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  • Source: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. Unidade: EP

    Assunto: ELETROQUÍMICA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      NUNES, Carolina Carvalho Previdi e ZAMBOM, Luís da Silva e MANSANO, Ronaldo Domingues. a-Si:H thin films deposited at low temperature by sputtering. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, v. 31, n. 1, p. 135-142, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.3474151. Acesso em: 05 nov. 2024.
    • APA

      Nunes, C. C. P., Zambom, L. da S., & Mansano, R. D. (2010). a-Si:H thin films deposited at low temperature by sputtering. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 31( 1), 135-142. doi:10.1149/1.3474151
    • NLM

      Nunes CCP, Zambom L da S, Mansano RD. a-Si:H thin films deposited at low temperature by sputtering [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 135-142.[citado 2024 nov. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474151
    • Vancouver

      Nunes CCP, Zambom L da S, Mansano RD. a-Si:H thin films deposited at low temperature by sputtering [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 135-142.[citado 2024 nov. 05 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474151
  • Source: Resumo. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidades: EP, IF

    Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, FILMES FINOS

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      NUNES, Carolina Carvalho Previdi et al. Caracterização de filmes de silício amorfo depositados por sputtering e dopados com fósforo para a fabricação de transistor de filme fino. 2008, Anais.. São Paulo: SBF, 2008. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0829-1.pdf. Acesso em: 05 nov. 2024.
    • APA

      Nunes, C. C. P., Mansano, R. D., Zambon, L. da S., & Tabacniks, M. H. (2008). Caracterização de filmes de silício amorfo depositados por sputtering e dopados com fósforo para a fabricação de transistor de filme fino. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0829-1.pdf
    • NLM

      Nunes CCP, Mansano RD, Zambon L da S, Tabacniks MH. Caracterização de filmes de silício amorfo depositados por sputtering e dopados com fósforo para a fabricação de transistor de filme fino [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 nov. 05 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0829-1.pdf
    • Vancouver

      Nunes CCP, Mansano RD, Zambon L da S, Tabacniks MH. Caracterização de filmes de silício amorfo depositados por sputtering e dopados com fósforo para a fabricação de transistor de filme fino [Internet]. Resumo. 2008 ;[citado 2024 nov. 05 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxi/sys/resumos/R0829-1.pdf

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