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Trabalho de evento-resumo
Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons (2005)
Lopes, K. C.; Matsuoka, M; Sucasaire, W; Mittani, J C R; Avanci, L H; Chubaci, J F D; Salvadori, M C B S; Leite, J. R.; Sant'Ana, A. C. de; Temperini, Márcia Laudelina Arruda ; Freitas, J. A.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidades: IF, IQ
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FILMES FINOS, SEMICONDUTORES, FEIXES
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ABNT
LOPES, K. C. et al. Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1205-1.pdf. Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Lopes, K. C., Matsuoka, M., Sucasaire, W., Mittani, J. C. R., Avanci, L. H., Chubaci, J. F. D., et al. (2005). Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1205-1.pdf
NLM
Lopes KC, Matsuoka M, Sucasaire W, Mittani JCR, Avanci LH, Chubaci JFD, Salvadori MCBS, Leite JR, Sant'Ana AC de, Temperini MLA, Freitas JA. Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 nov. 13 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1205-1.pdf
Vancouver
Lopes KC, Matsuoka M, Sucasaire W, Mittani JCR, Avanci LH, Chubaci JFD, Salvadori MCBS, Leite JR, Sant'Ana AC de, Temperini MLA, Freitas JA. Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 nov. 13 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1205-1.pdf
Artigo de periodico
Cubic binary compounds MnN and MnAs and diluted magnetic "Ga IND.1-x" "Mn IND.x" N semiconductor alloys: a first-principle study (2005)
Paiva, R de; Alves, J L A; Nogueira, R A; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Source: Journal of Magnetism and Magnetic Materials. Unidade: IF
Subjects: MAGNETISMO, MATERIAIS MAGNÉTICOS, MATÉRIA CONDENSADA, FERROMAGNETISMO, SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
PAIVA, R de et al. Cubic binary compounds MnN and MnAs and diluted magnetic "Ga IND.1-x" "Mn IND.x" N semiconductor alloys: a first-principle study. Journal of Magnetism and Magnetic Materials, v. 288, n. 384-396, 2005Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5312&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=8a966c82df0d4a9d62f773e687985ec0. Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Paiva, R. de, Alves, J. L. A., Nogueira, R. A., Leite, J. R., & Scolfaro, L. M. R. (2005). Cubic binary compounds MnN and MnAs and diluted magnetic "Ga IND.1-x" "Mn IND.x" N semiconductor alloys: a first-principle study. Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 288( 384-396). Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5312&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=8a966c82df0d4a9d62f773e687985ec0
NLM
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Leite JR, Scolfaro LMR. Cubic binary compounds MnN and MnAs and diluted magnetic "Ga IND.1-x" "Mn IND.x" N semiconductor alloys: a first-principle study [Internet]. Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 2005 ; 288( 384-396):[citado 2024 nov. 13 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5312&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=8a966c82df0d4a9d62f773e687985ec0
Vancouver
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Leite JR, Scolfaro LMR. Cubic binary compounds MnN and MnAs and diluted magnetic "Ga IND.1-x" "Mn IND.x" N semiconductor alloys: a first-principle study [Internet]. Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 2005 ; 288( 384-396):[citado 2024 nov. 13 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5312&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=8a966c82df0d4a9d62f773e687985ec0
Trabalho de evento-anais periodico
Spin-polarized charge densities in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor ternary and quaternary alloy heterostructures (2005)
Sipahi, Guilherme Matos ; Rodrigues, S. C. P.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Lima, I. C. da Cunha; Leite, J. R.
Source: AIP Conference Proceedings. Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS. Unidades: IFSC, IF
Subjects: SEMICONDUTORES, SUPERFÍCIE FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, MAGNETISMO, POLARIZAÇÃO
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ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Spin-polarized charge densities in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor ternary and quaternary alloy heterostructures. AIP Conference Proceedings. Melville: American Institute of Physics - AIP. Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1994119. Acesso em: 13 nov. 2024. , 2005
APA
Sipahi, G. M., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Lima, I. C. da C., & Leite, J. R. (2005). Spin-polarized charge densities in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor ternary and quaternary alloy heterostructures. AIP Conference Proceedings. Melville: American Institute of Physics - AIP. doi:10.1063/1.1994119
NLM
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima IC da C, Leite JR. Spin-polarized charge densities in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor ternary and quaternary alloy heterostructures [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2005 ; 772( 1): 323-324.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1994119
Vancouver
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima IC da C, Leite JR. Spin-polarized charge densities in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor ternary and quaternary alloy heterostructures [Internet]. AIP Conference Proceedings. 2005 ; 772( 1): 323-324.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1994119
Artigo de periodico
Large InAs/GaAs quantum dots with an optical response in the long-wavelength region (2005)
Silva, M J da; Quivy, A. A.; Martini, S; Lamas, T. E.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Leite, J. R.
Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
SILVA, M J da et al. Large InAs/GaAs quantum dots with an optical response in the long-wavelength region. Journal of Crystal Growth, v. 278, p. 103-107, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.12.118. Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Silva, M. J. da, Quivy, A. A., Martini, S., Lamas, T. E., Silva, E. C. F. da, & Leite, J. R. (2005). Large InAs/GaAs quantum dots with an optical response in the long-wavelength region. Journal of Crystal Growth, 278, 103-107. doi:10.1016/j.jcrysgro.2004.12.118
NLM
Silva MJ da, Quivy AA, Martini S, Lamas TE, Silva ECF da, Leite JR. Large InAs/GaAs quantum dots with an optical response in the long-wavelength region [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2005 ; 278 103-107.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.12.118
Vancouver
Silva MJ da, Quivy AA, Martini S, Lamas TE, Silva ECF da, Leite JR. Large InAs/GaAs quantum dots with an optical response in the long-wavelength region [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2005 ; 278 103-107.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.12.118
Trabalho de evento-resumo
DC voltage effect on elementary excitations of two dimensional electron gas (2005)
Anjos, V; Leão, S A; Souza, M A R; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
ANJOS, V et al. DC voltage effect on elementary excitations of two dimensional electron gas. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0528-2.pdf. Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Anjos, V., Leão, S. A., Souza, M. A. R., & Leite, J. R. (2005). DC voltage effect on elementary excitations of two dimensional electron gas. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0528-2.pdf
NLM
Anjos V, Leão SA, Souza MAR, Leite JR. DC voltage effect on elementary excitations of two dimensional electron gas [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 nov. 13 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0528-2.pdf
Vancouver
Anjos V, Leão SA, Souza MAR, Leite JR. DC voltage effect on elementary excitations of two dimensional electron gas [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 nov. 13 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R0528-2.pdf
Artigo de periodico
Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas (2005)
Gusev, Guennadii Michailovich; Duarte, C A; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.; Leite, J. R.; Bakarov, A K; Toropov, A I
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, EFEITO HALL
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ABNT
GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas. Physical Review B, v. 71, n. 16, p. 165311/1-165311/8, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.71.165311. Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Gusev, G. M., Duarte, C. A., Quivy, A. A., Lamas, T. E., Leite, J. R., Bakarov, A. K., & Toropov, A. I. (2005). Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas. Physical Review B, 71( 16), 165311/1-165311/8. doi:10.1103/physrevb.71.165311
NLM
Gusev GM, Duarte CA, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Bakarov AK, Toropov AI. Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 71( 16): 165311/1-165311/8.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.71.165311
Vancouver
Gusev GM, Duarte CA, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Bakarov AK, Toropov AI. Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 71( 16): 165311/1-165311/8.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.71.165311
Artigo de periodico
Controlling the charge and the spin polarization distributions in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures (2005)
Lima, Ivan Costa da Cunha; Rodrigues, S C P; Sipahi, Guilherme Matos ; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Journal of Superconductivity. Unidades: IFSC, IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
LIMA, Ivan Costa da Cunha et al. Controlling the charge and the spin polarization distributions in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures. Journal of Superconductivity, v. 18. n. 1, p. 61-67, 2005Tradução . . Disponível em: http://www.springerlink.com/media/99AJTVLWYGY6JC0UJN9M/Contributions/P/X/3/5/PX35337843273887.pdf. Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Lima, I. C. da C., Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2005). Controlling the charge and the spin polarization distributions in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures. Journal of Superconductivity, 18. n. 1, 61-67. Recuperado de http://www.springerlink.com/media/99AJTVLWYGY6JC0UJN9M/Contributions/P/X/3/5/PX35337843273887.pdf
NLM
Lima IC da C, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Controlling the charge and the spin polarization distributions in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures [Internet]. Journal of Superconductivity. 2005 ; 18. n. 1 61-67.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: http://www.springerlink.com/media/99AJTVLWYGY6JC0UJN9M/Contributions/P/X/3/5/PX35337843273887.pdf
Vancouver
Lima IC da C, Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Leite JR. Controlling the charge and the spin polarization distributions in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures [Internet]. Journal of Superconductivity. 2005 ; 18. n. 1 61-67.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: http://www.springerlink.com/media/99AJTVLWYGY6JC0UJN9M/Contributions/P/X/3/5/PX35337843273887.pdf
Artigo de periodico
The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot (2004)
Rodríguez Coppola, H; Tutor Sánchez, J; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; García Moliner, F
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, MICROELETRÔNICA
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ABNT
RODRÍGUEZ COPPOLA, H et al. The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot. Microelectronics Journal, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2003.10.005. Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Rodríguez Coppola, H., Tutor Sánchez, J., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., & García Moliner, F. (2004). The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot. Microelectronics Journal. doi:10.1016/j.mejo.2003.10.005
NLM
Rodríguez Coppola H, Tutor Sánchez J, Leite JR, Scolfaro LMR, García Moliner F. The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2003.10.005
Vancouver
Rodríguez Coppola H, Tutor Sánchez J, Leite JR, Scolfaro LMR, García Moliner F. The absorption coefficient of low dimensional semiconductor systems: the photoluminescence of InGaN quantum dot [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mejo.2003.10.005
Artigo de periodico
Hole mobility in zincblende c-GaN (2004)
Rodrigues, C G; Fernandez, J R L; Leite, J. R.; Chitta, V A; Freire, V N; Vasconcellos, A R; Luzzi, R
Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, TERMODINÂMICA
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ABNT
RODRIGUES, C G et al. Hole mobility in zincblende c-GaN. Journal of Applied Physics, 2004Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000095000009004914000001&idtype=cvips. Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Rodrigues, C. G., Fernandez, J. R. L., Leite, J. R., Chitta, V. A., Freire, V. N., Vasconcellos, A. R., & Luzzi, R. (2004). Hole mobility in zincblende c-GaN. Journal of Applied Physics. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000095000009004914000001&idtype=cvips
NLM
Rodrigues CG, Fernandez JRL, Leite JR, Chitta VA, Freire VN, Vasconcellos AR, Luzzi R. Hole mobility in zincblende c-GaN [Internet]. Journal of Applied Physics. 2004 ;[citado 2024 nov. 13 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000095000009004914000001&idtype=cvips
Vancouver
Rodrigues CG, Fernandez JRL, Leite JR, Chitta VA, Freire VN, Vasconcellos AR, Luzzi R. Hole mobility in zincblende c-GaN [Internet]. Journal of Applied Physics. 2004 ;[citado 2024 nov. 13 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=JAPIAU000095000009004914000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
Strain effects on the vibrational modes of III-nitrides (2004)
Alves, H W Leite; Alves, J L A; Santos, A M; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, H W Leite et al. Strain effects on the vibrational modes of III-nitrides. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0125-2.pdf. Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Alves, J. L. A., Santos, A. M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2004). Strain effects on the vibrational modes of III-nitrides. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0125-2.pdf
NLM
Alves HWL, Alves JLA, Santos AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Strain effects on the vibrational modes of III-nitrides [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 nov. 13 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0125-2.pdf
Vancouver
Alves HWL, Alves JLA, Santos AM, Scolfaro LMR, Leite JR. Strain effects on the vibrational modes of III-nitrides [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 nov. 13 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0125-2.pdf
Trabalho de evento-resumo
Controlling the charge and the spin-polarization distribution in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures (2004)
Lima, Ivan C. da Cunha; Rodrigues, Sara C. P.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Sipahi, Guilherme Matos
Source: Abstracts. Conference titles: International Conference on Physics and Applications of Spin-Related Phenomena in Semiconductors - PASPS. Unidades: IF, IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LIMA, Ivan C. da Cunha et al. Controlling the charge and the spin-polarization distribution in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures. 2004, Anais.. Santa Barbara: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2004. . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Lima, I. C. da C., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Sipahi, G. M. (2004). Controlling the charge and the spin-polarization distribution in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures. In Abstracts. Santa Barbara: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Lima IC da C, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM. Controlling the charge and the spin-polarization distribution in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures. Abstracts. 2004 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Lima IC da C, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Sipahi GM. Controlling the charge and the spin-polarization distribution in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor multilayered structures. Abstracts. 2004 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Artigo de periodico
Charge and spin distributions in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As/GaAs ferromagnetic multilayers (2004)
Rodrigues, S C P; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Lima, I C C; Sipahi, Guilherme Matos ; Boselli, M A
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: FERROMAGNETISMO, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S C P et al. Charge and spin distributions in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As/GaAs ferromagnetic multilayers. Physical Review B, 2004Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000070000016165308000001&idtype=cvips. Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Lima, I. C. C., Sipahi, G. M., & Boselli, M. A. (2004). Charge and spin distributions in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As/GaAs ferromagnetic multilayers. Physical Review B. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000070000016165308000001&idtype=cvips
NLM
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Lima ICC, Sipahi GM, Boselli MA. Charge and spin distributions in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As/GaAs ferromagnetic multilayers [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2024 nov. 13 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000070000016165308000001&idtype=cvips
Vancouver
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Lima ICC, Sipahi GM, Boselli MA. Charge and spin distributions in 'Ga IND. 1-x''Mn IND. x'As/GaAs ferromagnetic multilayers [Internet]. Physical Review B. 2004 ;[citado 2024 nov. 13 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000070000016165308000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
Electronic properties of GaMnAs/GaAs ferromagnetic multilayers (2004)
Rodrigues, Sara C. P.; Sipahi, Guilherme Matos ; Lima, Ivan C. da Cunha; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Resumos. Conference titles: Workshop on Semiconductor Nanodevices and Nanostructured Materials - NanoSemiMat-3. Unidades: IFSC, IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, Sara C. P. et al. Electronic properties of GaMnAs/GaAs ferromagnetic multilayers. 2004, Anais.. Salvador: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2004. . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Lima, I. C. da C., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2004). Electronic properties of GaMnAs/GaAs ferromagnetic multilayers. In Resumos. Salvador: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Lima IC da C, Scolfaro LMR, Leite JR. Electronic properties of GaMnAs/GaAs ferromagnetic multilayers. Resumos. 2004 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Lima IC da C, Scolfaro LMR, Leite JR. Electronic properties of GaMnAs/GaAs ferromagnetic multilayers. Resumos. 2004 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Trabalho de evento-resumo
Spin-polarized k.p theory applied to DMS devices (2004)
Sipahi, Guilherme Matos ; Rodrigues, S. C. P.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Lima, Ivan C. Cunha
Source: Program and Abstracts. Conference titles: The Internacional Conference on Superlattices, Nano-structures and Nano-devices - ICSNN. Unidades: IFSC, IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Spin-polarized k.p theory applied to DMS devices. 2004, Anais.. Cancún: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2004. . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Sipahi, G. M., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Lima, I. C. C. (2004). Spin-polarized k.p theory applied to DMS devices. In Program and Abstracts. Cancún: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Lima ICC. Spin-polarized k.p theory applied to DMS devices. Program and Abstracts. 2004 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Lima ICC. Spin-polarized k.p theory applied to DMS devices. Program and Abstracts. 2004 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Artigo de periodico
First-principles materials study for spintronics: MnAs and MnN (2004)
Paiva, R de; Alves, J L A; Nogueira, R A; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PAIVA, R de et al. First-principles materials study for spintronics: MnAs and MnN. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400008. Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Paiva, R. de, Alves, J. L. A., Nogueira, R. A., Leite, J. R., & Scolfaro, L. M. R. (2004). First-principles materials study for spintronics: MnAs and MnN. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000400008
NLM
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Leite JR, Scolfaro LMR. First-principles materials study for spintronics: MnAs and MnN [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400008
Vancouver
Paiva R de, Alves JLA, Nogueira RA, Leite JR, Scolfaro LMR. First-principles materials study for spintronics: MnAs and MnN [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400008
Trabalho de evento-resumo
First principles studies of Indium clustering in AlGaInN alloys (2004)
Marques, Marcelo; Telles, Lara K; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Ferreira, Luis G
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, SEMICONDUTORES
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ABNT
MARQUES, Marcelo et al. First principles studies of Indium clustering in AlGaInN alloys. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1073-1.pdf. Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Marques, M., Telles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Ferreira, L. G. (2004). First principles studies of Indium clustering in AlGaInN alloys. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1073-1.pdf
NLM
Marques M, Telles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Ferreira LG. First principles studies of Indium clustering in AlGaInN alloys [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 nov. 13 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1073-1.pdf
Vancouver
Marques M, Telles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Ferreira LG. First principles studies of Indium clustering in AlGaInN alloys [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 nov. 13 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1073-1.pdf
Artigo de periodico
Polaronic effects on the intra-donor 1s'SETA''2p POT. '= OU -'' transition energies in GaN structures (2004)
Almeida, R B; Borges, A N; Machado, P C M; Leite, J. R.; Osório, F A P
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, INTERAÇÕES FUNDAMENTAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALMEIDA, R B et al. Polaronic effects on the intra-donor 1s'SETA''2p POT. '= OU -'' transition energies in GaN structures. Solid State Communications, 2004Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TVW-4BFXF5K-8-34&_cdi=5545&_orig=browse&_coverDate=04%2F30%2F2004&_sk=998699998&view=c&wchp=dGLbVtb-zSkzS&_acct=C000049650&_version=1&_userid=972067&md5=fc468d762a4d997bee71d4a23b023d3d&ie=f.pdf. Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Almeida, R. B., Borges, A. N., Machado, P. C. M., Leite, J. R., & Osório, F. A. P. (2004). Polaronic effects on the intra-donor 1s'SETA''2p POT. '= OU -'' transition energies in GaN structures. Solid State Communications. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TVW-4BFXF5K-8-34&_cdi=5545&_orig=browse&_coverDate=04%2F30%2F2004&_sk=998699998&view=c&wchp=dGLbVtb-zSkzS&_acct=C000049650&_version=1&_userid=972067&md5=fc468d762a4d997bee71d4a23b023d3d&ie=f.pdf
NLM
Almeida RB, Borges AN, Machado PCM, Leite JR, Osório FAP. Polaronic effects on the intra-donor 1s'SETA''2p POT. '= OU -'' transition energies in GaN structures [Internet]. Solid State Communications. 2004 ;[citado 2024 nov. 13 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TVW-4BFXF5K-8-34&_cdi=5545&_orig=browse&_coverDate=04%2F30%2F2004&_sk=998699998&view=c&wchp=dGLbVtb-zSkzS&_acct=C000049650&_version=1&_userid=972067&md5=fc468d762a4d997bee71d4a23b023d3d&ie=f.pdf
Vancouver
Almeida RB, Borges AN, Machado PCM, Leite JR, Osório FAP. Polaronic effects on the intra-donor 1s'SETA''2p POT. '= OU -'' transition energies in GaN structures [Internet]. Solid State Communications. 2004 ;[citado 2024 nov. 13 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6TVW-4BFXF5K-8-34&_cdi=5545&_orig=browse&_coverDate=04%2F30%2F2004&_sk=998699998&view=c&wchp=dGLbVtb-zSkzS&_acct=C000049650&_version=1&_userid=972067&md5=fc468d762a4d997bee71d4a23b023d3d&ie=f.pdf
Trabalho de evento-resumo
Spin-polarized charge densities in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor ternary and quaternary alloy heterostructures (2004)
Sipahi, Guilherme Matos ; Rodrigues, S. C. P.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Lima, I. C. da Cunha
Source: Abstracts. Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS. Unidades: IFSC, IF
Subjects: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SIPAHI, Guilherme Matos et al. Spin-polarized charge densities in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor ternary and quaternary alloy heterostructures. 2004, Anais.. Flagstaff: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 2004. . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Sipahi, G. M., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Lima, I. C. da C. (2004). Spin-polarized charge densities in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor ternary and quaternary alloy heterostructures. In Abstracts. Flagstaff: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Lima IC da C. Spin-polarized charge densities in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor ternary and quaternary alloy heterostructures. Abstracts. 2004 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Sipahi GM, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Lima IC da C. Spin-polarized charge densities in (In,Ga,Mn)As-based diluted magnetic semiconductor ternary and quaternary alloy heterostructures. Abstracts. 2004 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Artigo de periodico
Charge and spin distributions in 'Ga IND.1-x''Mn IND.x'/ GaAs ferromagnetic multilayers (2004)
Rodrigues, S. C. P.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Lima, Ivan C. da Cunha; Sipahi, Guilherme Matos ; Boselli, M. A.
Source: Physical Review B. Unidades: IF, IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, S. C. P. et al. Charge and spin distributions in 'Ga IND.1-x''Mn IND.x'/ GaAs ferromagnetic multilayers. Physical Review B, v. 70, n. 16, p. 165308-1-165308-8, 2004Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/6d310864-0e79-4e55-b73e-3d7f155a8cdd/Charge%20and%20spin%20distributions%20in%20Ga1%E2%88%92xMnxAs_GaAs%20ferromagnetic%20multilayers.pdf. Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Lima, I. C. da C., Sipahi, G. M., & Boselli, M. A. (2004). Charge and spin distributions in 'Ga IND.1-x''Mn IND.x'/ GaAs ferromagnetic multilayers. Physical Review B, 70( 16), 165308-1-165308-8. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/6d310864-0e79-4e55-b73e-3d7f155a8cdd/Charge%20and%20spin%20distributions%20in%20Ga1%E2%88%92xMnxAs_GaAs%20ferromagnetic%20multilayers.pdf
NLM
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Lima IC da C, Sipahi GM, Boselli MA. Charge and spin distributions in 'Ga IND.1-x''Mn IND.x'/ GaAs ferromagnetic multilayers [Internet]. Physical Review B. 2004 ; 70( 16): 165308-1-165308-8.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/6d310864-0e79-4e55-b73e-3d7f155a8cdd/Charge%20and%20spin%20distributions%20in%20Ga1%E2%88%92xMnxAs_GaAs%20ferromagnetic%20multilayers.pdf
Vancouver
Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Leite JR, Lima IC da C, Sipahi GM, Boselli MA. Charge and spin distributions in 'Ga IND.1-x''Mn IND.x'/ GaAs ferromagnetic multilayers [Internet]. Physical Review B. 2004 ; 70( 16): 165308-1-165308-8.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/6d310864-0e79-4e55-b73e-3d7f155a8cdd/Charge%20and%20spin%20distributions%20in%20Ga1%E2%88%92xMnxAs_GaAs%20ferromagnetic%20multilayers.pdf
Artigo de periodico
Carrier diffusion in InGaAs/GaAs quantum wells grow on vicinal GaAs(001) substrates (2004)
Monte, A F G; Soler, M A G; Silva, S W da; Rodrigues, B B D; Morais, P C; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Source: Physica E. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MONTE, A F G et al. Carrier diffusion in InGaAs/GaAs quantum wells grow on vicinal GaAs(001) substrates. Physica E, v. 23, n. 3-4, p. 466-470, 2004Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=6159&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=17f1fea449f699588a0075ae9a65600c. Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Monte, A. F. G., Soler, M. A. G., Silva, S. W. da, Rodrigues, B. B. D., Morais, P. C., Quivy, A. A., & Leite, J. R. (2004). Carrier diffusion in InGaAs/GaAs quantum wells grow on vicinal GaAs(001) substrates. Physica E, 23( 3-4), 466-470. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=6159&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=17f1fea449f699588a0075ae9a65600c
NLM
Monte AFG, Soler MAG, Silva SW da, Rodrigues BBD, Morais PC, Quivy AA, Leite JR. Carrier diffusion in InGaAs/GaAs quantum wells grow on vicinal GaAs(001) substrates [Internet]. Physica E. 2004 ; 23( 3-4): 466-470.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=6159&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=17f1fea449f699588a0075ae9a65600c
Vancouver
Monte AFG, Soler MAG, Silva SW da, Rodrigues BBD, Morais PC, Quivy AA, Leite JR. Carrier diffusion in InGaAs/GaAs quantum wells grow on vicinal GaAs(001) substrates [Internet]. Physica E. 2004 ; 23( 3-4): 466-470.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=6159&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=17f1fea449f699588a0075ae9a65600c

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