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Dissertação (Mestrado)
Modos vibracionais do complexo b-h em silicio (1989)
Pena, Marilene Goncalves; Leite, J. R. (Orientador)
Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
PENA, Marilene Goncalves. Modos vibracionais do complexo b-h em silicio. 1989. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1989. . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Pena, M. G. (1989). Modos vibracionais do complexo b-h em silicio (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Pena MG. Modos vibracionais do complexo b-h em silicio. 1989 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Pena MG. Modos vibracionais do complexo b-h em silicio. 1989 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Trabalho de evento-resumo
Efeito ansiolitico da carbamazopina no labirinto em cruz elevado (1989)
Zangrossi Junior, H.; Leite, J. R.; Graeff, Frederico Guilherme
Source: Resumos. Conference titles: Reunião Anual da Federação das Sociedades de Biologia Experimental. Unidade: FFCLRP
Assunto: PSICOBIOLOGIA
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ABNT
ZANGROSSI JUNIOR, H. e LEITE, J. R. e GRAEFF, Frederico Guilherme. Efeito ansiolitico da carbamazopina no labirinto em cruz elevado. 1989, Anais.. Caxambu: Fesbe, 1989. . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Zangrossi Junior, H., Leite, J. R., & Graeff, F. G. (1989). Efeito ansiolitico da carbamazopina no labirinto em cruz elevado. In Resumos. Caxambu: Fesbe.
NLM
Zangrossi Junior H, Leite JR, Graeff FG. Efeito ansiolitico da carbamazopina no labirinto em cruz elevado. Resumos. 1989 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Zangrossi Junior H, Leite JR, Graeff FG. Efeito ansiolitico da carbamazopina no labirinto em cruz elevado. Resumos. 1989 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Artigo de periodico
Anxiolytic effect of carbamazepine neasured in the elevated plus-maze (1989)
Zangrossi Junior, H.; Leite, J. R.; Graeff, Frederico Guilherme
Source: Brazilian Journal of Medical and Biological Research. Unidade: FFCLRP
Assunto: PSICOBIOLOGIA
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ABNT
ZANGROSSI JUNIOR, H. e LEITE, J. R. e GRAEFF, Frederico Guilherme. Anxiolytic effect of carbamazepine neasured in the elevated plus-maze. Brazilian Journal of Medical and Biological Research, v. 22, p. 703-705, 1989Tradução . . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Zangrossi Junior, H., Leite, J. R., & Graeff, F. G. (1989). Anxiolytic effect of carbamazepine neasured in the elevated plus-maze. Brazilian Journal of Medical and Biological Research, 22, 703-705.
NLM
Zangrossi Junior H, Leite JR, Graeff FG. Anxiolytic effect of carbamazepine neasured in the elevated plus-maze. Brazilian Journal of Medical and Biological Research. 1989 ; 22 703-705.[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Zangrossi Junior H, Leite JR, Graeff FG. Anxiolytic effect of carbamazepine neasured in the elevated plus-maze. Brazilian Journal of Medical and Biological Research. 1989 ; 22 703-705.[citado 2024 nov. 13 ]
Artigo de periodico
Electronic subbands at gaas-algaas heterojunctions in paralel magnetic fields (1989)
Gomes, V M S; Oliveira, G M G; Leite, J. R.; Chaves, A S
Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
GOMES, V M S et al. Electronic subbands at gaas-algaas heterojunctions in paralel magnetic fields. Superlattices and Microstructures, v. 6 , n. 1 , p. 47-50, 1989Tradução . . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Gomes, V. M. S., Oliveira, G. M. G., Leite, J. R., & Chaves, A. S. (1989). Electronic subbands at gaas-algaas heterojunctions in paralel magnetic fields. Superlattices and Microstructures, 6 ( 1 ), 47-50.
NLM
Gomes VMS, Oliveira GMG, Leite JR, Chaves AS. Electronic subbands at gaas-algaas heterojunctions in paralel magnetic fields. Superlattices and Microstructures. 1989 ;6 ( 1 ): 47-50.[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Gomes VMS, Oliveira GMG, Leite JR, Chaves AS. Electronic subbands at gaas-algaas heterojunctions in paralel magnetic fields. Superlattices and Microstructures. 1989 ;6 ( 1 ): 47-50.[citado 2024 nov. 13 ]
Artigo de periodico
Bistability of iron-group iii acceptor pairs in silicon (1989)
Assali, L. V. C. ; Leite, J. R.
Source: Materials Science Forum. Unidade: IF
Assunto: SILÍCIO
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ABNT
ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. Bistability of iron-group iii acceptor pairs in silicon. Materials Science Forum, v. 38-41, p. 409, 1989Tradução . . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1989). Bistability of iron-group iii acceptor pairs in silicon. Materials Science Forum, 38-41, 409.
NLM
Assali LVC, Leite JR. Bistability of iron-group iii acceptor pairs in silicon. Materials Science Forum. 1989 ;38-41 409.[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Assali LVC, Leite JR. Bistability of iron-group iii acceptor pairs in silicon. Materials Science Forum. 1989 ;38-41 409.[citado 2024 nov. 13 ]
Artigo de periodico
Green's function calculations of the formations entropy of a vacancy in silicon (1989)
Leite, J. R.; Silva, E C F; Dal Pino Junior, A
Source: Materials Science Forum. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEITE, J. R. e SILVA, E C F e DAL PINO JUNIOR, A. Green's function calculations of the formations entropy of a vacancy in silicon. Materials Science Forum, v. 38-41, p. 263, 1989Tradução . . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Leite, J. R., Silva, E. C. F., & Dal Pino Junior, A. (1989). Green's function calculations of the formations entropy of a vacancy in silicon. Materials Science Forum, 38-41, 263.
NLM
Leite JR, Silva ECF, Dal Pino Junior A. Green's function calculations of the formations entropy of a vacancy in silicon. Materials Science Forum. 1989 ;38-41 263.[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Leite JR, Silva ECF, Dal Pino Junior A. Green's function calculations of the formations entropy of a vacancy in silicon. Materials Science Forum. 1989 ;38-41 263.[citado 2024 nov. 13 ]
Tese (Doutorado)
Dinâmica de redes perturbadas: vacancias em 'SI' e 'GA''AS' (1989)
Dal Pino Junior, Arnaldo; Leite, J. R. (Orientador)
Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DAL PINO JUNIOR, Arnaldo. Dinâmica de redes perturbadas: vacancias em 'SI' e 'GA''AS'. 1989. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1989. . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Dal Pino Junior, A. (1989). Dinâmica de redes perturbadas: vacancias em 'SI' e 'GA''AS' (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Dal Pino Junior A. Dinâmica de redes perturbadas: vacancias em 'SI' e 'GA''AS'. 1989 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Dal Pino Junior A. Dinâmica de redes perturbadas: vacancias em 'SI' e 'GA''AS'. 1989 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Trabalho de evento-resumo
Estado eletronico do exciton de caroco 1s em diamante (1989)
Alves, H W L; Leite, J. R.; Chachan, H; Alves, J L A
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: DIAMANTE
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ABNT
ALVES, H W L et al. Estado eletronico do exciton de caroco 1s em diamante. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Leite, J. R., Chachan, H., & Alves, J. L. A. (1989). Estado eletronico do exciton de caroco 1s em diamante. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Alves HWL, Leite JR, Chachan H, Alves JLA. Estado eletronico do exciton de caroco 1s em diamante. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Alves HWL, Leite JR, Chachan H, Alves JLA. Estado eletronico do exciton de caroco 1s em diamante. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Trabalho de evento-resumo
Estrutura eletronica dos complexos 'MN IND.4' e 'FE IND.4' em silicio (1989)
Lino, A T; Leite, J. R.; Assali, L. V. C. ; Gomes, V M S
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LINO, A T et al. Estrutura eletronica dos complexos 'MN IND.4' e 'FE IND.4' em silicio. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Lino, A. T., Leite, J. R., Assali, L. V. C., & Gomes, V. M. S. (1989). Estrutura eletronica dos complexos 'MN IND.4' e 'FE IND.4' em silicio. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Lino AT, Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Estrutura eletronica dos complexos 'MN IND.4' e 'FE IND.4' em silicio. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Lino AT, Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Estrutura eletronica dos complexos 'MN IND.4' e 'FE IND.4' em silicio. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Trabalho de evento-resumo
Estrutura eletronica de impurezas em germanio (1989)
Castineira, J L P; Gomes, V M S; Leite, J. R.
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CASTINEIRA, J L P e GOMES, V M S e LEITE, J. R. Estrutura eletronica de impurezas em germanio. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Castineira, J. L. P., Gomes, V. M. S., & Leite, J. R. (1989). Estrutura eletronica de impurezas em germanio. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Castineira JLP, Gomes VMS, Leite JR. Estrutura eletronica de impurezas em germanio. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Castineira JLP, Gomes VMS, Leite JR. Estrutura eletronica de impurezas em germanio. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Artigo de periodico
Hydrogen passivation of shallow donors in silicon (1989)
Silva, E C F; Assali, L. V. C. ; Leite, J. R.
Source: International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, E C F e ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. Hydrogen passivation of shallow donors in silicon. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium, v. 23, p. 693, 1989Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/qua.560360871. Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Silva, E. C. F., Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1989). Hydrogen passivation of shallow donors in silicon. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium, 23, 693. doi:10.1002/qua.560360871
NLM
Silva ECF, Assali LVC, Leite JR. Hydrogen passivation of shallow donors in silicon [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium. 1989 ;23 693.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1002/qua.560360871
Vancouver
Silva ECF, Assali LVC, Leite JR. Hydrogen passivation of shallow donors in silicon [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium. 1989 ;23 693.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1002/qua.560360871
Artigo de periodico
Electronic states of 'MN IND.4' complex cluster in silicon (1989)
Lino, A T; Leite, J. R.; Assali, L. V. C. ; Gomes, V M S
Source: International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LINO, A T et al. Electronic states of 'MN IND.4' complex cluster in silicon. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium, v. 23, p. 701, 1989Tradução . . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Lino, A. T., Leite, J. R., Assali, L. V. C., & Gomes, V. M. S. (1989). Electronic states of 'MN IND.4' complex cluster in silicon. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium, 23, 701.
NLM
Lino AT, Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Electronic states of 'MN IND.4' complex cluster in silicon. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium. 1989 ;23 701.[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Lino AT, Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Electronic states of 'MN IND.4' complex cluster in silicon. International Journal of Quantum Chemistry: Quantum Chemistry Symposium. 1989 ;23 701.[citado 2024 nov. 13 ]
Artigo de periodico
Shallow acceptor action of c-h pair in silicon and germanium (1989)
Assali, L. V. C. ; Gomes, V M S; Leite, J. R.; Chacham, H; Alves, J L A
Source: Institute of Physics Conference Series. Unidade: IF
Assunto: SILÍCIO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. et al. Shallow acceptor action of c-h pair in silicon and germanium. Institute of Physics Conference Series, v. 95, p. 453, 1989Tradução . . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Gomes, V. M. S., Leite, J. R., Chacham, H., & Alves, J. L. A. (1989). Shallow acceptor action of c-h pair in silicon and germanium. Institute of Physics Conference Series, 95, 453.
NLM
Assali LVC, Gomes VMS, Leite JR, Chacham H, Alves JLA. Shallow acceptor action of c-h pair in silicon and germanium. Institute of Physics Conference Series. 1989 ;95 453.[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Assali LVC, Gomes VMS, Leite JR, Chacham H, Alves JLA. Shallow acceptor action of c-h pair in silicon and germanium. Institute of Physics Conference Series. 1989 ;95 453.[citado 2024 nov. 13 ]
Tese (Doutorado)
Niveis profundos de defeitos e impurezas em diamante e germanio (1989)
Alves, Horacio Wagner Leite; Leite, J. R. (Orientador)
Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, Horacio Wagner Leite. Niveis profundos de defeitos e impurezas em diamante e germanio. 1989. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1989. . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Alves, H. W. L. (1989). Niveis profundos de defeitos e impurezas em diamante e germanio (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo.
NLM
Alves HWL. Niveis profundos de defeitos e impurezas em diamante e germanio. 1989 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Alves HWL. Niveis profundos de defeitos e impurezas em diamante e germanio. 1989 ;[citado 2024 nov. 13 ]

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