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Dissertação (Mestrado)
Propriedades eletrônicas das ligas 'Al IND. X''Ga IND. 1-X'N e 'In IND. X''Ga IND. 1-X'N e da impureza aceitadora de carbono (2001)
Marques, Marcelo; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: CIRCUITOS ELETRÔNICOS, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
MARQUES, Marcelo. Propriedades eletrônicas das ligas 'Al IND. X''Ga IND. 1-X'N e 'In IND. X''Ga IND. 1-X'N e da impureza aceitadora de carbono. 2001. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2001. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Marques, M. (2001). Propriedades eletrônicas das ligas 'Al IND. X''Ga IND. 1-X'N e 'In IND. X''Ga IND. 1-X'N e da impureza aceitadora de carbono (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Marques M. Propriedades eletrônicas das ligas 'Al IND. X''Ga IND. 1-X'N e 'In IND. X''Ga IND. 1-X'N e da impureza aceitadora de carbono. 2001 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Marques M. Propriedades eletrônicas das ligas 'Al IND. X''Ga IND. 1-X'N e 'In IND. X''Ga IND. 1-X'N e da impureza aceitadora de carbono. 2001 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Dissertação (Mestrado)
Propriedades de transporte vertical em super-redes de pocos deltas tipo-n em 'GA''AS' (1997)
Rodrigues, Sara Cristina Pinto; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FÍSICA, CIRCUITOS ELETRÔNICOS
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ABNT
RODRIGUES, Sara Cristina Pinto. Propriedades de transporte vertical em super-redes de pocos deltas tipo-n em 'GA''AS'. 1997. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1997. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Rodrigues, S. C. P. (1997). Propriedades de transporte vertical em super-redes de pocos deltas tipo-n em 'GA''AS' (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Rodrigues SCP. Propriedades de transporte vertical em super-redes de pocos deltas tipo-n em 'GA''AS'. 1997 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Rodrigues SCP. Propriedades de transporte vertical em super-redes de pocos deltas tipo-n em 'GA''AS'. 1997 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Tese (Doutorado)
Estrutura eletrônica de impurezas simples e complexas envolvendo àtomos leves em GaAs (1997)
Orellana Muñoz, Walter Manuel; Ferraz, Armando Corbani (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: CIRCUITOS ELETRÔNICOS, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
ORELLANA MUÑOZ, Walter Manuel. Estrutura eletrônica de impurezas simples e complexas envolvendo àtomos leves em GaAs. 1997. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1997. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-21032017-102800/. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Orellana Muñoz, W. M. (1997). Estrutura eletrônica de impurezas simples e complexas envolvendo àtomos leves em GaAs (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-21032017-102800/
NLM
Orellana Muñoz WM. Estrutura eletrônica de impurezas simples e complexas envolvendo àtomos leves em GaAs [Internet]. 1997 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-21032017-102800/
Vancouver
Orellana Muñoz WM. Estrutura eletrônica de impurezas simples e complexas envolvendo àtomos leves em GaAs [Internet]. 1997 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-21032017-102800/
Tese (Doutorado)
Estrutura eletrônica de impurezas isoladas de boro e dos pares de impurezas boro-silicio e metal de transição - vacancia em cristal de 'GA''AS' (1996)
França, Ecio Jose; Assali, Lucy Vitoria Credidio (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: CIRCUITOS ELETRÔNICOS, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
FRANÇA, Ecio Jose. Estrutura eletrônica de impurezas isoladas de boro e dos pares de impurezas boro-silicio e metal de transição - vacancia em cristal de 'GA''AS'. 1996. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1996. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-06062017-150805/. Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
França, E. J. (1996). Estrutura eletrônica de impurezas isoladas de boro e dos pares de impurezas boro-silicio e metal de transição - vacancia em cristal de 'GA''AS' (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-06062017-150805/
NLM
França EJ. Estrutura eletrônica de impurezas isoladas de boro e dos pares de impurezas boro-silicio e metal de transição - vacancia em cristal de 'GA''AS' [Internet]. 1996 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-06062017-150805/
Vancouver
França EJ. Estrutura eletrônica de impurezas isoladas de boro e dos pares de impurezas boro-silicio e metal de transição - vacancia em cristal de 'GA''AS' [Internet]. 1996 ;[citado 2025 nov. 04 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-06062017-150805/
Dissertação (Mestrado)
Topologia da superficie de fermi em 'GA''AS' dopado periodicamente com 'SI' (1994)
Goncalves, Luiz Carlos Donizetti; Henriques, André Bohomoletz (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: CIRCUITOS ELETRÔNICOS, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GONCALVES, Luiz Carlos Donizetti. Topologia da superficie de fermi em 'GA''AS' dopado periodicamente com 'SI'. 1994. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1994. . Acesso em: 04 nov. 2025.
APA
Goncalves, L. C. D. (1994). Topologia da superficie de fermi em 'GA''AS' dopado periodicamente com 'SI' (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Goncalves LCD. Topologia da superficie de fermi em 'GA''AS' dopado periodicamente com 'SI'. 1994 ;[citado 2025 nov. 04 ]
Vancouver
Goncalves LCD. Topologia da superficie de fermi em 'GA''AS' dopado periodicamente com 'SI'. 1994 ;[citado 2025 nov. 04 ]

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