaAs and GaN (2004)
Alves, H W Leite; Alves, J L A; Santos, A M; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, H W Leite et al. Ab initio calculation of the (100) and (110) surface phonon dispersion of GaAs and GaN. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400021. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Santos, A. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2004). Ab initio calculation of the (100) and (110) surface phonon dispersion of GaAs and GaN. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000400021
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Santos AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Ab initio calculation of the (100) and (110) surface phonon dispersion of GaAs and GaN [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400021
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Santos AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Ab initio calculation of the (100) and (110) surface phonon dispersion of GaAs and GaN [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400021

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