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Trabalho de evento-anais periodico
Tuning of the Landé g-factor in 'AL' IND. x''GA' IND. 1−x''AS'/'AL''AS' single and double quantum wells (2013)
Hernández, Felix Guillermo Gonzales; Bakarov, A. K.; Gusev, Gennady
Source: Journal of Physics Conference Series. Conference titles: INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE APPLICATION OF HIGH MAGNETIC FIELDS IN SEMICONDUCTOR PHYSICS (HMF-20). Unidade: IF
Subjects: SPIN, SEMICONDUTORES
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ABNT
HERNÁNDEZ, Felix Guillermo Gonzales e BAKAROV, A. K. e GUSEV, Gennady. Tuning of the Landé g-factor in 'AL' IND. x''GA' IND. 1−x''AS'/'AL''AS' single and double quantum wells. Journal of Physics Conference Series. Bristol: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://iopscience.iop.org/1742-6596/456/1/012015/. Acesso em: 07 ago. 2024. , 2013
APA
Hernández, F. G. G., Bakarov, A. K., & Gusev, G. (2013). Tuning of the Landé g-factor in 'AL' IND. x''GA' IND. 1−x''AS'/'AL''AS' single and double quantum wells. Journal of Physics Conference Series. Bristol: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://iopscience.iop.org/1742-6596/456/1/012015/
NLM
Hernández FGG, Bakarov AK, Gusev G. Tuning of the Landé g-factor in 'AL' IND. x''GA' IND. 1−x''AS'/'AL''AS' single and double quantum wells [Internet]. Journal of Physics Conference Series. 2013 ; 456 UNSP 012015.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: http://iopscience.iop.org/1742-6596/456/1/012015/
Vancouver
Hernández FGG, Bakarov AK, Gusev G. Tuning of the Landé g-factor in 'AL' IND. x''GA' IND. 1−x''AS'/'AL''AS' single and double quantum wells [Internet]. Journal of Physics Conference Series. 2013 ; 456 UNSP 012015.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: http://iopscience.iop.org/1742-6596/456/1/012015/
Curadoria
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 16 (2013)
Sipahi, Guilherme Matos (cur); Caldas, Marília Junqueira (cur); Pusep, Yuri A. (cur); Egues, José Carlos (cur)
Unidades: IFSC, IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FÍSICA TEÓRICA
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ABNT
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 16. . São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. . Acesso em: 07 ago. 2024. , 2013
APA
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 16. (2013). Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 16. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC.
NLM
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 16. 2013 ;[citado 2024 ago. 07 ]
Vancouver
Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 16. 2013 ;[citado 2024 ago. 07 ]
Artigo de periodico
Carrier-mediated magnetism in transition metal doped 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' topological insulator (2013)
Schmidt, Tome M.; Miwa, R. H.; Fazzio, Adalberto
Source: JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO
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ABNT
SCHMIDT, Tome M. e MIWA, R. H. e FAZZIO, Adalberto. Carrier-mediated magnetism in transition metal doped 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' topological insulator. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, v. no 2013, n. 44, p. 445003, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/25/44/445003. Acesso em: 07 ago. 2024.
APA
Schmidt, T. M., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2013). Carrier-mediated magnetism in transition metal doped 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' topological insulator. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, no 2013( 44), 445003. doi:10.1088/0953-8984/25/44/445003
NLM
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Carrier-mediated magnetism in transition metal doped 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' topological insulator [Internet]. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER. 2013 ; no 2013( 44): 445003.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/25/44/445003
Vancouver
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Carrier-mediated magnetism in transition metal doped 'BI' IND. 2''SE' IND. 3' topological insulator [Internet]. JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER. 2013 ; no 2013( 44): 445003.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/25/44/445003
Artigo de periodico
Theoretical study of the influence of vacancies in the magnetic stability of 'V'-, 'CR'-, and 'MN'-doped 'SN'O IND.2' (2013)
Borges, Pablo D.; Scolfaro, Luisa M.R.; Alves, Horácio W. Leite; Silva Jr., Eronides F. da Silva; Assali, L. V. C.
Source: Applied Surface Science. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
BORGES, Pablo D. et al. Theoretical study of the influence of vacancies in the magnetic stability of 'V'-, 'CR'-, and 'MN'-doped 'SN'O IND.2'. Applied Surface Science, v. fe2013, p. 115-118, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2012.08.096. Acesso em: 07 ago. 2024.
APA
Borges, P. D., Scolfaro, L. M. R., Alves, H. W. L., Silva Jr., E. F. da S., & Assali, L. V. C. (2013). Theoretical study of the influence of vacancies in the magnetic stability of 'V'-, 'CR'-, and 'MN'-doped 'SN'O IND.2'. Applied Surface Science, fe2013, 115-118. doi:10.1016/j.apsusc.2012.08.096
NLM
Borges PD, Scolfaro LMR, Alves HWL, Silva Jr. EF da S, Assali LVC. Theoretical study of the influence of vacancies in the magnetic stability of 'V'-, 'CR'-, and 'MN'-doped 'SN'O IND.2' [Internet]. Applied Surface Science. 2013 ; fe2013 115-118.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2012.08.096
Vancouver
Borges PD, Scolfaro LMR, Alves HWL, Silva Jr. EF da S, Assali LVC. Theoretical study of the influence of vacancies in the magnetic stability of 'V'-, 'CR'-, and 'MN'-doped 'SN'O IND.2' [Internet]. Applied Surface Science. 2013 ; fe2013 115-118.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2012.08.096
Tese (Doutorado)
Caracterização estrutural e magnética de amostras de c-GaN implantadas com Fe, Mn e Cu (2013)
Righetti, Victor Augusto Nieto; Chitta, Valmir Antonio (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO, FENÔMENOS MAGNÉTICOS, ESPECTROSCOPIA ÓPTICA
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ABNT
RIGHETTI, Victor Augusto Nieto. Caracterização estrutural e magnética de amostras de c-GaN implantadas com Fe, Mn e Cu. 2013. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2013. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-04112014-140905/. Acesso em: 07 ago. 2024.
APA
Righetti, V. A. N. (2013). Caracterização estrutural e magnética de amostras de c-GaN implantadas com Fe, Mn e Cu (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-04112014-140905/
NLM
Righetti VAN. Caracterização estrutural e magnética de amostras de c-GaN implantadas com Fe, Mn e Cu [Internet]. 2013 ;[citado 2024 ago. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-04112014-140905/
Vancouver
Righetti VAN. Caracterização estrutural e magnética de amostras de c-GaN implantadas com Fe, Mn e Cu [Internet]. 2013 ;[citado 2024 ago. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-04112014-140905/
Trabalho de evento-resumo
Tunable phase in the spin coherence generation of self-assembled (In,Ga)As quantum dots (2013)
Cordeiro, R C; Vargas, C B; Henriques, André Bohomoletz; Maia, A D B; Quivy, Alain Andre; Koenraad, P M; Bayer, M
Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, MATERIAIS MAGNÉTICOS, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
CORDEIRO, R C et al. Tunable phase in the spin coherence generation of self-assembled (In,Ga)As quantum dots. 2013, Anais.. São Carlos: UFSCar, 2013. Disponível em: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=115. Acesso em: 07 ago. 2024.
APA
Cordeiro, R. C., Vargas, C. B., Henriques, A. B., Maia, A. D. B., Quivy, A. A., Koenraad, P. M., & Bayer, M. (2013). Tunable phase in the spin coherence generation of self-assembled (In,Ga)As quantum dots. In . São Carlos: UFSCar. Recuperado de http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=115
NLM
Cordeiro RC, Vargas CB, Henriques AB, Maia ADB, Quivy AA, Koenraad PM, Bayer M. Tunable phase in the spin coherence generation of self-assembled (In,Ga)As quantum dots [Internet]. 2013 ;[citado 2024 ago. 07 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=115
Vancouver
Cordeiro RC, Vargas CB, Henriques AB, Maia ADB, Quivy AA, Koenraad PM, Bayer M. Tunable phase in the spin coherence generation of self-assembled (In,Ga)As quantum dots [Internet]. 2013 ;[citado 2024 ago. 07 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=115
Artigo de periodico
Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices (2013)
Caroena, G; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, L. V. C. ; Justo Filho, João Francisco
Source: Applied Physics Letters. Unidades: EP, IF
Subjects: SEMICONDUTORES, SPINTRÔNICA
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ABNT
CAROENA, G et al. Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices. Applied Physics Letters, v. 102, n. 6, p. 062101, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4791787. Acesso em: 07 ago. 2024.
APA
Caroena, G., Machado, W. V. M., Assali, L. V. C., & Justo Filho, J. F. (2013). Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices. Applied Physics Letters, 102( 6), 062101. doi:10.1063/1.4791787
NLM
Caroena G, Machado WVM, Assali LVC, Justo Filho JF. Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices [Internet]. Applied Physics Letters. 2013 ; 102( 6): 062101.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4791787
Vancouver
Caroena G, Machado WVM, Assali LVC, Justo Filho JF. Lanthanide impurities in wide bandgap semiconductors: a possible roadmap for spintronic devices [Internet]. Applied Physics Letters. 2013 ; 102( 6): 062101.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4791787
Artigo de periodico
Study of indium nitride and indium oxynitride band gaps (2013)
Sparvoli, Marina; Mansano, Ronaldo Domingues ; Chubaci, José Fernando Diniz
Source: MATERIALS RESEARCH-IBERO-AMERICAN JOURNAL OF MATERIALS. Unidades: EP, IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
SPARVOLI, Marina e MANSANO, Ronaldo Domingues e CHUBACI, José Fernando Diniz. Study of indium nitride and indium oxynitride band gaps. MATERIALS RESEARCH-IBERO-AMERICAN JOURNAL OF MATERIALS, v. 16, n. 4, p. 850-852, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/S1516-14392013005000063. Acesso em: 07 ago. 2024.
APA
Sparvoli, M., Mansano, R. D., & Chubaci, J. F. D. (2013). Study of indium nitride and indium oxynitride band gaps. MATERIALS RESEARCH-IBERO-AMERICAN JOURNAL OF MATERIALS, 16( 4), 850-852. doi:10.1590/S1516-14392013005000063
NLM
Sparvoli M, Mansano RD, Chubaci JFD. Study of indium nitride and indium oxynitride band gaps [Internet]. MATERIALS RESEARCH-IBERO-AMERICAN JOURNAL OF MATERIALS. 2013 ; 16( 4): 850-852.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1590/S1516-14392013005000063
Vancouver
Sparvoli M, Mansano RD, Chubaci JFD. Study of indium nitride and indium oxynitride band gaps [Internet]. MATERIALS RESEARCH-IBERO-AMERICAN JOURNAL OF MATERIALS. 2013 ; 16( 4): 850-852.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1590/S1516-14392013005000063
Trabalho de evento-resumo
Mid-gap states and Kondo effect in disordered graphene (2013)
Miranda, Vladimir G; Silva, Luis Gregório Dias da; Lewenkopf, Caio Henrique
Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, GRAFENO, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MIRANDA, Vladimir G e SILVA, Luis Gregório Dias da e LEWENKOPF, Caio Henrique. Mid-gap states and Kondo effect in disordered graphene. 2013, Anais.. São Carlos: UFSCar, 2013. Disponível em: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=26. Acesso em: 07 ago. 2024.
APA
Miranda, V. G., Silva, L. G. D. da, & Lewenkopf, C. H. (2013). Mid-gap states and Kondo effect in disordered graphene. In . São Carlos: UFSCar. Recuperado de http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=26
NLM
Miranda VG, Silva LGD da, Lewenkopf CH. Mid-gap states and Kondo effect in disordered graphene [Internet]. 2013 ;[citado 2024 ago. 07 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=26
Vancouver
Miranda VG, Silva LGD da, Lewenkopf CH. Mid-gap states and Kondo effect in disordered graphene [Internet]. 2013 ;[citado 2024 ago. 07 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=26
Trabalho de evento-resumo
Microwave-induced magnetooscillatons in multilayer systems: Double and Triple quantum wells (2013)
Gusev, G M
Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUSEV, G M. Microwave-induced magnetooscillatons in multilayer systems: Double and Triple quantum wells. 2013, Anais.. São Carlos: UFSCar, 2013. Disponível em: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=2. Acesso em: 07 ago. 2024.
APA
Gusev, G. M. (2013). Microwave-induced magnetooscillatons in multilayer systems: Double and Triple quantum wells. In . São Carlos: UFSCar. Recuperado de http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=2
NLM
Gusev GM. Microwave-induced magnetooscillatons in multilayer systems: Double and Triple quantum wells [Internet]. 2013 ;[citado 2024 ago. 07 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=2
Vancouver
Gusev GM. Microwave-induced magnetooscillatons in multilayer systems: Double and Triple quantum wells [Internet]. 2013 ;[citado 2024 ago. 07 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=2
Artigo de periodico
Hydrogen influence on the electrical properties of sputtered 'IN''N' thin films (2013)
Sparvoli, Marina ; Mansano, Ronaldo Domingues ; Chubaci, José Fernando Diniz
Source: PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE. Unidades: EP, IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SPARVOLI, Marina e MANSANO, Ronaldo Domingues e CHUBACI, José Fernando Diniz. Hydrogen influence on the electrical properties of sputtered 'IN''N' thin films. PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, v. 210, n. 8, p. 1606-1611, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/pssa.201228477. Acesso em: 07 ago. 2024.
APA
Sparvoli, M., Mansano, R. D., & Chubaci, J. F. D. (2013). Hydrogen influence on the electrical properties of sputtered 'IN''N' thin films. PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 210( 8), 1606-1611. doi:10.1002/pssa.201228477
NLM
Sparvoli M, Mansano RD, Chubaci JFD. Hydrogen influence on the electrical properties of sputtered 'IN''N' thin films [Internet]. PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE. 2013 ; 210( 8): 1606-1611.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssa.201228477
Vancouver
Sparvoli M, Mansano RD, Chubaci JFD. Hydrogen influence on the electrical properties of sputtered 'IN''N' thin films [Internet]. PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE. 2013 ; 210( 8): 1606-1611.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssa.201228477
Artigo de periodico
Combined LDA and LDA-1/2 method to obtain defect formation energies in large silicon supercells (2013)
Matusalem, Filipe; Ribeiro, Mauro; Marques, Marcelo; Pela, Ronaldo R.; Teles, Lara K.; Ferreira, Luiz Guimarães
Source: Optics Express. Unidade: IF
Subjects: MOLÉCULA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MATUSALEM, Filipe et al. Combined LDA and LDA-1/2 method to obtain defect formation energies in large silicon supercells. Optics Express, v. 88, n. 22, p. 224102, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.88.224102. Acesso em: 07 ago. 2024.
APA
Matusalem, F., Ribeiro, M., Marques, M., Pela, R. R., Teles, L. K., & Ferreira, L. G. (2013). Combined LDA and LDA-1/2 method to obtain defect formation energies in large silicon supercells. Optics Express, 88( 22), 224102. doi:10.1103/PhysRevB.88.224102
NLM
Matusalem F, Ribeiro M, Marques M, Pela RR, Teles LK, Ferreira LG. Combined LDA and LDA-1/2 method to obtain defect formation energies in large silicon supercells [Internet]. Optics Express. 2013 ; 88( 22): 224102.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.88.224102
Vancouver
Matusalem F, Ribeiro M, Marques M, Pela RR, Teles LK, Ferreira LG. Combined LDA and LDA-1/2 method to obtain defect formation energies in large silicon supercells [Internet]. Optics Express. 2013 ; 88( 22): 224102.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.88.224102
Artigo de periodico
Observation of the intrinsic spin Hall effect in a two-dimensional electron gas (2013)
Hernandez, Felix Guillermo Gonzalez ; Bakarov, A. K.; Nunes, Leonardo Martins; Gusev, Guennadii
Source: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF
Subjects: CAMPO MAGNÉTICO, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HERNANDEZ, Felix Guillermo Gonzalez et al. Observation of the intrinsic spin Hall effect in a two-dimensional electron gas. PHYSICAL REVIEW B, v. 88, n. 16, p. 161305, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.88.161305. Acesso em: 07 ago. 2024.
APA
Hernandez, F. G. G., Bakarov, A. K., Nunes, L. M., & Gusev, G. (2013). Observation of the intrinsic spin Hall effect in a two-dimensional electron gas. PHYSICAL REVIEW B, 88( 16), 161305. doi:10.1103/PhysRevB.88.161305
NLM
Hernandez FGG, Bakarov AK, Nunes LM, Gusev G. Observation of the intrinsic spin Hall effect in a two-dimensional electron gas [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2013 ; 88( 16): 161305.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.88.161305
Vancouver
Hernandez FGG, Bakarov AK, Nunes LM, Gusev G. Observation of the intrinsic spin Hall effect in a two-dimensional electron gas [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2013 ; 88( 16): 161305.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.88.161305
Artigo de periodico
First-principles study of group III impurity doped 'PB''SE': bulk and nanowire (2013)
Wrasse, E O; Baierle, R. J.; Schmidt, T. M.; Fazzio, Adalberto
Source: PHYSICAL REVIEW B. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
WRASSE, E O et al. First-principles study of group III impurity doped 'PB''SE': bulk and nanowire. PHYSICAL REVIEW B, v. fe2013, n. 8, p. 085428, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.87.085428. Acesso em: 07 ago. 2024.
APA
Wrasse, E. O., Baierle, R. J., Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (2013). First-principles study of group III impurity doped 'PB''SE': bulk and nanowire. PHYSICAL REVIEW B, fe2013( 8), 085428. doi:10.1103/PhysRevB.87.085428
NLM
Wrasse EO, Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. First-principles study of group III impurity doped 'PB''SE': bulk and nanowire [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2013 ; fe2013( 8): 085428.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.87.085428
Vancouver
Wrasse EO, Baierle RJ, Schmidt TM, Fazzio A. First-principles study of group III impurity doped 'PB''SE': bulk and nanowire [Internet]. PHYSICAL REVIEW B. 2013 ; fe2013( 8): 085428.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.87.085428
Trabalho de evento-resumo
Circularly polarized photoluminescence as a probe of the spin polarization in GaAs/AlGaAs quantum Hall bilayers (2013)
Santos, L. Fernandes dos; Pusep, Yuri A; Villegas-Lelovsky, L.; Lopez-Richard, V.; Marques, G. E.; Gusev, Guennadii Mikhailovich; Smirnov, D.; Bakarov, A. K.
Source: Abstract Book. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidades: IFSC, IF
Subjects: SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, L. Fernandes dos et al. Circularly polarized photoluminescence as a probe of the spin polarization in GaAs/AlGaAs quantum Hall bilayers. 2013, Anais.. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2013. Disponível em: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/www.bwsp16.ifsc.usp.br/downloads/AbstractBook16thBWSP.pdf. Acesso em: 07 ago. 2024.
APA
Santos, L. F. dos, Pusep, Y. A., Villegas-Lelovsky, L., Lopez-Richard, V., Marques, G. E., Gusev, G. M., et al. (2013). Circularly polarized photoluminescence as a probe of the spin polarization in GaAs/AlGaAs quantum Hall bilayers. In Abstract Book. São Carlos: Instituto de Física de São Carlos - IFSC. Recuperado de http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/www.bwsp16.ifsc.usp.br/downloads/AbstractBook16thBWSP.pdf
NLM
Santos LF dos, Pusep YA, Villegas-Lelovsky L, Lopez-Richard V, Marques GE, Gusev GM, Smirnov D, Bakarov AK. Circularly polarized photoluminescence as a probe of the spin polarization in GaAs/AlGaAs quantum Hall bilayers [Internet]. Abstract Book. 2013 ;[citado 2024 ago. 07 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/www.bwsp16.ifsc.usp.br/downloads/AbstractBook16thBWSP.pdf
Vancouver
Santos LF dos, Pusep YA, Villegas-Lelovsky L, Lopez-Richard V, Marques GE, Gusev GM, Smirnov D, Bakarov AK. Circularly polarized photoluminescence as a probe of the spin polarization in GaAs/AlGaAs quantum Hall bilayers [Internet]. Abstract Book. 2013 ;[citado 2024 ago. 07 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/www.bwsp16.ifsc.usp.br/downloads/AbstractBook16thBWSP.pdf
Trabalho de evento-resumo
Recent Progress on LDA-1/2 method for gap correction (2013)
Teles, Lara K; Marques, M; Pelá, R R; Ribeiro Junior, M; Ferreira, Luiz Guimarães
Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, MATERIAIS MAGNÉTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TELES, Lara K et al. Recent Progress on LDA-1/2 method for gap correction. 2013, Anais.. São Carlos: UFSCar, 2013. Disponível em: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=9. Acesso em: 07 ago. 2024.
APA
Teles, L. K., Marques, M., Pelá, R. R., Ribeiro Junior, M., & Ferreira, L. G. (2013). Recent Progress on LDA-1/2 method for gap correction. In . São Carlos: UFSCar. Recuperado de http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=9
NLM
Teles LK, Marques M, Pelá RR, Ribeiro Junior M, Ferreira LG. Recent Progress on LDA-1/2 method for gap correction [Internet]. 2013 ;[citado 2024 ago. 07 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=9
Vancouver
Teles LK, Marques M, Pelá RR, Ribeiro Junior M, Ferreira LG. Recent Progress on LDA-1/2 method for gap correction [Internet]. 2013 ;[citado 2024 ago. 07 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=9
Trabalho de evento-resumo
Estimate of the photoinduced magnetic polaron radius in EuTe (2013)
Moraes, Flavio Compopiano Dias de; Cordeiro, R C; Henriques, André Bohomoletz; Meaney, A J; Christianen, P M; Rappl, P H O; Abramof, E
Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, MATERIAIS MAGNÉTICOS, MÉTODO DE MONTE CARLO
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ABNT
MORAES, Flavio Compopiano Dias de et al. Estimate of the photoinduced magnetic polaron radius in EuTe. 2013, Anais.. São Carlos: UFSCar, 2013. Disponível em: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=126. Acesso em: 07 ago. 2024.
APA
Moraes, F. C. D. de, Cordeiro, R. C., Henriques, A. B., Meaney, A. J., Christianen, P. M., Rappl, P. H. O., & Abramof, E. (2013). Estimate of the photoinduced magnetic polaron radius in EuTe. In . São Carlos: UFSCar. Recuperado de http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=126
NLM
Moraes FCD de, Cordeiro RC, Henriques AB, Meaney AJ, Christianen PM, Rappl PHO, Abramof E. Estimate of the photoinduced magnetic polaron radius in EuTe [Internet]. 2013 ;[citado 2024 ago. 07 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=126
Vancouver
Moraes FCD de, Cordeiro RC, Henriques AB, Meaney AJ, Christianen PM, Rappl PHO, Abramof E. Estimate of the photoinduced magnetic polaron radius in EuTe [Internet]. 2013 ;[citado 2024 ago. 07 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=126
Trabalho de evento-resumo
Electronic and magnetic properties of rare-earth impurities in ZnO and GaN (2013)
Caroena, Glaura; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C.
Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidades: IF, EP
Subjects: SEMICONDUTORES, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
CAROENA, Glaura et al. Electronic and magnetic properties of rare-earth impurities in ZnO and GaN. 2013, Anais.. São Carlos: UFSCar, 2013. Disponível em: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=175. Acesso em: 07 ago. 2024.
APA
Caroena, G., Machado, W. V. M., Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2013). Electronic and magnetic properties of rare-earth impurities in ZnO and GaN. In . São Carlos: UFSCar. Recuperado de http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=175
NLM
Caroena G, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. Electronic and magnetic properties of rare-earth impurities in ZnO and GaN [Internet]. 2013 ;[citado 2024 ago. 07 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=175
Vancouver
Caroena G, Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. Electronic and magnetic properties of rare-earth impurities in ZnO and GaN [Internet]. 2013 ;[citado 2024 ago. 07 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=175
Artigo de periodico
All-out band structure and band offset ab initio predictions for AlN/GaN and AlP/GaP interfaces (2013)
Silva Filho, O. P.; Ribeiro, M., Jr.; Pela, R. R.; Teles, L. K.; Marques, M.; Ferreira, Luiz Guimarães
Source: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. Unidade: IF
Subjects: ESPECTROMETRIA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA FILHO, O. P. et al. All-out band structure and band offset ab initio predictions for AlN/GaN and AlP/GaP interfaces. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, v. 114, n. 3, p. 033709 , 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4812493. Acesso em: 07 ago. 2024.
APA
Silva Filho, O. P., Ribeiro, M., Pela, R. R., Teles, L. K., Marques, M., & Ferreira, L. G. (2013). All-out band structure and band offset ab initio predictions for AlN/GaN and AlP/GaP interfaces. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 114( 3), 033709 . doi:10.1063/1.4812493
NLM
Silva Filho OP, Ribeiro M, Pela RR, Teles LK, Marques M, Ferreira LG. All-out band structure and band offset ab initio predictions for AlN/GaN and AlP/GaP interfaces [Internet]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2013 ; 114( 3): 033709 .[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4812493
Vancouver
Silva Filho OP, Ribeiro M, Pela RR, Teles LK, Marques M, Ferreira LG. All-out band structure and band offset ab initio predictions for AlN/GaN and AlP/GaP interfaces [Internet]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2013 ; 114( 3): 033709 .[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4812493
Artigo de periodico
Self-assembly of compositionally modulated 'GA' IND. 1−x''MN' IND. x''AS' multilayers during molecular beam epitaxy (2013)
Gallardo-Hernandez, S.; Martinez-Velis, I.; Ramirez-Lopez, M.; Lopez-Lopez, M.; Kudriatsev, Y.; Escobosa-Echavarria, A.; Morelhão, Sergio Luiz
Source: APPLIED PHYSICS LETTERS. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, RAIOS X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GALLARDO-HERNANDEZ, S. et al. Self-assembly of compositionally modulated 'GA' IND. 1−x''MN' IND. x''AS' multilayers during molecular beam epitaxy. APPLIED PHYSICS LETTERS, v. no2013, n. 19, p. 192113, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4829922. Acesso em: 07 ago. 2024.
APA
Gallardo-Hernandez, S., Martinez-Velis, I., Ramirez-Lopez, M., Lopez-Lopez, M., Kudriatsev, Y., Escobosa-Echavarria, A., & Morelhão, S. L. (2013). Self-assembly of compositionally modulated 'GA' IND. 1−x''MN' IND. x''AS' multilayers during molecular beam epitaxy. APPLIED PHYSICS LETTERS, no2013( 19), 192113. doi:10.1063/1.4829922
NLM
Gallardo-Hernandez S, Martinez-Velis I, Ramirez-Lopez M, Lopez-Lopez M, Kudriatsev Y, Escobosa-Echavarria A, Morelhão SL. Self-assembly of compositionally modulated 'GA' IND. 1−x''MN' IND. x''AS' multilayers during molecular beam epitaxy [Internet]. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2013 ; no2013( 19): 192113.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4829922
Vancouver
Gallardo-Hernandez S, Martinez-Velis I, Ramirez-Lopez M, Lopez-Lopez M, Kudriatsev Y, Escobosa-Echavarria A, Morelhão SL. Self-assembly of compositionally modulated 'GA' IND. 1−x''MN' IND. x''AS' multilayers during molecular beam epitaxy [Internet]. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2013 ; no2013( 19): 192113.[citado 2024 ago. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4829922

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