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  • Artigo de periodico

    Modelagem e validação experimental de um atuador baseado em liga de memória de forma (2008)

    Romano, Roberto; Tannuri, Eduardo Aoun

    Fonte: Revista Controle & Automação. Unidade: EP

    Assuntos: LIGAS METÁLICAS, MODELOS MATEMÁTICOS, ROBÓTICA

    PrivadoAcesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      ROMANO, Roberto e TANNURI, Eduardo Aoun. Modelagem e validação experimental de um atuador baseado em liga de memória de forma. Revista Controle & Automação, v. 19, n. 1, p. 30-42, 2008Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-17592008000100003. Acesso em: 05 ago. 2024.

    • APA

      Romano, R., & Tannuri, E. A. (2008). Modelagem e validação experimental de um atuador baseado em liga de memória de forma. Revista Controle & Automação, 19( 1), 30-42. doi:10.1590/s0103-17592008000100003

    • NLM

      Romano R, Tannuri EA. Modelagem e validação experimental de um atuador baseado em liga de memória de forma [Internet]. Revista Controle & Automação. 2008 ;19( 1): 30-42.[citado 2024 ago. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-17592008000100003

    • Vancouver

      Romano R, Tannuri EA. Modelagem e validação experimental de um atuador baseado em liga de memória de forma [Internet]. Revista Controle & Automação. 2008 ;19( 1): 30-42.[citado 2024 ago. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-17592008000100003

  • Artigo de periodico

    Sn 'O IND.2' extended gate field-effect transistor as pH sensor (2006)

    Batista, P. D.; Graeff, Carlos Frederico de Oliveira; Ramírez Fernandez, Francisco Javier ; Marques, F. das C.

    Fonte: Brazilian Journal of Physics. Unidades: FFCLRP, EP

    Assuntos: TRANSISTORES, SENSORES BIOMÉDICOS

    Como citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      BATISTA, P. D. et al. Sn 'O IND.2' extended gate field-effect transistor as pH sensor. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 2A, p. 478-481, 2006Tradução . . Acesso em: 05 ago. 2024.

    • APA

      Batista, P. D., Graeff, C. F. de O., Ramírez Fernandez, F. J., & Marques, F. das C. (2006). Sn 'O IND.2' extended gate field-effect transistor as pH sensor. Brazilian Journal of Physics, 36( 2A), 478-481.

    • NLM

      Batista PD, Graeff CF de O, Ramírez Fernandez FJ, Marques F das C. Sn 'O IND.2' extended gate field-effect transistor as pH sensor. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 478-481.[citado 2024 ago. 05 ]

    • Vancouver

      Batista PD, Graeff CF de O, Ramírez Fernandez FJ, Marques F das C. Sn 'O IND.2' extended gate field-effect transistor as pH sensor. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 478-481.[citado 2024 ago. 05 ]
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