ReP USP - Resultado da busca

Trabalho de evento-resumo
Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons (2005)
Lopes, K. C.; Matsuoka, M; Sucasaire, W; Mittani, J C R; Avanci, L H; Chubaci, J F D; Salvadori, M C B S; Leite, J. R.; Sant'Ana, A. C. de; Temperini, Márcia Laudelina Arruda ; Freitas, J. A.
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidades: IF, IQ
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FILMES FINOS, SEMICONDUTORES, FEIXES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LOPES, K. C. et al. Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons. 2005, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2005. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1205-1.pdf. Acesso em: 10 out. 2024.
APA
Lopes, K. C., Matsuoka, M., Sucasaire, W., Mittani, J. C. R., Avanci, L. H., Chubaci, J. F. D., et al. (2005). Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1205-1.pdf
NLM
Lopes KC, Matsuoka M, Sucasaire W, Mittani JCR, Avanci LH, Chubaci JFD, Salvadori MCBS, Leite JR, Sant'Ana AC de, Temperini MLA, Freitas JA. Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 out. 10 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1205-1.pdf
Vancouver
Lopes KC, Matsuoka M, Sucasaire W, Mittani JCR, Avanci LH, Chubaci JFD, Salvadori MCBS, Leite JR, Sant'Ana AC de, Temperini MLA, Freitas JA. Caracterização de filmes finos de nitreto de índio formados por deposição assistida por feixe de íons [Internet]. Resumos. 2005 ;[citado 2024 out. 10 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxviii/sys/resumos/R1205-1.pdf
Artigo de periodico
Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping (2004)
Fernandez, J R L; Cerdeira, F; Meneses, E A; Soares, J A N T; Noriega, O C; Leite, J. R.; As, D J; Salazar, D G P; Schikora, D; Lischka, K
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FILMES FINOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Microelectronics Journal, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00226-x. Acesso em: 10 out. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Soares, J. A. N. T., Noriega, O. C., Leite, J. R., et al. (2004). Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Microelectronics Journal. doi:10.1016/s0026-2692(03)00226-x
NLM
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2024 out. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00226-x
Vancouver
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2024 out. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00226-x
Artigo de periodico
Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions (2004)
Chitta, Valmir Antonio; Coaquira, J A H; Fernandez, J R L; Duarte, C A; Leite, J. R.; Schikora, D; As, D J; Lischka, K; Abramof, E
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FILMES FINOS, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, ESPECTROSCOPIA RAMAN
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CHITTA, Valmir Antonio et al. Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions. Applied Physics Letters, v. 85, n. 17, p. 3777-3779, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1812590. Acesso em: 10 out. 2024.
APA
Chitta, V. A., Coaquira, J. A. H., Fernandez, J. R. L., Duarte, C. A., Leite, J. R., Schikora, D., et al. (2004). Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions. Applied Physics Letters, 85( 17), 3777-3779. doi:10.1063/1.1812590
NLM
Chitta VA, Coaquira JAH, Fernandez JRL, Duarte CA, Leite JR, Schikora D, As DJ, Lischka K, Abramof E. Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 17): 3777-3779.[citado 2024 out. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1812590
Vancouver
Chitta VA, Coaquira JAH, Fernandez JRL, Duarte CA, Leite JR, Schikora D, As DJ, Lischka K, Abramof E. Room temperature ferromagnetism in cubic GaN epilayers implanted with "Mn POT.+" ions [Internet]. Applied Physics Letters. 2004 ; 85( 17): 3777-3779.[citado 2024 out. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1812590
Trabalho de evento-resumo
Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping (2003)
Fernandez, J R L; Cerdeira, F; Meneses, E A; Soares, J A N T; Santos, A M; Noriega, Odille Cue; Leite, J. R.; As, Donat Joseph; Köhler, U; Salazar, D G P; Schikora, D; Lischka, K
Source: Programa e Livro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, MATÉRIA CONDENSADA, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. 2003, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2003. . Acesso em: 10 out. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Soares, J. A. N. T., Santos, A. M., Noriega, O. C., et al. (2003). Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Santos AM, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Köhler U, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Programa e Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 out. 10 ]
Vancouver
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Santos AM, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Köhler U, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Programa e Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 out. 10 ]
Trabalho de evento-resumo
Influence of Mn distribution on the shottky barrier of ion implanted (Ga, Mn)N thin films (2003)
Boselli, M A; Lima, Ivan Costa da Cunha; Ortiz de Zevallos, Angela M; Pinto, R; Soares, J A N T; Chitta, V A; Leite, J. R.
Source: Programa e Livro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, MATÉRIA CONDENSADA, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BOSELLI, M A et al. Influence of Mn distribution on the shottky barrier of ion implanted (Ga, Mn)N thin films. 2003, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2003. . Acesso em: 10 out. 2024.
APA
Boselli, M. A., Lima, I. C. da C., Ortiz de Zevallos, A. M., Pinto, R., Soares, J. A. N. T., Chitta, V. A., & Leite, J. R. (2003). Influence of Mn distribution on the shottky barrier of ion implanted (Ga, Mn)N thin films. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Boselli MA, Lima IC da C, Ortiz de Zevallos AM, Pinto R, Soares JANT, Chitta VA, Leite JR. Influence of Mn distribution on the shottky barrier of ion implanted (Ga, Mn)N thin films. Programa e Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 out. 10 ]
Vancouver
Boselli MA, Lima IC da C, Ortiz de Zevallos AM, Pinto R, Soares JANT, Chitta VA, Leite JR. Influence of Mn distribution on the shottky barrier of ion implanted (Ga, Mn)N thin films. Programa e Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 out. 10 ]
Artigo de periodico
InAs/GaAs quantum dots optically active at 1.5 'mu' (2003)
Silva, M J da; Quivy, A. A.; Martini, S; Lamas, T E; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Leite, J. R.
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, ESTRUTURA DOS MATERIAIS, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, M J da et al. InAs/GaAs quantum dots optically active at 1.5 'mu'. Applied Physics Letters, v. 82, n. 16, p. 2646-2648, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1569053. Acesso em: 10 out. 2024.
APA
Silva, M. J. da, Quivy, A. A., Martini, S., Lamas, T. E., Silva, E. C. F. da, & Leite, J. R. (2003). InAs/GaAs quantum dots optically active at 1.5 'mu'. Applied Physics Letters, 82( 16), 2646-2648. doi:10.1063/1.1569053
NLM
Silva MJ da, Quivy AA, Martini S, Lamas TE, Silva ECF da, Leite JR. InAs/GaAs quantum dots optically active at 1.5 'mu' [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 16): 2646-2648.[citado 2024 out. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1569053
Vancouver
Silva MJ da, Quivy AA, Martini S, Lamas TE, Silva ECF da, Leite JR. InAs/GaAs quantum dots optically active at 1.5 'mu' [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 16): 2646-2648.[citado 2024 out. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1569053
Artigo de periodico
Energy gap and optical properties of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N (2003)
Bechtesdt, F; Furthmuller, J; Ferhat, M; Teles, L. K.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Davydov, V Yu; Ambacher, O; Goldhahn, R
Source: Physics Status Solidi A-Applied Research. Unidade: IF
Assunto: FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BECHTESDT, F et al. Energy gap and optical properties of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N. Physics Status Solidi A-Applied Research, v. 195, n. 3, p. 628-633, 2003Tradução . . Disponível em: http://download.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=102530239&PLACEBO=IE.pdf&mode=pdf. Acesso em: 10 out. 2024.
APA
Bechtesdt, F., Furthmuller, J., Ferhat, M., Teles, L. K., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., et al. (2003). Energy gap and optical properties of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N. Physics Status Solidi A-Applied Research, 195( 3), 628-633. Recuperado de http://download.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=102530239&PLACEBO=IE.pdf&mode=pdf
NLM
Bechtesdt F, Furthmuller J, Ferhat M, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Davydov VY, Ambacher O, Goldhahn R. Energy gap and optical properties of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N [Internet]. Physics Status Solidi A-Applied Research. 2003 ; 195( 3): 628-633.[citado 2024 out. 10 ] Available from: http://download.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=102530239&PLACEBO=IE.pdf&mode=pdf
Vancouver
Bechtesdt F, Furthmuller J, Ferhat M, Teles LK, Scolfaro LMR, Leite JR, Davydov VY, Ambacher O, Goldhahn R. Energy gap and optical properties of 'In IND.X' 'Ga IND.1-X' N [Internet]. Physics Status Solidi A-Applied Research. 2003 ; 195( 3): 628-633.[citado 2024 out. 10 ] Available from: http://download.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=102530239&PLACEBO=IE.pdf&mode=pdf
Artigo de periodico
Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function (2003)
Marques, M; Teles, L. K.; Anjos, V; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Freire, V N; Farias, G A; Silva Junior, E F da
Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FILMES FINOS, ÓPTICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARQUES, M et al. Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function. Applied Physics Letters, v. 82, n. 18, p. 3074-3076, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1570922. Acesso em: 10 out. 2024.
APA
Marques, M., Teles, L. K., Anjos, V., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Freire, V. N., et al. (2003). Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function. Applied Physics Letters, 82( 18), 3074-3076. doi:10.1063/1.1570922
NLM
Marques M, Teles LK, Anjos V, Scolfaro LMR, Leite JR, Freire VN, Farias GA, Silva Junior EF da. Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 18): 3074-3076.[citado 2024 out. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1570922
Vancouver
Marques M, Teles LK, Anjos V, Scolfaro LMR, Leite JR, Freire VN, Farias GA, Silva Junior EF da. Full-relativistic calculations of the 'SrTiO IND.3' carrier effective masses and complex dieletric function [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 18): 3074-3076.[citado 2024 out. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1570922
Trabalho de evento-resumo
Ferromagnetic order in the cubic metalic phase of a (Ga, Mn)N: Monte Carlo simulation (2003)
Boselli, Marcos A; Lima, Ivan Costa da Cunha; Leite, J. R.; Troper, A; Ghazali, A
Source: Programa e Livro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, MATÉRIA CONDENSADA, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BOSELLI, Marcos A et al. Ferromagnetic order in the cubic metalic phase of a (Ga, Mn)N: Monte Carlo simulation. 2003, Anais.. Rio Janeiro: SBPMat, 2003. . Acesso em: 10 out. 2024.
APA
Boselli, M. A., Lima, I. C. da C., Leite, J. R., Troper, A., & Ghazali, A. (2003). Ferromagnetic order in the cubic metalic phase of a (Ga, Mn)N: Monte Carlo simulation. In Programa e Livro de Resumos. Rio Janeiro: SBPMat.
NLM
Boselli MA, Lima IC da C, Leite JR, Troper A, Ghazali A. Ferromagnetic order in the cubic metalic phase of a (Ga, Mn)N: Monte Carlo simulation. Programa e Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 out. 10 ]
Vancouver
Boselli MA, Lima IC da C, Leite JR, Troper A, Ghazali A. Ferromagnetic order in the cubic metalic phase of a (Ga, Mn)N: Monte Carlo simulation. Programa e Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 out. 10 ]
Artigo de periodico
Confined excitons in 'Si/SrTiO IND.3' quantum wells (2003)
Pereira, T A S; Freire, J A K; Freire, V N; Farias, G A; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Silva Junior, E F da
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: LUMINESCÊNCIA, FILMES FINOS, ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PEREIRA, T A S et al. Confined excitons in 'Si/SrTiO IND.3' quantum wells. Microelectronics Journal, v. 34, p. 507-509, 2003Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1. Acesso em: 10 out. 2024.
APA
Pereira, T. A. S., Freire, J. A. K., Freire, V. N., Farias, G. A., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., & Silva Junior, E. F. da. (2003). Confined excitons in 'Si/SrTiO IND.3' quantum wells. Microelectronics Journal, 34, 507-509. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
NLM
Pereira TAS, Freire JAK, Freire VN, Farias GA, Scolfaro LMR, Leite JR, Silva Junior EF da. Confined excitons in 'Si/SrTiO IND.3' quantum wells [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34 507-509.[citado 2024 out. 10 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Vancouver
Pereira TAS, Freire JAK, Freire VN, Farias GA, Scolfaro LMR, Leite JR, Silva Junior EF da. Confined excitons in 'Si/SrTiO IND.3' quantum wells [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34 507-509.[citado 2024 out. 10 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1
Artigo de periodico
Near band-edge optical properties of cubic GaN (2003)
Fernandez, J R L; Noriega, O C; Soares, J A N T; Cerdeira, F; Meneses, E A; Leite, J. R.; As, D J; Schikora, D; Lischka, K
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Subjects: FILMES FINOS, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Near band-edge optical properties of cubic GaN. Solid State Communications, v. 125, n. 3-4, p. 205-208, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(02)00768-8. Acesso em: 10 out. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Noriega, O. C., Soares, J. A. N. T., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Leite, J. R., et al. (2003). Near band-edge optical properties of cubic GaN. Solid State Communications, 125( 3-4), 205-208. doi:10.1016/s0038-1098(02)00768-8
NLM
Fernandez JRL, Noriega OC, Soares JANT, Cerdeira F, Meneses EA, Leite JR, As DJ, Schikora D, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN [Internet]. Solid State Communications. 2003 ; 125( 3-4): 205-208.[citado 2024 out. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(02)00768-8
Vancouver
Fernandez JRL, Noriega OC, Soares JANT, Cerdeira F, Meneses EA, Leite JR, As DJ, Schikora D, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN [Internet]. Solid State Communications. 2003 ; 125( 3-4): 205-208.[citado 2024 out. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(02)00768-8
Artigo de periodico
Quasiclassical negative magnetoresistence of a two-dimensional electron gas in a random magnetic field (2002)
Bykov, A A; Gusev, Guennadii Michailovich; Leite, J. R.; Bakarov, A K; Goran, A V; Kudryashev, V M; Toropov, A I
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: FILMES FINOS, SEMICONDUTORES, SUPERFÍCIE FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BYKOV, A A et al. Quasiclassical negative magnetoresistence of a two-dimensional electron gas in a random magnetic field. Physical Review B, v. 65, n. 3, p. 35302/1-35302/7, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.65.035302. Acesso em: 10 out. 2024.
APA
Bykov, A. A., Gusev, G. M., Leite, J. R., Bakarov, A. K., Goran, A. V., Kudryashev, V. M., & Toropov, A. I. (2002). Quasiclassical negative magnetoresistence of a two-dimensional electron gas in a random magnetic field. Physical Review B, 65( 3), 35302/1-35302/7. doi:10.1103/physrevb.65.035302
NLM
Bykov AA, Gusev GM, Leite JR, Bakarov AK, Goran AV, Kudryashev VM, Toropov AI. Quasiclassical negative magnetoresistence of a two-dimensional electron gas in a random magnetic field [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 3): 35302/1-35302/7.[citado 2024 out. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.65.035302
Vancouver
Bykov AA, Gusev GM, Leite JR, Bakarov AK, Goran AV, Kudryashev VM, Toropov AI. Quasiclassical negative magnetoresistence of a two-dimensional electron gas in a random magnetic field [Internet]. Physical Review B. 2002 ; 65( 3): 35302/1-35302/7.[citado 2024 out. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.65.035302
Artigo de periodico
Photoluminescence associated with quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructures (2002)
Husberg, O; Khartchenko, A; Vogelsang, H; As, D J; Lischka, K; Noriega, Odille Cue; Tabata, Americo; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Physica E. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, MATERIAIS, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HUSBERG, O et al. Photoluminescence associated with quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructures. Physica E, v. 13, n. 2-4, p. 1090-1093, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00310-7. Acesso em: 10 out. 2024.
APA
Husberg, O., Khartchenko, A., Vogelsang, H., As, D. J., Lischka, K., Noriega, O. C., et al. (2002). Photoluminescence associated with quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructures. Physica E, 13( 2-4), 1090-1093. doi:10.1016/s1386-9477(02)00310-7
NLM
Husberg O, Khartchenko A, Vogelsang H, As DJ, Lischka K, Noriega OC, Tabata A, Scolfaro LMR, Leite JR. Photoluminescence associated with quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructures [Internet]. Physica E. 2002 ; 13( 2-4): 1090-1093.[citado 2024 out. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00310-7
Vancouver
Husberg O, Khartchenko A, Vogelsang H, As DJ, Lischka K, Noriega OC, Tabata A, Scolfaro LMR, Leite JR. Photoluminescence associated with quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructures [Internet]. Physica E. 2002 ; 13( 2-4): 1090-1093.[citado 2024 out. 10 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00310-7

USP Schools

ReP

Filtros

Authors

USP affiliated authors

Subjects

Source title

Countries/Territories

Normalized affiliation

Non normalized affiliation