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Tese (Doutorado)
Processamento por plasma de polímeros para aplicações eletroquímicas (2010)
Polak, Peter Lubomir; Mansano, Ronaldo Domingues (Orientador)
Unidade: EP
Subjects: CORROSÃO (PROTEÇÃO), POLÍMEROS (MATERIAIS), PARAFINA, DUTOS, PETRÓLEO, ELETROQUÍMICA
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ABNT
POLAK, Peter Lubomir. Processamento por plasma de polímeros para aplicações eletroquímicas. 2010. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2010. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19012011-160846/. Acesso em: 26 ago. 2024.
APA
Polak, P. L. (2010). Processamento por plasma de polímeros para aplicações eletroquímicas (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19012011-160846/
NLM
Polak PL. Processamento por plasma de polímeros para aplicações eletroquímicas [Internet]. 2010 ;[citado 2024 ago. 26 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19012011-160846/
Vancouver
Polak PL. Processamento por plasma de polímeros para aplicações eletroquímicas [Internet]. 2010 ;[citado 2024 ago. 26 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-19012011-160846/
Artigo de periodico
a-Si:H thin films deposited at low temperature by sputtering (2010)
Nunes, Carolina Carvalho Previdi; Zambom, Luís da Silva ; Mansano, Ronaldo Domingues
Source: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. Unidade: EP
Assunto: ELETROQUÍMICA
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ABNT
NUNES, Carolina Carvalho Previdi e ZAMBOM, Luís da Silva e MANSANO, Ronaldo Domingues. a-Si:H thin films deposited at low temperature by sputtering. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, v. 31, n. 1, p. 135-142, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.3474151. Acesso em: 26 ago. 2024.
APA
Nunes, C. C. P., Zambom, L. da S., & Mansano, R. D. (2010). a-Si:H thin films deposited at low temperature by sputtering. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 31( 1), 135-142. doi:10.1149/1.3474151
NLM
Nunes CCP, Zambom L da S, Mansano RD. a-Si:H thin films deposited at low temperature by sputtering [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 135-142.[citado 2024 ago. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474151
Vancouver
Nunes CCP, Zambom L da S, Mansano RD. a-Si:H thin films deposited at low temperature by sputtering [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 135-142.[citado 2024 ago. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474151
Artigo de periodico
Thickness dependence of indium-tin oxide thin films deposited by RF magnetron sputtering (2010)
Damiani, Larissa Rodrigues; Mansano, Ronaldo Domingues
Source: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. Unidade: EP
Assunto: ELETROQUÍMICA
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ABNT
DAMIANI, Larissa Rodrigues e MANSANO, Ronaldo Domingues. Thickness dependence of indium-tin oxide thin films deposited by RF magnetron sputtering. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, v. 31, n. 1, p. 117-124, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.3474149. Acesso em: 26 ago. 2024.
APA
Damiani, L. R., & Mansano, R. D. (2010). Thickness dependence of indium-tin oxide thin films deposited by RF magnetron sputtering. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 31( 1), 117-124. doi:10.1149/1.3474149
NLM
Damiani LR, Mansano RD. Thickness dependence of indium-tin oxide thin films deposited by RF magnetron sputtering [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 117-124.[citado 2024 ago. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474149
Vancouver
Damiani LR, Mansano RD. Thickness dependence of indium-tin oxide thin films deposited by RF magnetron sputtering [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 117-124.[citado 2024 ago. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474149
Trabalho de evento
Silicon nitride coupled plasma deposited from mixtures of silane - nitrogen and silane - ammonia (1999)
Zambom, Luís da Silva ; Furlan, Rogério ; Mansano, Ronaldo Domingues
Source: ICMP 99 : Technical Digest. Conference titles: International Conference on Microelectronics and Packaging. Unidade: EP
Subjects: CIRCUITOS ELÉTRICOS, ELETROQUÍMICA
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ABNT
ZAMBOM, Luís da Silva e FURLAN, Rogério e MANSANO, Ronaldo Domingues. Silicon nitride coupled plasma deposited from mixtures of silane - nitrogen and silane - ammonia. 1999, Anais.. São Paulo: SBMicro/IMAPS, 1999. . Acesso em: 26 ago. 2024.
APA
Zambom, L. da S., Furlan, R., & Mansano, R. D. (1999). Silicon nitride coupled plasma deposited from mixtures of silane - nitrogen and silane - ammonia. In ICMP 99 : Technical Digest. São Paulo: SBMicro/IMAPS.
NLM
Zambom L da S, Furlan R, Mansano RD. Silicon nitride coupled plasma deposited from mixtures of silane - nitrogen and silane - ammonia. ICMP 99 : Technical Digest. 1999 ;[citado 2024 ago. 26 ]
Vancouver
Zambom L da S, Furlan R, Mansano RD. Silicon nitride coupled plasma deposited from mixtures of silane - nitrogen and silane - ammonia. ICMP 99 : Technical Digest. 1999 ;[citado 2024 ago. 26 ]

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