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Trabalho de evento-resumo
III-Te 2D structures for optoelectronic devices (2018)
Olmos-Asar, Jimena Anahí; Fazzio, Adalberto ; Leao, Cedric Rocha
Fonte: Resumo. Nome do evento: Encontro de Outono. Unidade: IF
Assuntos: ÓPTICA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, ESTRUTURA ELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
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ABNT
OLMOS-ASAR, Jimena Anahí e FAZZIO, Adalberto e LEAO, Cedric Rocha. III-Te 2D structures for optoelectronic devices. 2018, Anais.. São Paulo: SBF, 2018. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0090-1.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Olmos-Asar, J. A., Fazzio, A., & Leao, C. R. (2018). III-Te 2D structures for optoelectronic devices. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0090-1.pdf
NLM
Olmos-Asar JA, Fazzio A, Leao CR. III-Te 2D structures for optoelectronic devices [Internet]. Resumo. 2018 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0090-1.pdf
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Olmos-Asar JA, Fazzio A, Leao CR. III-Te 2D structures for optoelectronic devices [Internet]. Resumo. 2018 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xli/sys/resumos/R0090-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Computational investigation on the carbohydrate binding site of Frutalin (2009)
Lima, Filipe Camargo Dalmatti Alves; Gonçalves, M. B.; Zucolotto, Valtencir ; Petrilli, Helena Maria
Fonte: Abstracts. Nome do evento: International Conference on Advanced Materials - ICAM. Unidades: IFSC, IF
Assuntos: CARBOIDRATOS, PROTEÍNAS, MATERIAIS, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
LIMA, Filipe Camargo Dalmatti Alves et al. Computational investigation on the carbohydrate binding site of Frutalin. 2009, Anais.. Evanston: International Union of Materials Research Societies - IUMRS, 2009. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Lima, F. C. D. A., Gonçalves, M. B., Zucolotto, V., & Petrilli, H. M. (2009). Computational investigation on the carbohydrate binding site of Frutalin. In Abstracts. Evanston: International Union of Materials Research Societies - IUMRS.
NLM
Lima FCDA, Gonçalves MB, Zucolotto V, Petrilli HM. Computational investigation on the carbohydrate binding site of Frutalin. Abstracts. 2009 ;[citado 2025 nov. 04 ]
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Lima FCDA, Gonçalves MB, Zucolotto V, Petrilli HM. Computational investigation on the carbohydrate binding site of Frutalin. Abstracts. 2009 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Molecular dynamics simulations on stretching of amorphous PPV films (2009)
Pinto, M. F. S.; Ramos, R.; Faria, Roberto Mendonça ; Caldas, Marilia Junqueira
Fonte: Abstracts. Nome do evento: International Conference on Advanced Materials - ICAM. Unidades: IFSC, IF
Assuntos: POLÍMEROS (MATERIAIS), ESTRUTURA ELETRÔNICA, FILMES FINOS, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
PINTO, M. F. S. et al. Molecular dynamics simulations on stretching of amorphous PPV films. 2009, Anais.. Evanston: International Union of Materials Research Societies - IUMRS, 2009. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Pinto, M. F. S., Ramos, R., Faria, R. M., & Caldas, M. J. (2009). Molecular dynamics simulations on stretching of amorphous PPV films. In Abstracts. Evanston: International Union of Materials Research Societies - IUMRS.
NLM
Pinto MFS, Ramos R, Faria RM, Caldas MJ. Molecular dynamics simulations on stretching of amorphous PPV films. Abstracts. 2009 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Pinto MFS, Ramos R, Faria RM, Caldas MJ. Molecular dynamics simulations on stretching of amorphous PPV films. Abstracts. 2009 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Tese (Doutorado)
Estrutura eletrônica e campo hiperfino de impurezas complexas de cobalto e de níquel em diamante (2008)
Mamani, Rolando Larico ; Assali, Lucy Vitoria Credidio (Orientador)
Unidade: IF
Assuntos: FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, DIAMANTE
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ABNT
MAMANI, Rolando Larico. Estrutura eletrônica e campo hiperfino de impurezas complexas de cobalto e de níquel em diamante. 2008. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-25032009-135707/. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Mamani, R. L. (2008). Estrutura eletrônica e campo hiperfino de impurezas complexas de cobalto e de níquel em diamante (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-25032009-135707/
NLM
Mamani RL. Estrutura eletrônica e campo hiperfino de impurezas complexas de cobalto e de níquel em diamante [Internet]. 2008 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-25032009-135707/
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Mamani RL. Estrutura eletrônica e campo hiperfino de impurezas complexas de cobalto e de níquel em diamante [Internet]. 2008 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-25032009-135707/
Artigo de periodico
Structural, electronic, and optical properties of "ZrO IND.2" from ab initio calculations (2006)
Garcia, Joelson Cott; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Lino, Antonio Tadeu; Freire, V N; Farias, G A; Silva, C C; Alves, H W Leite; Rodrigues, S C P; Silva, E F da
Fonte: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, DIELÉTRICOS, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
GARCIA, Joelson Cott et al. Structural, electronic, and optical properties of "ZrO IND.2" from ab initio calculations. Journal of Applied Physics, v. 100, n. 1, p. 104103-1/104103-9, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.2386967. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Garcia, J. C., Scolfaro, L. M. R., Lino, A. T., Freire, V. N., Farias, G. A., Silva, C. C., et al. (2006). Structural, electronic, and optical properties of "ZrO IND.2" from ab initio calculations. Journal of Applied Physics, 100( 1), 104103-1/104103-9. doi:10.1063/1.2386967
NLM
Garcia JC, Scolfaro LMR, Lino AT, Freire VN, Farias GA, Silva CC, Alves HWL, Rodrigues SCP, Silva EF da. Structural, electronic, and optical properties of "ZrO IND.2" from ab initio calculations [Internet]. Journal of Applied Physics. 2006 ; 100( 1): 104103-1/104103-9.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2386967
Vancouver
Garcia JC, Scolfaro LMR, Lino AT, Freire VN, Farias GA, Silva CC, Alves HWL, Rodrigues SCP, Silva EF da. Structural, electronic, and optical properties of "ZrO IND.2" from ab initio calculations [Internet]. Journal of Applied Physics. 2006 ; 100( 1): 104103-1/104103-9.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.2386967
Artigo de periodico
Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles (2006)
Schmidt, T M; Venezuela, P; Arantes Junior, Jeverson Teodoro; Fazzio, Adalberto
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
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ABNT
SCHMIDT, T M et al. Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles. Physical Review B, v. 73, n. 23, p. 235330, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.73.235330. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Schmidt, T. M., Venezuela, P., Arantes Junior, J. T., & Fazzio, A. (2006). Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles. Physical Review B, 73( 23), 235330. doi:10.1103/physrevb.73.235330
NLM
Schmidt TM, Venezuela P, Arantes Junior JT, Fazzio A. Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235330.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.73.235330
Vancouver
Schmidt TM, Venezuela P, Arantes Junior JT, Fazzio A. Electronic and magnetic properties of Mn-doped InP nanowires from first principles [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235330.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.73.235330
Artigo de periodico
Ab initio calculation of the bcc Fe-Al phase diagram including magnetic interactions (2006)
Gonzales Ormeño, Pablo Guillermo ; Petrilli, Helena Maria ; Schön, Cláudio Geraldo
Fonte: Scripta Materialia. Unidades: IF, EP
Assuntos: TERMODINÂMICA, DIAGRAMA DE TRANSFORMAÇÃO DE FASE, INTERAÇÕES ELETROMAGNÉTICAS, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
GONZALES ORMEÑO, Pablo Guillermo e PETRILLI, Helena Maria e SCHÖN, Cláudio Geraldo. Ab initio calculation of the bcc Fe-Al phase diagram including magnetic interactions. Scripta Materialia, v. 54, n. 7, p. 1271-1276, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.scriptamat.2005.12.024. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Gonzales Ormeño, P. G., Petrilli, H. M., & Schön, C. G. (2006). Ab initio calculation of the bcc Fe-Al phase diagram including magnetic interactions. Scripta Materialia, 54( 7), 1271-1276. doi:10.1016/j.scriptamat.2005.12.024
NLM
Gonzales Ormeño PG, Petrilli HM, Schön CG. Ab initio calculation of the bcc Fe-Al phase diagram including magnetic interactions [Internet]. Scripta Materialia. 2006 ; 54( 7): 1271-1276.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.scriptamat.2005.12.024
Vancouver
Gonzales Ormeño PG, Petrilli HM, Schön CG. Ab initio calculation of the bcc Fe-Al phase diagram including magnetic interactions [Internet]. Scripta Materialia. 2006 ; 54( 7): 1271-1276.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.scriptamat.2005.12.024
Artigo de periodico
Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems (2006)
Marques, M; Teles, L. K.; Ferreira, L G; Scolfaro, L M R
Fonte: Physical Review B. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
MARQUES, M et al. Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems. Physical Review B, v. 73, n. 23, p. 235205, 2006Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000023235205000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Marques, M., Teles, L. K., Ferreira, L. G., & Scolfaro, L. M. R. (2006). Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems. Physical Review B, 73( 23), 235205. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000023235205000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Marques M, Teles LK, Ferreira LG, Scolfaro LMR. Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235205.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000023235205000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Marques M, Teles LK, Ferreira LG, Scolfaro LMR. Statistical model applied to "A IND.X" "B IND.Y" "C IND.1-X-Y" D quaternary alloys: bond lengths and energy gaps of "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X (X=As, P, or N) systems [Internet]. Physical Review B. 2006 ; 73( 23): 235205.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000073000023235205000001&idtype=cvips&prog=normal
Artigo de periodico
Hydrogen adsorption on carbon-doped boron nitride nanotube (2006)
Baierle, Rogerio Jose; Piquini, P; Schmidt, Tome Mauro; Fazzio, Adalberto
Fonte: Journal of Physical Chemistry. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
BAIERLE, Rogerio Jose et al. Hydrogen adsorption on carbon-doped boron nitride nanotube. Journal of Physical Chemistry, v. 110, n. 42, p. 21184-21188, 2006Tradução . . Disponível em: http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/jpcbfk/2006/110/i42/pdf/jp061587s.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Baierle, R. J., Piquini, P., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2006). Hydrogen adsorption on carbon-doped boron nitride nanotube. Journal of Physical Chemistry, 110( 42), 21184-21188. Recuperado de http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/jpcbfk/2006/110/i42/pdf/jp061587s.pdf
NLM
Baierle RJ, Piquini P, Schmidt TM, Fazzio A. Hydrogen adsorption on carbon-doped boron nitride nanotube [Internet]. Journal of Physical Chemistry. 2006 ; 110( 42): 21184-21188.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/jpcbfk/2006/110/i42/pdf/jp061587s.pdf
Vancouver
Baierle RJ, Piquini P, Schmidt TM, Fazzio A. Hydrogen adsorption on carbon-doped boron nitride nanotube [Internet]. Journal of Physical Chemistry. 2006 ; 110( 42): 21184-21188.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/jpcbfk/2006/110/i42/pdf/jp061587s.pdf
Artigo de periodico
Silicon adsorption in defective carbon nanotubes: a first principles study (2006)
Silva, L B da; Fagan, Solange Binotto; Mota, R; Fazzio, Adalberto
Fonte: Nanotechnology. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
SILVA, L B da et al. Silicon adsorption in defective carbon nanotubes: a first principles study. Nanotechnology, v. 17, n. 16, p. 4088-4091, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0957-4484/17/16/016. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Silva, L. B. da, Fagan, S. B., Mota, R., & Fazzio, A. (2006). Silicon adsorption in defective carbon nanotubes: a first principles study. Nanotechnology, 17( 16), 4088-4091. doi:10.1088/0957-4484/17/16/016
NLM
Silva LB da, Fagan SB, Mota R, Fazzio A. Silicon adsorption in defective carbon nanotubes: a first principles study [Internet]. Nanotechnology. 2006 ; 17( 16): 4088-4091.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0957-4484/17/16/016
Vancouver
Silva LB da, Fagan SB, Mota R, Fazzio A. Silicon adsorption in defective carbon nanotubes: a first principles study [Internet]. Nanotechnology. 2006 ; 17( 16): 4088-4091.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0957-4484/17/16/016
Artigo de periodico
Density functional theory method for non-equilibrium charge transport calculations: TRANSAMPA (2006)
Novaes, Frederico Dutilh; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOVAES, Frederico Dutilh e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Density functional theory method for non-equilibrium charge transport calculations: TRANSAMPA. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 3A, p. 799-807, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000500039. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Novaes, F. D., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2006). Density functional theory method for non-equilibrium charge transport calculations: TRANSAMPA. Brazilian Journal of Physics, 36( 3A), 799-807. doi:10.1590/s0103-97332006000500039
NLM
Novaes FD, Silva AJR da, Fazzio A. Density functional theory method for non-equilibrium charge transport calculations: TRANSAMPA [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 3A): 799-807.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000500039
Vancouver
Novaes FD, Silva AJR da, Fazzio A. Density functional theory method for non-equilibrium charge transport calculations: TRANSAMPA [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 3A): 799-807.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332006000500039
Artigo de periodico
Electronic and structural properties of "C IND.59" Si on the monohydride Si(100) surface (2005)
Zanella, Ivana; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da
Fonte: International Journal of Quantum Chemistry. Unidade: IF
Assuntos: FÍSICO-QUÍMICA, SUPERFÍCIE FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ZANELLA, Ivana e FAZZIO, Adalberto e SILVA, Antonio Jose Roque da. Electronic and structural properties of "C IND.59" Si on the monohydride Si(100) surface. International Journal of Quantum Chemistry, v. 103, n. 5, p. 557-561, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/qua.20528. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Zanella, I., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2005). Electronic and structural properties of "C IND.59" Si on the monohydride Si(100) surface. International Journal of Quantum Chemistry, 103( 5), 557-561. doi:10.1002/qua.20528
NLM
Zanella I, Fazzio A, Silva AJR da. Electronic and structural properties of "C IND.59" Si on the monohydride Si(100) surface [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry. 2005 ; 103( 5): 557-561.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1002/qua.20528
Vancouver
Zanella I, Fazzio A, Silva AJR da. Electronic and structural properties of "C IND.59" Si on the monohydride Si(100) surface [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry. 2005 ; 103( 5): 557-561.[citado 2025 nov. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1002/qua.20528
Trabalho de evento-resumo
Electric and magnetic hyperfine interactions in AZURIN (2005)
Caldas, Marilia Junqueira ; Petrilli, Helena Maria; Felice, Rosa Di; Corni, Stefano
Fonte: Program. Nome do evento: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat,. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CALDAS, Marilia Junqueira et al. Electric and magnetic hyperfine interactions in AZURIN. 2005, Anais.. São Carlos: SBPMat, 2005. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/4encontro/Final_program.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Caldas, M. J., Petrilli, H. M., Felice, R. D., & Corni, S. (2005). Electric and magnetic hyperfine interactions in AZURIN. In Program. São Carlos: SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/4encontro/Final_program.pdf
NLM
Caldas MJ, Petrilli HM, Felice RD, Corni S. Electric and magnetic hyperfine interactions in AZURIN [Internet]. Program. 2005 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/4encontro/Final_program.pdf
Vancouver
Caldas MJ, Petrilli HM, Felice RD, Corni S. Electric and magnetic hyperfine interactions in AZURIN [Internet]. Program. 2005 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/4encontro/Final_program.pdf
Trabalho de evento-resumo
Can the III-Nitrides form polytypes (2005)
Silva, C C; Leite Alves, H W; Scolfato, L M R
Fonte: Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, C C e LEITE ALVES, H W e SCOLFATO, L M R. Can the III-Nitrides form polytypes. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0073-3.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Silva, C. C., Leite Alves, H. W., & Scolfato, L. M. R. (2005). Can the III-Nitrides form polytypes. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0073-3.pdf
NLM
Silva CC, Leite Alves HW, Scolfato LMR. Can the III-Nitrides form polytypes [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0073-3.pdf
Vancouver
Silva CC, Leite Alves HW, Scolfato LMR. Can the III-Nitrides form polytypes [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0073-3.pdf
Trabalho de evento-resumo
Electronic and structural properties of the (101) surface of "TiO IND.2" ANATASE (2005)
Santos, M A; Caldas, Marilia Junqueira ; Petrilli, Helena Maria; Blochl, P E
Fonte: Program. Nome do evento: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat,. Unidade: IF
Assuntos: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, M A et al. Electronic and structural properties of the (101) surface of "TiO IND.2" ANATASE. 2005, Anais.. São Carlos: SBPMat, 2005. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/4encontro/Final_program.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Santos, M. A., Caldas, M. J., Petrilli, H. M., & Blochl, P. E. (2005). Electronic and structural properties of the (101) surface of "TiO IND.2" ANATASE. In Program. São Carlos: SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/4encontro/Final_program.pdf
NLM
Santos MA, Caldas MJ, Petrilli HM, Blochl PE. Electronic and structural properties of the (101) surface of "TiO IND.2" ANATASE [Internet]. Program. 2005 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/4encontro/Final_program.pdf
Vancouver
Santos MA, Caldas MJ, Petrilli HM, Blochl PE. Electronic and structural properties of the (101) surface of "TiO IND.2" ANATASE [Internet]. Program. 2005 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/4encontro/Final_program.pdf
Artigo de periodico
Substitutional Si doping in deformed carbon nanotubes (2004)
Fagan, Solange Binotto; Mota, R; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Fonte: Nano Letters. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
FAGAN, Solange Binotto et al. Substitutional Si doping in deformed carbon nanotubes. Nano Letters, 2004Tradução . . Disponível em: http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/nalefd/2004/4/i05/pdf/nl049805l.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Fagan, S. B., Mota, R., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2004). Substitutional Si doping in deformed carbon nanotubes. Nano Letters. Recuperado de http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/nalefd/2004/4/i05/pdf/nl049805l.pdf
NLM
Fagan SB, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Substitutional Si doping in deformed carbon nanotubes [Internet]. Nano Letters. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/nalefd/2004/4/i05/pdf/nl049805l.pdf
Vancouver
Fagan SB, Mota R, Silva AJR da, Fazzio A. Substitutional Si doping in deformed carbon nanotubes [Internet]. Nano Letters. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://pubs.acs.org/cgi-bin/article.cgi/nalefd/2004/4/i05/pdf/nl049805l.pdf
Trabalho de evento-resumo
Estudo da adsorção de silício em nanotubos de carbono com vacâncias (2004)
Silva, Leandro Barros da; Mota, Ronaldo; Fazzio, Adalberto ; Silva, Antonio Jose Roque da; Fagan, Solange Binotto
Fonte: Programação. Nome do evento: Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
SILVA, Leandro Barros da et al. Estudo da adsorção de silício em nanotubos de carbono com vacâncias. 2004, Anais.. Salvador: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/ebee/ix/sys/resumos/R0220-1.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Silva, L. B. da, Mota, R., Fazzio, A., Silva, A. J. R. da, & Fagan, S. B. (2004). Estudo da adsorção de silício em nanotubos de carbono com vacâncias. In Programação. Salvador: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/ebee/ix/sys/resumos/R0220-1.pdf
NLM
Silva LB da, Mota R, Fazzio A, Silva AJR da, Fagan SB. Estudo da adsorção de silício em nanotubos de carbono com vacâncias [Internet]. Programação. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/ebee/ix/sys/resumos/R0220-1.pdf
Vancouver
Silva LB da, Mota R, Fazzio A, Silva AJR da, Fagan SB. Estudo da adsorção de silício em nanotubos de carbono com vacâncias [Internet]. Programação. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/ebee/ix/sys/resumos/R0220-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Polarized resonant raman scattering of quantum-wells in the presence of applied gate voltages (2004)
Anjos, V; Leão, S A; Souza, M A R; Leite, J. R.
Fonte: Programação. Nome do evento: Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
ANJOS, V et al. Polarized resonant raman scattering of quantum-wells in the presence of applied gate voltages. 2004, Anais.. Salvador: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/ebee/ix/sys/resumos/R0094-1.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Anjos, V., Leão, S. A., Souza, M. A. R., & Leite, J. R. (2004). Polarized resonant raman scattering of quantum-wells in the presence of applied gate voltages. In Programação. Salvador: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/ebee/ix/sys/resumos/R0094-1.pdf
NLM
Anjos V, Leão SA, Souza MAR, Leite JR. Polarized resonant raman scattering of quantum-wells in the presence of applied gate voltages [Internet]. Programação. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/ebee/ix/sys/resumos/R0094-1.pdf
Vancouver
Anjos V, Leão SA, Souza MAR, Leite JR. Polarized resonant raman scattering of quantum-wells in the presence of applied gate voltages [Internet]. Programação. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/ebee/ix/sys/resumos/R0094-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Diffusion-reaction mechanisms of nitriding species in Si'O IND. 2' (2004)
Orellana, W; Silva, Antonio Jose Roque da; Fazzio, Adalberto
Fonte: Programação. Nome do evento: Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
ORELLANA, W e SILVA, Antonio Jose Roque da e FAZZIO, Adalberto. Diffusion-reaction mechanisms of nitriding species in Si'O IND. 2'. 2004, Anais.. Salvador: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/ebee/ix/sys/resumos/R0268-1.pdf. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Orellana, W., Silva, A. J. R. da, & Fazzio, A. (2004). Diffusion-reaction mechanisms of nitriding species in Si'O IND. 2'. In Programação. Salvador: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/ebee/ix/sys/resumos/R0268-1.pdf
NLM
Orellana W, Silva AJR da, Fazzio A. Diffusion-reaction mechanisms of nitriding species in Si'O IND. 2' [Internet]. Programação. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/ebee/ix/sys/resumos/R0268-1.pdf
Vancouver
Orellana W, Silva AJR da, Fazzio A. Diffusion-reaction mechanisms of nitriding species in Si'O IND. 2' [Internet]. Programação. 2004 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/ebee/ix/sys/resumos/R0268-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Strained-induced shifts of the zone-center phonons of III-nitrides (2003)
Alves, H W Leite; Alves, J L A; Santos, A M; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Fonte: Book of Abstract. Nome do evento: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assuntos: ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, H W Leite et al. Strained-induced shifts of the zone-center phonons of III-nitrides. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Santos, A. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2003). Strained-induced shifts of the zone-center phonons of III-nitrides. In Book of Abstract. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Santos AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Strained-induced shifts of the zone-center phonons of III-nitrides. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Santos AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Strained-induced shifts of the zone-center phonons of III-nitrides. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2025 nov. 04 ]

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