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Trabalho de evento-resumo
The influence of relativistic effects on the HfO$_{2}$ band structures (2005)
Garcia, Joelson Cott; Lino, A T; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Freire, V N; Farias, G A; Silva Junior, E F
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
GARCIA, Joelson Cott et al. The influence of relativistic effects on the HfO$_{2}$ band structures. 2005, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1400-2.pdf. Acesso em: 19 set. 2024.
APA
Garcia, J. C., Lino, A. T., Scolfaro, L. M. R., Freire, V. N., Farias, G. A., & Silva Junior, E. F. (2005). The influence of relativistic effects on the HfO$_{2}$ band structures. In Resumos. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1400-2.pdf
NLM
Garcia JC, Lino AT, Scolfaro LMR, Freire VN, Farias GA, Silva Junior EF. The influence of relativistic effects on the HfO$_{2}$ band structures [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 set. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1400-2.pdf
Vancouver
Garcia JC, Lino AT, Scolfaro LMR, Freire VN, Farias GA, Silva Junior EF. The influence of relativistic effects on the HfO$_{2}$ band structures [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 set. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1400-2.pdf
Artigo de periodico
Monte Carlo simulations applied to "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X quaternary alloys (X=As, P, N): a comparative study (2005)
Marques, M; Ferreira, L G; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MÉTODO DE MONTE CARLO, MUDANÇA DE FASE, SUPERFÍCIE FÍSICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
MARQUES, M et al. Monte Carlo simulations applied to "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X quaternary alloys (X=As, P, N): a comparative study. Physical Review B, v. 71, n. 20, p. 205204/1-205204/11, 2005Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000071000020205204000001&idtype=cvips&prog=normal. Acesso em: 19 set. 2024.
APA
Marques, M., Ferreira, L. G., Teles, L. K., & Scolfaro, L. M. R. (2005). Monte Carlo simulations applied to "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X quaternary alloys (X=As, P, N): a comparative study. Physical Review B, 71( 20), 205204/1-205204/11. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000071000020205204000001&idtype=cvips&prog=normal
NLM
Marques M, Ferreira LG, Teles LK, Scolfaro LMR. Monte Carlo simulations applied to "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X quaternary alloys (X=As, P, N): a comparative study [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 71( 20): 205204/1-205204/11.[citado 2024 set. 19 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000071000020205204000001&idtype=cvips&prog=normal
Vancouver
Marques M, Ferreira LG, Teles LK, Scolfaro LMR. Monte Carlo simulations applied to "Al IND.X" "Ga IND.Y" "In IND.1-X-Y" X quaternary alloys (X=As, P, N): a comparative study [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 71( 20): 205204/1-205204/11.[citado 2024 set. 19 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000071000020205204000001&idtype=cvips&prog=normal
Dissertação (Mestrado)
Estudo de primeiros príncipios das propriedades eletrônicas e ópticas dos óxidos "HfO IND.2" e "SrTiO IND.3" (2005)
Garcia, Joelson Cott; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO, PROPRIEDADES DOS SÓLIDOS, ESTRUTURA DOS SÓLIDOS, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
GARCIA, Joelson Cott. Estudo de primeiros príncipios das propriedades eletrônicas e ópticas dos óxidos "HfO IND.2" e "SrTiO IND.3". 2005. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2005. . Acesso em: 19 set. 2024.
APA
Garcia, J. C. (2005). Estudo de primeiros príncipios das propriedades eletrônicas e ópticas dos óxidos "HfO IND.2" e "SrTiO IND.3" (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Garcia JC. Estudo de primeiros príncipios das propriedades eletrônicas e ópticas dos óxidos "HfO IND.2" e "SrTiO IND.3". 2005 ;[citado 2024 set. 19 ]
Vancouver
Garcia JC. Estudo de primeiros príncipios das propriedades eletrônicas e ópticas dos óxidos "HfO IND.2" e "SrTiO IND.3". 2005 ;[citado 2024 set. 19 ]
Artigo de periodico
Controlling the charge and the spin polarization distributions in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures (2005)
Lima, Ivan Costa da Cunha; Rodrigues, S C P; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Journal of Superconductivity. Unidades: IFSC, IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
LIMA, Ivan Costa da Cunha et al. Controlling the charge and the spin polarization distributions in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures. Journal of Superconductivity, v. 18. n. 1, p. 61-67, 2005Tradução . . Disponível em: http://www.springerlink.com/media/99AJTVLWYGY6JC0UJN9M/Contributions/P/X/3/5/PX35337843273887.pdf. Acesso em: 19 set. 2024.
APA
Lima, I. C. da C., Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2005). Controlling the charge and the spin polarization distributions in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures. Journal of Superconductivity, 18. n. 1, 61-67. Recuperado de http://www.springerlink.com/media/99AJTVLWYGY6JC0UJN9M/Contributions/P/X/3/5/PX35337843273887.pdf
NLM
Lima IC da C, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Controlling the charge and the spin polarization distributions in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures [Internet]. Journal of Superconductivity. 2005 ; 18. n. 1 61-67.[citado 2024 set. 19 ] Available from: http://www.springerlink.com/media/99AJTVLWYGY6JC0UJN9M/Contributions/P/X/3/5/PX35337843273887.pdf
Vancouver
Lima IC da C, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Controlling the charge and the spin polarization distributions in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures [Internet]. Journal of Superconductivity. 2005 ; 18. n. 1 61-67.[citado 2024 set. 19 ] Available from: http://www.springerlink.com/media/99AJTVLWYGY6JC0UJN9M/Contributions/P/X/3/5/PX35337843273887.pdf
Artigo de periodico
Magnetic properties of MnN: influence of strain and crystal structure (2005)
Marques, M; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Furthmüller, J; Bechstedt, F; Ferreira, L G
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MAGNETISMO
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ABNT
MARQUES, M et al. Magnetic properties of MnN: influence of strain and crystal structure. Applied Physics Letters, v. 86, n. 16, p. 164105/1-164105/3, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1905787. Acesso em: 19 set. 2024.
APA
Marques, M., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Furthmüller, J., Bechstedt, F., & Ferreira, L. G. (2005). Magnetic properties of MnN: influence of strain and crystal structure. Applied Physics Letters, 86( 16), 164105/1-164105/3. doi:10.1063/1.1905787
NLM
Marques M, Teles LK, Scolfaro LMR, Furthmüller J, Bechstedt F, Ferreira LG. Magnetic properties of MnN: influence of strain and crystal structure [Internet]. Applied Physics Letters. 2005 ; 86( 16): 164105/1-164105/3.[citado 2024 set. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1905787
Vancouver
Marques M, Teles LK, Scolfaro LMR, Furthmüller J, Bechstedt F, Ferreira LG. Magnetic properties of MnN: influence of strain and crystal structure [Internet]. Applied Physics Letters. 2005 ; 86( 16): 164105/1-164105/3.[citado 2024 set. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1905787
Artigo de periodico-carta/editorial
Workshop of Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials, 4 - NanoSemiMat. [Editorial] (2005)
Silva Junior, E. F. da; Henini, M; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Microelectronics Journal. Unidades: IF, IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, NANOTECNOLOGIA, ESTRUTURA DOS MATERIAIS
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ABNT
SILVA JUNIOR, E. F. da et al. Workshop of Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials, 4 - NanoSemiMat. [Editorial]. Microelectronics Journal. Oxford: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1. Acesso em: 19 set. 2024. , 2005
APA
Silva Junior, E. F. da, Henini, M., Scolfaro, L. M. R., & Sipahi, G. M. (2005). Workshop of Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials, 4 - NanoSemiMat. [Editorial]. Microelectronics Journal. Oxford: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
NLM
Silva Junior EF da, Henini M, Scolfaro LMR, Sipahi GM. Workshop of Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials, 4 - NanoSemiMat. [Editorial] [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; No 2005( 11): 939.[citado 2024 set. 19 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Vancouver
Silva Junior EF da, Henini M, Scolfaro LMR, Sipahi GM. Workshop of Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials, 4 - NanoSemiMat. [Editorial] [Internet]. Microelectronics Journal. 2005 ; No 2005( 11): 939.[citado 2024 set. 19 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Artigo de periodico
Growth and characterization of cubic (2005)
Pacheco-Salazar, D G; Li, S F; Cerdeira, F; Meneses, E A; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; As, D J; Lischka, K
Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF
Subjects: CRISTALOGRAFIA, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
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ABNT
PACHECO-SALAZAR, D G et al. Growth and characterization of cubic. Journal of Crystal Growth, v. 284, n. 3-4, p. 379-387, 2005Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5302&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=841273c738a47f3959822930346abf20. Acesso em: 19 set. 2024.
APA
Pacheco-Salazar, D. G., Li, S. F., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., et al. (2005). Growth and characterization of cubic. Journal of Crystal Growth, 284( 3-4), 379-387. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5302&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=841273c738a47f3959822930346abf20
NLM
Pacheco-Salazar DG, Li SF, Cerdeira F, Meneses EA, Leite JR, Scolfaro LMR, As DJ, Lischka K. Growth and characterization of cubic [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2005 ; 284( 3-4): 379-387.[citado 2024 set. 19 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5302&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=841273c738a47f3959822930346abf20
Vancouver
Pacheco-Salazar DG, Li SF, Cerdeira F, Meneses EA, Leite JR, Scolfaro LMR, As DJ, Lischka K. Growth and characterization of cubic [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2005 ; 284( 3-4): 379-387.[citado 2024 set. 19 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5302&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=841273c738a47f3959822930346abf20
Artigo de periodico
Growth and characterization of cubic InxGa1-xN epilayers on two different types of substrate (2005)
Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, CRISTALOGRAFIA, FEIXES, CRESCIMENTO DE CRISTAIS, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
LEITE, J. R. e SCOLFARO, Luisa Maria Ribeiro. Growth and characterization of cubic InxGa1-xN epilayers on two different types of substrate. Journal of Crystal Growth, v. 284, n. 3-4, p. 379-387, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2005.07.049. Acesso em: 19 set. 2024.
APA
Leite, J. R., & Scolfaro, L. M. R. (2005). Growth and characterization of cubic InxGa1-xN epilayers on two different types of substrate. Journal of Crystal Growth, 284( 3-4), 379-387. doi:10.1016/j.jcrysgro.2005.07.049
NLM
Leite JR, Scolfaro LMR. Growth and characterization of cubic InxGa1-xN epilayers on two different types of substrate [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2005 ; 284( 3-4): 379-387.[citado 2024 set. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2005.07.049
Vancouver
Leite JR, Scolfaro LMR. Growth and characterization of cubic InxGa1-xN epilayers on two different types of substrate [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2005 ; 284( 3-4): 379-387.[citado 2024 set. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2005.07.049
Trabalho de evento-resumo
Controlling the charge and the spin-polarization distribution in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures (2004)
Lima, Ivan C. da Cunha; Rodrigues, Sara C. P.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Abstracts. Conference titles: International Conference on Physics and Applications of Spin-Related Phenomena in Semiconductors - PASPS. Unidades: IF, IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO
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ABNT
LIMA, Ivan C. da Cunha et al. Controlling the charge and the spin-polarization distribution in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures. 2004, Anais.. Santa Barbara: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2004. . Acesso em: 19 set. 2024.
APA
Lima, I. C. da C., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Sipahi, G. M. (2004). Controlling the charge and the spin-polarization distribution in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures. In Abstracts. Santa Barbara: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Lima IC da C, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM. Controlling the charge and the spin-polarization distribution in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures. Abstracts. 2004 ;[citado 2024 set. 19 ]
Vancouver
Lima IC da C, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM. Controlling the charge and the spin-polarization distribution in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures. Abstracts. 2004 ;[citado 2024 set. 19 ]
Trabalho de evento-resumo
Spin-polarized k.p theory applied to DMS devices (2004)
Sipahi, Guilherme Matos; Rodrigues, S. C. P.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Lima, Ivan C. Cunha
Source: Program and Abstracts. Conference titles: The Internacional Conference on Superlattices, Nano-structures and Nano-devices - ICSNN. Unidades: IFSC, IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Spin-polarized k.p theory applied to DMS devices. 2004, Anais.. Cancún: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2004. . Acesso em: 19 set. 2024.
APA
Sipahi, G. M., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Lima, I. C. C. (2004). Spin-polarized k.p theory applied to DMS devices. In Program and Abstracts. Cancún: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Lima ICC. Spin-polarized k.p theory applied to DMS devices. Program and Abstracts. 2004 ;[citado 2024 set. 19 ]
Vancouver
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Lima ICC. Spin-polarized k.p theory applied to DMS devices. Program and Abstracts. 2004 ;[citado 2024 set. 19 ]
Artigo de periodico
The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot (2004)
Rodríguez Coppola, H; Tutor Sánchez, J; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; García Moliner, F
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, MICROELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRÍGUEZ COPPOLA, H et al. The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot. Microelectronics Journal, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2003.10.005. Acesso em: 19 set. 2024.
APA
Rodríguez Coppola, H., Tutor Sánchez, J., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., & García Moliner, F. (2004). The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot. Microelectronics Journal. doi:10.1016/j.mejo.2003.10.005
NLM
Rodríguez Coppola H, Tutor Sánchez J, Leite JR, Scolfaro LMR, García Moliner F. The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2024 set. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2003.10.005
Vancouver
Rodríguez Coppola H, Tutor Sánchez J, Leite JR, Scolfaro LMR, García Moliner F. The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2024 set. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2003.10.005
Trabalho de evento-resumo
Full relativistic and spin-orbit effects oh the SrTi'O IND. 3' band structure and optical properties in its tetragonal phase (2004)
Garcia, Joelson Cott; Lino, A T; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Freire, V N; Faria, G A
Source: Program. Conference titles: Encontro da SBPMat. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GARCIA, Joelson Cott et al. Full relativistic and spin-orbit effects oh the SrTi'O IND. 3' band structure and optical properties in its tetragonal phase. 2004, Anais.. São Carlos: SBPMat, 2004. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_f.pdf. Acesso em: 19 set. 2024.
APA
Garcia, J. C., Lino, A. T., Scolfaro, L. M. R., Freire, V. N., & Faria, G. A. (2004). Full relativistic and spin-orbit effects oh the SrTi'O IND. 3' band structure and optical properties in its tetragonal phase. In Program. São Carlos: SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_f.pdf
NLM
Garcia JC, Lino AT, Scolfaro LMR, Freire VN, Faria GA. Full relativistic and spin-orbit effects oh the SrTi'O IND. 3' band structure and optical properties in its tetragonal phase [Internet]. Program. 2004 ;[citado 2024 set. 19 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_f.pdf
Vancouver
Garcia JC, Lino AT, Scolfaro LMR, Freire VN, Faria GA. Full relativistic and spin-orbit effects oh the SrTi'O IND. 3' band structure and optical properties in its tetragonal phase [Internet]. Program. 2004 ;[citado 2024 set. 19 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_f.pdf
Artigo de periodico
Charge and spin distributions in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As/GaAs ferromagnetic multilayers (2004)
Rodrigues, S C P; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Lima, I C C; Sipahi, Guilherme Matos; Boselli, M A
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: FERROMAGNETISMO, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Charge and spin distributions in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As/GaAs ferromagnetic multilayers. Physical Review B, 2004Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000070000016165308000001&idtype=cvips. Acesso em: 19 set. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Lima, I. C. C., Sipahi, G. M., & Boselli, M. A. (2004). Charge and spin distributions in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As/GaAs ferromagnetic multilayers. Physical Review B. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000070000016165308000001&idtype=cvips
NLM
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Lima ICC, Sipahi GM, Boselli MA. Charge and spin distributions in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As/GaAs ferromagnetic multilayers [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2024 set. 19 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000070000016165308000001&idtype=cvips
Vancouver
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Lima ICC, Sipahi GM, Boselli MA. Charge and spin distributions in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As/GaAs ferromagnetic multilayers [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2024 set. 19 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000070000016165308000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
Efeito de carga imagem em Poços Quânticos Si/SrTi/O IND. 3 e Si/Hf'O IND. 2' (2004)
Pereira, T. A. S; Caetano, E. W. S; Freire, J. A. K; Freire, V. N; Farias, G. A; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PEREIRA, T. A. S et al. Efeito de carga imagem em Poços Quânticos Si/SrTi/O IND. 3 e Si/Hf'O IND. 2'. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0747-2.pdf. Acesso em: 19 set. 2024.
APA
Pereira, T. A. S., Caetano, E. W. S., Freire, J. A. K., Freire, V. N., Farias, G. A., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2004). Efeito de carga imagem em Poços Quânticos Si/SrTi/O IND. 3 e Si/Hf'O IND. 2'. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0747-2.pdf
NLM
Pereira TAS, Caetano EWS, Freire JAK, Freire VN, Farias GA, Scolfaro LMR, Leite JR. Efeito de carga imagem em Poços Quânticos Si/SrTi/O IND. 3 e Si/Hf'O IND. 2' [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 set. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0747-2.pdf
Vancouver
Pereira TAS, Caetano EWS, Freire JAK, Freire VN, Farias GA, Scolfaro LMR, Leite JR. Efeito de carga imagem em Poços Quânticos Si/SrTi/O IND. 3 e Si/Hf'O IND. 2' [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 set. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0747-2.pdf
Trabalho de evento-resumo
Electronic properties of GaMnAs/GaAs ferromagnetic multilayers (2004)
Rodrigues, Sara C. P.; Sipahi, Guilherme Matos; Lima, Ivan C. da Cunha; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Workshop on Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials - NanoSemiMat-3. Unidades: IFSC, IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
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ABNT
RODRIGUES, Sara C. P. et al. Electronic properties of GaMnAs/GaAs ferromagnetic multilayers. 2004, Anais.. Salvador: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2004. . Acesso em: 19 set. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Lima, I. C. da C., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2004). Electronic properties of GaMnAs/GaAs ferromagnetic multilayers. In Resumos. Salvador: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Lima IC da C, Scolfaro LMR, Leite JR. Electronic properties of GaMnAs/GaAs ferromagnetic multilayers. Resumos. 2004 ;[citado 2024 set. 19 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Lima IC da C, Scolfaro LMR, Leite JR. Electronic properties of GaMnAs/GaAs ferromagnetic multilayers. Resumos. 2004 ;[citado 2024 set. 19 ]
Trabalho de evento-resumo
Strain effects on the vibrational modes of III-nitrides (2004)
Alves, H W Leite; Alves, J L A; Santos, A M; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
ALVES, H W Leite et al. Strain effects on the vibrational modes of III-nitrides. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0125-2.pdf. Acesso em: 19 set. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Santos, A. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2004). Strain effects on the vibrational modes of III-nitrides. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0125-2.pdf
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Santos AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Strain effects on the vibrational modes of III-nitrides [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 set. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0125-2.pdf
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Santos AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Strain effects on the vibrational modes of III-nitrides [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 set. 19 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0125-2.pdf
Artigo de periodico
Charge and spin distribution in ferromagnetic Mn-doped InGaAs/GaAs multilayers (2004)
Sipahi, Guilherme Matos; Rodrigues, S. C. P.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Lima, I. C. da Cunha
Source: Applied Physics Letters. Unidades: IFSC, IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Charge and spin distribution in ferromagnetic Mn-doped InGaAs/GaAs multilayers. Applied Physics Letters, v. 85, n. 25, p. 6209-6211, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1840121. Acesso em: 19 set. 2024.
APA
Sipahi, G. M., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., & Lima, I. C. da C. (2004). Charge and spin distribution in ferromagnetic Mn-doped InGaAs/GaAs multilayers. Applied Physics Letters, 85( 25), 6209-6211. doi:10.1063/1.1840121
NLM
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima IC da C. Charge and spin distribution in ferromagnetic Mn-doped InGaAs/GaAs multilayers [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 25): 6209-6211.[citado 2024 set. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1840121
Vancouver
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima IC da C. Charge and spin distribution in ferromagnetic Mn-doped InGaAs/GaAs multilayers [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 25): 6209-6211.[citado 2024 set. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1840121
Trabalho de evento-resumo
Full-relativistic calculations of the optical properties and carrier effective masses of Zr'O IND. 2' monoclinic, tetragonal and cubic (2004)
Garcia, J C; Lino, A T; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Freire, V N; Farias, G A
Source: Program. Conference titles: Encontro da SBPMat. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
GARCIA, J C et al. Full-relativistic calculations of the optical properties and carrier effective masses of Zr'O IND. 2' monoclinic, tetragonal and cubic. 2004, Anais.. São Carlos: SBPMat, 2004. Disponível em: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_f.pdf. Acesso em: 19 set. 2024.
APA
Garcia, J. C., Lino, A. T., Scolfaro, L. M. R., Freire, V. N., & Farias, G. A. (2004). Full-relativistic calculations of the optical properties and carrier effective masses of Zr'O IND. 2' monoclinic, tetragonal and cubic. In Program. São Carlos: SBPMat. Recuperado de http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_f.pdf
NLM
Garcia JC, Lino AT, Scolfaro LMR, Freire VN, Farias GA. Full-relativistic calculations of the optical properties and carrier effective masses of Zr'O IND. 2' monoclinic, tetragonal and cubic [Internet]. Program. 2004 ;[citado 2024 set. 19 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_f.pdf
Vancouver
Garcia JC, Lino AT, Scolfaro LMR, Freire VN, Farias GA. Full-relativistic calculations of the optical properties and carrier effective masses of Zr'O IND. 2' monoclinic, tetragonal and cubic [Internet]. Program. 2004 ;[citado 2024 set. 19 ] Available from: http://www.sbpmat.org.br/3meeting/simposio_f.pdf
Artigo de periodico
First-principles materials study for spintronics: MnAs and MnN (2004)
Paiva, R de; Alves, J L A; Nogueira, R A; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAIVA, R de et al. First-principles materials study for spintronics: MnAs and MnN. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400008. Acesso em: 19 set. 2024.
APA
Paiva, R. de, Alves, J. L. A., Nogueira, R. A., Leite, J. R., & Scolfaro, L. M. R. (2004). First-principles materials study for spintronics: MnAs and MnN. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000400008
NLM
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Leite JR, Scolfaro LMR. First-principles materials study for spintronics: MnAs and MnN [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 set. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400008
Vancouver
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Leite JR, Scolfaro LMR. First-principles materials study for spintronics: MnAs and MnN [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 set. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400008
Artigo de periodico
Strain-induced shifts of the zone-center phonons of III-nitrides (2004)
Alves, H W Leite; Alves, J L A; Santos, A M; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, EFEITO MOSSBAUER
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, H W Leite et al. Strain-induced shifts of the zone-center phonons of III-nitrides. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400041. Acesso em: 19 set. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Santos, A. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2004). Strain-induced shifts of the zone-center phonons of III-nitrides. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000400041
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Santos AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Strain-induced shifts of the zone-center phonons of III-nitrides [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 set. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400041
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Santos AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Strain-induced shifts of the zone-center phonons of III-nitrides [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 set. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400041

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