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Artigo de periodico
Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant (2005)
Lamas, T. E.; Quivy, A. A.; Martini, S; Silva, M J da; Leite, J. R.
Source: Thin Solid Films. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATERIAIS, EFEITO HALL, FOTOLUMINESCÊNCIA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
LAMAS, T. E. et al. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant. Thin Solid Films, v. 474, n. 1-2, p. 25-30, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.004. Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Lamas, T. E., Quivy, A. A., Martini, S., Silva, M. J. da, & Leite, J. R. (2005). Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant. Thin Solid Films, 474( 1-2), 25-30. doi:10.1016/j.tsf.2004.08.004
NLM
Lamas TE, Quivy AA, Martini S, Silva MJ da, Leite JR. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant [Internet]. Thin Solid Films. 2005 ; 474( 1-2): 25-30.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.004
Vancouver
Lamas TE, Quivy AA, Martini S, Silva MJ da, Leite JR. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant [Internet]. Thin Solid Films. 2005 ; 474( 1-2): 25-30.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.004
Artigo de periodico
Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic InN (2002)
Alves, H W Leite; Alves, J L A; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Materials Science and Engineering B. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTIVIDADE, ESPECTROSCOPIA RAMAN
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ABNT
ALVES, H W Leite et al. Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic InN. Materials Science and Engineering B, v. 93, n. 1-3, p. 90-93, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0921-5107(02)00036-3. Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2002). Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic InN. Materials Science and Engineering B, 93( 1-3), 90-93. doi:10.1016/s0921-5107(02)00036-3
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic InN [Internet]. Materials Science and Engineering B. 2002 ; 93( 1-3): 90-93.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-5107(02)00036-3
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Scolfaro LMR, Leite JR. Planar force-constant method for lattice dynamics of cubic InN [Internet]. Materials Science and Engineering B. 2002 ; 93( 1-3): 90-93.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0921-5107(02)00036-3
Artigo de periodico
Theoretical study of the 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys (2002)
Paiva, R de; Alves, J L A; Nogueira, R A; Oliveira, C de; Alves, H W L; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Materials Science and Engineering B. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
PAIVA, R de et al. Theoretical study of the 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys. Materials Science and Engineering B, v. 93, n. 1-3, p. p 2-5, 2002Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5589&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0e0a80acf3a4a011f94b8bacbc1c1908. Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Paiva, R. de, Alves, J. L. A., Nogueira, R. A., Oliveira, C. de, Alves, H. W. L., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2002). Theoretical study of the 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys. Materials Science and Engineering B, 93( 1-3), p 2-5. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5589&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0e0a80acf3a4a011f94b8bacbc1c1908
NLM
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Oliveira C de, Alves HWL, Scolfaro LMR, Leite JR. Theoretical study of the 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys [Internet]. Materials Science and Engineering B. 2002 ; 93( 1-3): p 2-5.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5589&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0e0a80acf3a4a011f94b8bacbc1c1908
Vancouver
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Oliveira C de, Alves HWL, Scolfaro LMR, Leite JR. Theoretical study of the 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N alloys [Internet]. Materials Science and Engineering B. 2002 ; 93( 1-3): p 2-5.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5589&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=0e0a80acf3a4a011f94b8bacbc1c1908
Trabalho de evento-anais periodico
Resonant raman scattering and the emission process in zincblende-'In IND.X''Ga IND.1-X'N (2000)
Lemos, V; Silveira, E; Leite, J. R.; Tabata, A; Trentin, R.; Frey, T; As, D J; Schikora, D; Lischka, K
Source: Materials Science Forum. Conference titles: Proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEMOS, V et al. Resonant raman scattering and the emission process in zincblende-'In IND.X''Ga IND.1-X'N. Materials Science Forum. Zuerich: Trans Tech Publications. . Acesso em: 13 nov. 2024. , 2000
APA
Lemos, V., Silveira, E., Leite, J. R., Tabata, A., Trentin, R., Frey, T., et al. (2000). Resonant raman scattering and the emission process in zincblende-'In IND.X''Ga IND.1-X'N. Materials Science Forum. Zuerich: Trans Tech Publications.
NLM
Lemos V, Silveira E, Leite JR, Tabata A, Trentin R, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Resonant raman scattering and the emission process in zincblende-'In IND.X''Ga IND.1-X'N. Materials Science Forum. 2000 ; 338-342 1595-1598.[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Lemos V, Silveira E, Leite JR, Tabata A, Trentin R, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Resonant raman scattering and the emission process in zincblende-'In IND.X''Ga IND.1-X'N. Materials Science Forum. 2000 ; 338-342 1595-1598.[citado 2024 nov. 13 ]

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