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Artigo de periodico
Influence of substrate surface topography in the deposition of nanostructured diamond-like carbon films by high density plasma chemical vapor deposition (2009)
Mousinho, Ana Paulo; Mansano, Ronaldo Domingues ; Salvadori, Maria Cecília Barbosa da Silveira
Source: Surface & Coatings Technology. Unidades: EP, IF
Subjects: NANOTECNOLOGIA, FILMES FINOS
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ABNT
MOUSINHO, Ana Paulo e MANSANO, Ronaldo Domingues e SALVADORI, Maria Cecília Barbosa da Silveira. Influence of substrate surface topography in the deposition of nanostructured diamond-like carbon films by high density plasma chemical vapor deposition. Surface & Coatings Technology, v. 203, n. 9, p. 1193-1198, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2008.10.025. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Mousinho, A. P., Mansano, R. D., & Salvadori, M. C. B. da S. (2009). Influence of substrate surface topography in the deposition of nanostructured diamond-like carbon films by high density plasma chemical vapor deposition. Surface & Coatings Technology, 203( 9), 1193-1198. doi:10.1016/j.surfcoat.2008.10.025
NLM
Mousinho AP, Mansano RD, Salvadori MCB da S. Influence of substrate surface topography in the deposition of nanostructured diamond-like carbon films by high density plasma chemical vapor deposition [Internet]. Surface & Coatings Technology. 2009 ; 203( 9): 1193-1198.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2008.10.025
Vancouver
Mousinho AP, Mansano RD, Salvadori MCB da S. Influence of substrate surface topography in the deposition of nanostructured diamond-like carbon films by high density plasma chemical vapor deposition [Internet]. Surface & Coatings Technology. 2009 ; 203( 9): 1193-1198.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2008.10.025
Artigo de periodico
Electronic and magnetic properties of Mn and Fe impurities in III-nitride semiconductors (2007)
Justo Filho, João Francisco ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Assali, L. V. C.
Source: Diamond and Related Materials. Unidades: EP, IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ÓPTICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e ASSALI, L. V. C. Electronic and magnetic properties of Mn and Fe impurities in III-nitride semiconductors. Diamond and Related Materials, v. 16, n. 4-7, p. 1429-1432, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.10.005. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Justo Filho, J. F., Machado, W. V. M., & Assali, L. V. C. (2007). Electronic and magnetic properties of Mn and Fe impurities in III-nitride semiconductors. Diamond and Related Materials, 16( 4-7), 1429-1432. doi:10.1016/j.diamond.2006.10.005
NLM
Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Electronic and magnetic properties of Mn and Fe impurities in III-nitride semiconductors [Internet]. Diamond and Related Materials. 2007 ; 16( 4-7): 1429-1432.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.10.005
Vancouver
Justo Filho JF, Machado WVM, Assali LVC. Electronic and magnetic properties of Mn and Fe impurities in III-nitride semiconductors [Internet]. Diamond and Related Materials. 2007 ; 16( 4-7): 1429-1432.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.10.005
Artigo de periodico
Cobalt in diamond: an ab initio investigation (2007)
Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Larico, R; Justo Filho, João Francisco
Source: Diamond and Related Materials. Unidades: IF, EP
Subjects: SEMICONDUTORES, ÓPTICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
ASSALI, L. V. C. et al. Cobalt in diamond: an ab initio investigation. Diamond and Related Materials, v. 16, n. 4-7, p. 819-822, 2007Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.09.014. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., Larico, R., & Justo Filho, J. F. (2007). Cobalt in diamond: an ab initio investigation. Diamond and Related Materials, 16( 4-7), 819-822. doi:10.1016/j.diamond.2006.09.014
NLM
Assali LVC, Machado WVM, Larico R, Justo Filho JF. Cobalt in diamond: an ab initio investigation [Internet]. Diamond and Related Materials. 2007 ; 16( 4-7): 819-822.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.09.014
Vancouver
Assali LVC, Machado WVM, Larico R, Justo Filho JF. Cobalt in diamond: an ab initio investigation [Internet]. Diamond and Related Materials. 2007 ; 16( 4-7): 819-822.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2006.09.014
Artigo de periodico
Impurity phases in Sm(CoFeCuZr)z magnets: the role of Zr (2005)
Campos, Marcos Flávio de; Neiva, Augusto Camara ; Romero, Sérgio Antônio; Rechenberg, Hercilio Rodolfo; Missell, Frank Patrick
Source: Journal of Alloys and Compounds. Unidades: EP, IF
Subjects: ESTRUTURA DOS MATERIAIS, EFEITO MOSSBAUER, MATERIAIS, FÍSICO-QUÍMICA
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ABNT
CAMPOS, Marcos Flávio de et al. Impurity phases in Sm(CoFeCuZr)z magnets: the role of Zr. Journal of Alloys and Compounds, v. 403, n. 1-2, p. 329-334, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2005.05.007. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Campos, M. F. de, Neiva, A. C., Romero, S. A., Rechenberg, H. R., & Missell, F. P. (2005). Impurity phases in Sm(CoFeCuZr)z magnets: the role of Zr. Journal of Alloys and Compounds, 403( 1-2), 329-334. doi:10.1016/j.jallcom.2005.05.007
NLM
Campos MF de, Neiva AC, Romero SA, Rechenberg HR, Missell FP. Impurity phases in Sm(CoFeCuZr)z magnets: the role of Zr [Internet]. Journal of Alloys and Compounds. 2005 ; 403( 1-2): 329-334.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2005.05.007
Vancouver
Campos MF de, Neiva AC, Romero SA, Rechenberg HR, Missell FP. Impurity phases in Sm(CoFeCuZr)z magnets: the role of Zr [Internet]. Journal of Alloys and Compounds. 2005 ; 403( 1-2): 329-334.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2005.05.007
Artigo de periodico
3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide (2005)
Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C.
Source: Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. Unidades: IF, EP
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco e ASSALI, L. V. C. 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, v. 483, p. 531-534, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Machado, W. V. M., Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2005). 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, 483, 531-534. doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531
NLM
Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 531-534.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531
Vancouver
Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 531-534.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531
Artigo de periodico
Structural and electronic properties of... (2005)
Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C. ; Pereyra, Inés ; Silva, C R S da
Source: Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. Unidades: EP, IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco et al. Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, v. 483, p. 577-580, 2005Tradução . . Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Justo Filho, J. F., Assali, L. V. C., Pereyra, I., & Silva, C. R. S. da. (2005). Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, 483, 577-580.
NLM
Justo Filho JF, Assali LVC, Pereyra I, Silva CRS da. Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 577-580.[citado 2024 nov. 18 ]
Vancouver
Justo Filho JF, Assali LVC, Pereyra I, Silva CRS da. Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 577-580.[citado 2024 nov. 18 ]
Artigo de periodico
Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation (2005)
Assali, L. V. C. ; Larico, R; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Source: Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. Unidades: IF, EP
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, RESSONÂNCIA PARAMAGNÉTICA DE SPIN
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ABNT
ASSALI, L. V. C. et al. Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, v. 483, p. 1043-1046, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1043. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Larico, R., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2005). Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, 483, 1043-1046. doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1043
NLM
Assali LVC, Larico R, Machado WVM, Justo Filho JF. Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 1043-1046.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1043
Vancouver
Assali LVC, Larico R, Machado WVM, Justo Filho JF. Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 1043-1046.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1043
Artigo de periodico
Manganese impurity in boron nitride and gallium nitride (2005)
Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Source: Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. Unidades: IF, EP
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA DOS MATERIAIS, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco. Manganese impurity in boron nitride and gallium nitride. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, v. 483, p. 1043-1046, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1047. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2005). Manganese impurity in boron nitride and gallium nitride. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, 483, 1043-1046. doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1047
NLM
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Manganese impurity in boron nitride and gallium nitride [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 1043-1046.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1047
Vancouver
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Manganese impurity in boron nitride and gallium nitride [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 1043-1046.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1047
Artigo de periodico
Modification of electrode materials for plasma torches (2005)
Jankov, Ivan; Szente, Roberto Nunes; Goldman, I D; Paez Carreño, Marcelo Nelson ; Valle, M A; Behar, M; Costa, C A R; Galembeck, F; Landers, R
Source: Surface & Coatings Technology. Unidades: EP, IF
Subjects: MATERIAIS, SUPERFÍCIE FÍSICA, FÍSICA ATÔMICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JANKOV, Ivan et al. Modification of electrode materials for plasma torches. Surface & Coatings Technology, v. 200, n. 1-4, p. 254-257, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2005.02.015. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Jankov, I., Szente, R. N., Goldman, I. D., Paez Carreño, M. N., Valle, M. A., Behar, M., et al. (2005). Modification of electrode materials for plasma torches. Surface & Coatings Technology, 200( 1-4), 254-257. doi:10.1016/j.surfcoat.2005.02.015
NLM
Jankov I, Szente RN, Goldman ID, Paez Carreño MN, Valle MA, Behar M, Costa CAR, Galembeck F, Landers R. Modification of electrode materials for plasma torches [Internet]. Surface & Coatings Technology. 2005 ; 200( 1-4): 254-257.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2005.02.015
Vancouver
Jankov I, Szente RN, Goldman ID, Paez Carreño MN, Valle MA, Behar M, Costa CAR, Galembeck F, Landers R. Modification of electrode materials for plasma torches [Internet]. Surface & Coatings Technology. 2005 ; 200( 1-4): 254-257.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2005.02.015
Artigo de periodico
Structural investigation of Si-rich amorphous silicon oxynitride films (2003)
Scopel, Wanderla Luis ; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; Alayo Chávez, Marco Isaías ; Pereyra, Inés
Source: Thin Solids Films. Unidades: IF, EP
Subjects: FILMES FINOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
SCOPEL, Wanderla Luis et al. Structural investigation of Si-rich amorphous silicon oxynitride films. Thin Solids Films, v. 425, n. 1-2, p. 275-281, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0040-6090(02)01053-2. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Scopel, W. L., Fantini, M. C. de A., Alayo Chávez, M. I., & Pereyra, I. (2003). Structural investigation of Si-rich amorphous silicon oxynitride films. Thin Solids Films, 425( 1-2), 275-281. doi:10.1016/s0040-6090(02)01053-2
NLM
Scopel WL, Fantini MC de A, Alayo Chávez MI, Pereyra I. Structural investigation of Si-rich amorphous silicon oxynitride films [Internet]. Thin Solids Films. 2003 ; 425( 1-2): 275-281.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0040-6090(02)01053-2
Vancouver
Scopel WL, Fantini MC de A, Alayo Chávez MI, Pereyra I. Structural investigation of Si-rich amorphous silicon oxynitride films [Internet]. Thin Solids Films. 2003 ; 425( 1-2): 275-281.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0040-6090(02)01053-2
Artigo de periodico
Local structure and bonds of amorphous silicon oxynitride thin films (2002)
Scopel, Wanderla Luis ; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; Alayo Chávez, Marco Isaías ; Pereyra, Inés
Source: Thin Solid Films. Unidades: IF, EP
Subjects: ESPECTROSCOPIA DE RAIO X, ESPECTROMETRIA, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCOPEL, Wanderla Luis et al. Local structure and bonds of amorphous silicon oxynitride thin films. Thin Solid Films, v. 413, n. 1-2, p. 59-64, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0040-6090(02)00346-2. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Scopel, W. L., Fantini, M. C. de A., Alayo Chávez, M. I., & Pereyra, I. (2002). Local structure and bonds of amorphous silicon oxynitride thin films. Thin Solid Films, 413( 1-2), 59-64. doi:10.1016/s0040-6090(02)00346-2
NLM
Scopel WL, Fantini MC de A, Alayo Chávez MI, Pereyra I. Local structure and bonds of amorphous silicon oxynitride thin films [Internet]. Thin Solid Films. 2002 ; 413( 1-2): 59-64.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0040-6090(02)00346-2
Vancouver
Scopel WL, Fantini MC de A, Alayo Chávez MI, Pereyra I. Local structure and bonds of amorphous silicon oxynitride thin films [Internet]. Thin Solid Films. 2002 ; 413( 1-2): 59-64.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0040-6090(02)00346-2
Artigo de periodico
On the nitrogen and oxygen incorporation in plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiOxNy films (2002)
Alayo Chávez, Marco Isaías ; Pereyra, Inés ; Scopel, Wanderla Luis ; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu
Source: Thin Solid Films. Unidades: IF, EP
Subjects: FÍSICA DE PLASMAS, DIELÉTRICOS
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ABNT
ALAYO CHÁVEZ, Marco Isaías et al. On the nitrogen and oxygen incorporation in plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiOxNy films. Thin Solid Films, v. 402, n. 1-2, p. 154-161, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/S0040-6090(01)01685-6. Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Alayo Chávez, M. I., Pereyra, I., Scopel, W. L., & Fantini, M. C. de A. (2002). On the nitrogen and oxygen incorporation in plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiOxNy films. Thin Solid Films, 402( 1-2), 154-161. doi:10.1016/S0040-6090(01)01685-6
NLM
Alayo Chávez MI, Pereyra I, Scopel WL, Fantini MC de A. On the nitrogen and oxygen incorporation in plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiOxNy films [Internet]. Thin Solid Films. 2002 ; 402( 1-2): 154-161.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/S0040-6090(01)01685-6
Vancouver
Alayo Chávez MI, Pereyra I, Scopel WL, Fantini MC de A. On the nitrogen and oxygen incorporation in plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiOxNy films [Internet]. Thin Solid Films. 2002 ; 402( 1-2): 154-161.[citado 2024 nov. 18 ] Available from: https://doi.org/10.1016/S0040-6090(01)01685-6
Artigo de periodico
Thin films of a-'Si IND.1-X''C IND.X':H deposited by PECVD: the r.f. power and 'H IND.2' dilution role (2000)
Prado, Rogerio Junqueira; Fantini, Márcia Carvalho de Abreu ; Tabacniks, Manfredo Harri ; Pereyra, Inés ; Flank, A M
Source: Materials Science Forum. Unidades: IF, EP
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
PRADO, Rogerio Junqueira et al. Thin films of a-'Si IND.1-X''C IND.X':H deposited by PECVD: the r.f. power and 'H IND.2' dilution role. Materials Science Forum, v. 338-342, n. 1, p. 329-332, 2000Tradução . . Acesso em: 18 nov. 2024.
APA
Prado, R. J., Fantini, M. C. de A., Tabacniks, M. H., Pereyra, I., & Flank, A. M. (2000). Thin films of a-'Si IND.1-X''C IND.X':H deposited by PECVD: the r.f. power and 'H IND.2' dilution role. Materials Science Forum, 338-342( 1), 329-332.
NLM
Prado RJ, Fantini MC de A, Tabacniks MH, Pereyra I, Flank AM. Thin films of a-'Si IND.1-X''C IND.X':H deposited by PECVD: the r.f. power and 'H IND.2' dilution role. Materials Science Forum. 2000 ; 338-342( 1): 329-332.[citado 2024 nov. 18 ]
Vancouver
Prado RJ, Fantini MC de A, Tabacniks MH, Pereyra I, Flank AM. Thin films of a-'Si IND.1-X''C IND.X':H deposited by PECVD: the r.f. power and 'H IND.2' dilution role. Materials Science Forum. 2000 ; 338-342( 1): 329-332.[citado 2024 nov. 18 ]

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