Sn 'O IND.2' extended gate field-effect transistor as pH sensor (2006)
- Authors:
- USP affiliated authors: GRAEFF, CARLOS F. O. - FFCLRP ; MULATO, MARCELO - FFCLRP ; FERNANDEZ, FRANCISCO JAVIER RAMIREZ - EP
- Unidades: FFCLRP; EP
- Subjects: TRANSISTORES; SENSORES BIOMÉDICOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Brazilian Journal of Physics
- ISSN: 0103-9733
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 36, n. 2A, p. 478-481, 2006
-
ABNT
BATISTA, P. D. et al. Sn 'O IND.2' extended gate field-effect transistor as pH sensor. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 2A, p. 478-481, 2006Tradução . . Acesso em: 04 ago. 2025. -
APA
Batista, P. D., Graeff, C. F. de O., Ramírez Fernandez, F. J., & Marques, F. das C. (2006). Sn 'O IND.2' extended gate field-effect transistor as pH sensor. Brazilian Journal of Physics, 36( 2A), 478-481. -
NLM
Batista PD, Graeff CF de O, Ramírez Fernandez FJ, Marques F das C. Sn 'O IND.2' extended gate field-effect transistor as pH sensor. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 478-481.[citado 2025 ago. 04 ] -
Vancouver
Batista PD, Graeff CF de O, Ramírez Fernandez FJ, Marques F das C. Sn 'O IND.2' extended gate field-effect transistor as pH sensor. Brazilian Journal of Physics. 2006 ; 36( 2A): 478-481.[citado 2025 ago. 04 ] - Estudo da porosidade em membranas de látex natural
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