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  • Source: European Physical Journal D. Unidade: IF

    Subjects: ÁTOMOS, MOLÉCULA

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    • ABNT

      FALKOWSKI, Alan Guilherme et al. A model potential for computing total ionization cross sections of atoms and molecules by electron impact. European Physical Journal D, v. 75, 2021Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1140/epjd/s10053-021-00323-0. Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Falkowski, A. G., Bettega, M. H. F., Lima, M. A. P., & Ferreira, L. G. (2021). A model potential for computing total ionization cross sections of atoms and molecules by electron impact. European Physical Journal D, 75. doi:10.1140/epjd/s10053-021-00323-0
    • NLM

      Falkowski AG, Bettega MHF, Lima MAP, Ferreira LG. A model potential for computing total ionization cross sections of atoms and molecules by electron impact [Internet]. European Physical Journal D. 2021 ; 75[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1140/epjd/s10053-021-00323-0
    • Vancouver

      Falkowski AG, Bettega MHF, Lima MAP, Ferreira LG. A model potential for computing total ionization cross sections of atoms and molecules by electron impact [Internet]. European Physical Journal D. 2021 ; 75[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1140/epjd/s10053-021-00323-0
  • Source: Abstracts. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidade: IF

    Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA

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    • ABNT

      GUILHON, I et al. DFT-½ method on 2D materials: an approximate quasiparticle correction for the calculation of fundamental energy gap. 2019, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2019. . Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Guilhon, I., Koda, D. S., Marques, M., Teles, L. K., & Ferreira, L. G. (2019). DFT-½ method on 2D materials: an approximate quasiparticle correction for the calculation of fundamental energy gap. In Abstracts. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF.
    • NLM

      Guilhon I, Koda DS, Marques M, Teles LK, Ferreira LG. DFT-½ method on 2D materials: an approximate quasiparticle correction for the calculation of fundamental energy gap. Abstracts. 2019 ;[citado 2024 nov. 07 ]
    • Vancouver

      Guilhon I, Koda DS, Marques M, Teles LK, Ferreira LG. DFT-½ method on 2D materials: an approximate quasiparticle correction for the calculation of fundamental energy gap. Abstracts. 2019 ;[citado 2024 nov. 07 ]
  • Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTIVIDADE, FILMES FINOS

    Versão PublicadaAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      GUILHON, Ivan et al. Approximate quasiparticle correction for calculations of the energy gap in two-dimensional materials. Physical Review B, v. 97, n. 4, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.97.045426. Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Guilhon, I., Koda, D. S., Ferreira, L. G., Marques, M., & Teles, L. K. (2018). Approximate quasiparticle correction for calculations of the energy gap in two-dimensional materials. Physical Review B, 97( 4). doi:10.1103/physrevb.97.045426
    • NLM

      Guilhon I, Koda DS, Ferreira LG, Marques M, Teles LK. Approximate quasiparticle correction for calculations of the energy gap in two-dimensional materials [Internet]. Physical Review B. 2018 ; 97( 4):[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.97.045426
    • Vancouver

      Guilhon I, Koda DS, Ferreira LG, Marques M, Teles LK. Approximate quasiparticle correction for calculations of the energy gap in two-dimensional materials [Internet]. Physical Review B. 2018 ; 97( 4):[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.97.045426
  • Source: Resumo. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      FREITAS, Felipe Lopes de et al. Accurate bandgap calculations for AlGaInN alloys using the LDA-1/2 method. 2015, Anais.. São Paulo: SBF, 2015. Disponível em: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0824-1.pdf. Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Freitas, F. L. de, Marcelo Marques,, Pelá, R. R., Teles, L. K., & Ferreira, L. G. (2015). Accurate bandgap calculations for AlGaInN alloys using the LDA-1/2 method. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0824-1.pdf
    • NLM

      Freitas FL de, Marcelo Marques, Pelá RR, Teles LK, Ferreira LG. Accurate bandgap calculations for AlGaInN alloys using the LDA-1/2 method [Internet]. Resumo. 2015 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0824-1.pdf
    • Vancouver

      Freitas FL de, Marcelo Marques, Pelá RR, Teles LK, Ferreira LG. Accurate bandgap calculations for AlGaInN alloys using the LDA-1/2 method [Internet]. Resumo. 2015 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0824-1.pdf
  • Source: Resumo. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA

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    • ABNT

      LUCATTO, Bruno et al. Ab initio study of graphene/graphane interface using approximate quasiparticle approach LDA-1/2 method. 2015, Anais.. São Paulo: SBF, 2015. Disponível em: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0950-1.pdf. Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Lucatto, B., Marques, M., Pelá, R. R., Teles, L. K., Ferreira, L. G., & Bechstedt, F. (2015). Ab initio study of graphene/graphane interface using approximate quasiparticle approach LDA-1/2 method. In Resumo. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0950-1.pdf
    • NLM

      Lucatto B, Marques M, Pelá RR, Teles LK, Ferreira LG, Bechstedt F. Ab initio study of graphene/graphane interface using approximate quasiparticle approach LDA-1/2 method [Internet]. Resumo. 2015 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0950-1.pdf
    • Vancouver

      Lucatto B, Marques M, Pelá RR, Teles LK, Ferreira LG, Bechstedt F. Ab initio study of graphene/graphane interface using approximate quasiparticle approach LDA-1/2 method [Internet]. Resumo. 2015 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxviii/sys/resumos/R0950-1.pdf
  • Source: Virology Journal. Unidade: ICB

    Subjects: IMUNOLOGIA, HIV, WESTERN BLOTTING

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    • ABNT

      BORSA, Mariana et al. HIV infection and antiretroviral therapy lead to unfolded protein response activation. Virology Journal, v. 12, p. 1-11, 2015Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1186/s12985-015-0298-0. Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Borsa, M., Ferreira, P. L. C., Petry, A., Ferreira, L. G., Camargo, M. M. de, Bou-Habib, D. C., & Pinto, A. R. (2015). HIV infection and antiretroviral therapy lead to unfolded protein response activation. Virology Journal, 12, 1-11. doi:10.1186/s12985-015-0298-0
    • NLM

      Borsa M, Ferreira PLC, Petry A, Ferreira LG, Camargo MM de, Bou-Habib DC, Pinto AR. HIV infection and antiretroviral therapy lead to unfolded protein response activation [Internet]. Virology Journal. 2015 ; 12 1-11.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1186/s12985-015-0298-0
    • Vancouver

      Borsa M, Ferreira PLC, Petry A, Ferreira LG, Camargo MM de, Bou-Habib DC, Pinto AR. HIV infection and antiretroviral therapy lead to unfolded protein response activation [Internet]. Virology Journal. 2015 ; 12 1-11.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1186/s12985-015-0298-0
  • Source: Instituto de Física da USP aos oitenta anos. Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA, UNIVERSIDADE, MECÂNICA ESTATÍSTICA, FÍSICA

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    • ABNT

      FERREIRA, Luiz Guimarães. Mecânica estatística de compostos intermetálicos. Instituto de Física da USP aos oitenta anos. Tradução . São Paulo: Editora Livraria da Física, 2014. . . Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Ferreira, L. G. (2014). Mecânica estatística de compostos intermetálicos. In Instituto de Física da USP aos oitenta anos. São Paulo: Editora Livraria da Física.
    • NLM

      Ferreira LG. Mecânica estatística de compostos intermetálicos. In: Instituto de Física da USP aos oitenta anos. São Paulo: Editora Livraria da Física; 2014. [citado 2024 nov. 07 ]
    • Vancouver

      Ferreira LG. Mecânica estatística de compostos intermetálicos. In: Instituto de Física da USP aos oitenta anos. São Paulo: Editora Livraria da Física; 2014. [citado 2024 nov. 07 ]
  • Source: SBF. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      MATUSALEM, F. et al. Combined LDA and LDA-1/2 method to obtain defect formation energies in large silicon supercells. 2014, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R1134-1.pdf. Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Matusalem, F., Ribeiro Jr., M., Marques, M., Pelá, R. R., Teles, L. K., & Ferreira, L. G. (2014). Combined LDA and LDA-1/2 method to obtain defect formation energies in large silicon supercells. In SBF. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R1134-1.pdf
    • NLM

      Matusalem F, Ribeiro Jr. M, Marques M, Pelá RR, Teles LK, Ferreira LG. Combined LDA and LDA-1/2 method to obtain defect formation energies in large silicon supercells [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R1134-1.pdf
    • Vancouver

      Matusalem F, Ribeiro Jr. M, Marques M, Pelá RR, Teles LK, Ferreira LG. Combined LDA and LDA-1/2 method to obtain defect formation energies in large silicon supercells [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R1134-1.pdf
  • Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      FERREIRA, Luiz Guimarães et al. Some surprising results of the kohn-sham density functional. . São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Disponível em: http://arxiv.org/pdf/1409.3075v1.pdf. Acesso em: 07 nov. 2024. , 2014
    • APA

      Ferreira, L. G., Marques, M., Teles, L. K., & Pelá, R. R. (2014). Some surprising results of the kohn-sham density functional. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://arxiv.org/pdf/1409.3075v1.pdf
    • NLM

      Ferreira LG, Marques M, Teles LK, Pelá RR. Some surprising results of the kohn-sham density functional [Internet]. 2014 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://arxiv.org/pdf/1409.3075v1.pdf
    • Vancouver

      Ferreira LG, Marques M, Teles LK, Pelá RR. Some surprising results of the kohn-sham density functional [Internet]. 2014 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://arxiv.org/pdf/1409.3075v1.pdf
  • Source: SBF. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      FERREIRA, Luiz Guimarães et al. New and surprising results of the LDA-1/2 method. 2014, Anais.. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 2014. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R1009-1.pdf. Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Ferreira, L. G., Marques, M., Teles, L. K., & Pelá, R. R. (2014). New and surprising results of the LDA-1/2 method. In SBF. São Paulo: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R1009-1.pdf
    • NLM

      Ferreira LG, Marques M, Teles LK, Pelá RR. New and surprising results of the LDA-1/2 method [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R1009-1.pdf
    • Vancouver

      Ferreira LG, Marques M, Teles LK, Pelá RR. New and surprising results of the LDA-1/2 method [Internet]. SBF. 2014 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxvii/sys/resumos/R1009-1.pdf
  • Source: Optics Express. Unidade: IF

    Subjects: MOLÉCULA, SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      MATUSALEM, Filipe et al. Combined LDA and LDA-1/2 method to obtain defect formation energies in large silicon supercells. Optics Express, v. 88, n. 22, p. 224102, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.88.224102. Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Matusalem, F., Ribeiro, M., Marques, M., Pela, R. R., Teles, L. K., & Ferreira, L. G. (2013). Combined LDA and LDA-1/2 method to obtain defect formation energies in large silicon supercells. Optics Express, 88( 22), 224102. doi:10.1103/PhysRevB.88.224102
    • NLM

      Matusalem F, Ribeiro M, Marques M, Pela RR, Teles LK, Ferreira LG. Combined LDA and LDA-1/2 method to obtain defect formation energies in large silicon supercells [Internet]. Optics Express. 2013 ; 88( 22): 224102.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.88.224102
    • Vancouver

      Matusalem F, Ribeiro M, Marques M, Pela RR, Teles LK, Ferreira LG. Combined LDA and LDA-1/2 method to obtain defect formation energies in large silicon supercells [Internet]. Optics Express. 2013 ; 88( 22): 224102.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.88.224102
  • Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, MATERIAIS MAGNÉTICOS

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    • ABNT

      TELES, Lara K et al. Recent Progress on LDA-1/2 method for gap correction. 2013, Anais.. São Carlos: UFSCar, 2013. Disponível em: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=9. Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Teles, L. K., Marques, M., Pelá, R. R., Ribeiro Junior, M., & Ferreira, L. G. (2013). Recent Progress on LDA-1/2 method for gap correction. In . São Carlos: UFSCar. Recuperado de http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=9
    • NLM

      Teles LK, Marques M, Pelá RR, Ribeiro Junior M, Ferreira LG. Recent Progress on LDA-1/2 method for gap correction [Internet]. 2013 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=9
    • Vancouver

      Teles LK, Marques M, Pelá RR, Ribeiro Junior M, Ferreira LG. Recent Progress on LDA-1/2 method for gap correction [Internet]. 2013 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.bwsp16.ifsc.usp.br/index.php?option=com_abstract&view=viewabstract&absid=9
  • Source: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. Unidade: IF

    Subjects: ESPECTROMETRIA, SEMICONDUTORES

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      SILVA FILHO, O. P. et al. All-out band structure and band offset ab initio predictions for AlN/GaN and AlP/GaP interfaces. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, v. 114, n. 3, p. 033709 , 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4812493. Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Silva Filho, O. P., Ribeiro, M., Pela, R. R., Teles, L. K., Marques, M., & Ferreira, L. G. (2013). All-out band structure and band offset ab initio predictions for AlN/GaN and AlP/GaP interfaces. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 114( 3), 033709 . doi:10.1063/1.4812493
    • NLM

      Silva Filho OP, Ribeiro M, Pela RR, Teles LK, Marques M, Ferreira LG. All-out band structure and band offset ab initio predictions for AlN/GaN and AlP/GaP interfaces [Internet]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2013 ; 114( 3): 033709 .[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4812493
    • Vancouver

      Silva Filho OP, Ribeiro M, Pela RR, Teles LK, Marques M, Ferreira LG. All-out band structure and band offset ab initio predictions for AlN/GaN and AlP/GaP interfaces [Internet]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2013 ; 114( 3): 033709 .[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4812493
  • Source: Resumo. Conference titles: XXXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      FILHO, Octavio Pereira da Silva et al. Arsenide, nitride and phosphide semiconductors heterojunctions band alignments calculated for large supercells using local density approximation with self-energy corrections. 2012, Anais.. Águas de Lindóia: SBF, 2012. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0830-1.pdf. Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Filho, O. P. da S., Marques, M., Teles, L. K., Junior, M. R., & Ferreira, L. G. (2012). Arsenide, nitride and phosphide semiconductors heterojunctions band alignments calculated for large supercells using local density approximation with self-energy corrections. In Resumo. Águas de Lindóia: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0830-1.pdf
    • NLM

      Filho OP da S, Marques M, Teles LK, Junior MR, Ferreira LG. Arsenide, nitride and phosphide semiconductors heterojunctions band alignments calculated for large supercells using local density approximation with self-energy corrections [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0830-1.pdf
    • Vancouver

      Filho OP da S, Marques M, Teles LK, Junior MR, Ferreira LG. Arsenide, nitride and phosphide semiconductors heterojunctions band alignments calculated for large supercells using local density approximation with self-energy corrections [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0830-1.pdf
  • Source: Materials Science and Engineering: B. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTIVIDADE, ESTRUTURA ELETRÔNICA (MODELOS MATEMÁTICOS), SEMICONDUTORES (PROPRIEDADES MAGNÉTICAS), FÍSICA ATÔMICA, FÍSICA MOLECULAR

    Versão PublicadaAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      RIBEIRO, M et al. CdSe/CdTe interface band gaps and band offsets calculated using spin–orbit and self-energy corrections. Materials Science and Engineering: B, v. 177, n. 16 p. 1460–1464 2012, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mseb.2011.12.044. Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Ribeiro, M., Ferreira, L. G., Fonseca, L. R. C., & Ramprasad, R. (2012). CdSe/CdTe interface band gaps and band offsets calculated using spin–orbit and self-energy corrections. Materials Science and Engineering: B, 177( 16 p. 1460–1464 2012). doi:10.1016/j.mseb.2011.12.044
    • NLM

      Ribeiro M, Ferreira LG, Fonseca LRC, Ramprasad R. CdSe/CdTe interface band gaps and band offsets calculated using spin–orbit and self-energy corrections [Internet]. Materials Science and Engineering: B. 2012 ;177( 16 p. 1460–1464 2012):[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mseb.2011.12.044
    • Vancouver

      Ribeiro M, Ferreira LG, Fonseca LRC, Ramprasad R. CdSe/CdTe interface band gaps and band offsets calculated using spin–orbit and self-energy corrections [Internet]. Materials Science and Engineering: B. 2012 ;177( 16 p. 1460–1464 2012):[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mseb.2011.12.044
  • Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Subjects: MATERIAIS MAGNÉTICOS, FERROMAGNETISMO, SEMICONDUTORES, FILMES FINOS, NÍQUEL

    Versão PublicadaAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      SANTOS, J P T et al. Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach. Applied Physics Letters, v. 101, n. 11, p. 112403, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4751285. Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Santos, J. P. T., Marques, M., Pelá, R. R., Teles, L. K., & Ferreira, L. G. (2012). Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach. Applied Physics Letters, 101( 11), 112403. doi:10.1063/1.4751285
    • NLM

      Santos JPT, Marques M, Pelá RR, Teles LK, Ferreira LG. Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach [Internet]. Applied Physics Letters. 2012 ;101( 11): 112403.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4751285
    • Vancouver

      Santos JPT, Marques M, Pelá RR, Teles LK, Ferreira LG. Digital magnetic heterostructures based on GaN using GGA-1/2 approach [Internet]. Applied Physics Letters. 2012 ;101( 11): 112403.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4751285
  • Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, SEMICONDUTORES (PROPRIEDADES MAGNÉTICAS)

    Versão PublicadaAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      PELA, R R et al. GaMnAs: position of Mn-d levels and majority spin band gap predicted from GGA-1/2 calculations. Applied Physics Letters, v. 100, n. 20, p. 202408/1-202408/4, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4718602. Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Pela, R. R., Marques, M., Ferreira, L. G., Furthmüller, J., & Teles, L. K. (2012). GaMnAs: position of Mn-d levels and majority spin band gap predicted from GGA-1/2 calculations. Applied Physics Letters, 100( 20), 202408/1-202408/4. doi:10.1063/1.4718602
    • NLM

      Pela RR, Marques M, Ferreira LG, Furthmüller J, Teles LK. GaMnAs: position of Mn-d levels and majority spin band gap predicted from GGA-1/2 calculations [Internet]. Applied Physics Letters. 2012 ; 100( 20): 202408/1-202408/4.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4718602
    • Vancouver

      Pela RR, Marques M, Ferreira LG, Furthmüller J, Teles LK. GaMnAs: position of Mn-d levels and majority spin band gap predicted from GGA-1/2 calculations [Internet]. Applied Physics Letters. 2012 ; 100( 20): 202408/1-202408/4.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4718602
  • Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA COMPUTACIONAL, FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO, FÍSICA TEÓRICA

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    • ABNT

      RIBEIRO JUNIOR, Mauro Fernando Soares. Cálculos de estruturas eletrônicas de materiais e nanoestruturas com inclusão de autoenergia: método LDA/1/2. 2011. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2011. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-02052012-132110/. Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Ribeiro Junior, M. F. S. (2011). Cálculos de estruturas eletrônicas de materiais e nanoestruturas com inclusão de autoenergia: método LDA/1/2 (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-02052012-132110/
    • NLM

      Ribeiro Junior MFS. Cálculos de estruturas eletrônicas de materiais e nanoestruturas com inclusão de autoenergia: método LDA/1/2 [Internet]. 2011 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-02052012-132110/
    • Vancouver

      Ribeiro Junior MFS. Cálculos de estruturas eletrônicas de materiais e nanoestruturas com inclusão de autoenergia: método LDA/1/2 [Internet]. 2011 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-02052012-132110/
  • Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IF

    Assunto: SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      CAETANO, Clóvis et al. Biaxial strain-induced suppression of spinodal decomposition in GaMnAs and GaCrAs. Journal of Applied Physics, v. 107, n. 12, p. 123904/1-123904/5, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3448025. Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Caetano, C., Teles, L. K., Marques, M., & Ferreira, L. G. (2010). Biaxial strain-induced suppression of spinodal decomposition in GaMnAs and GaCrAs. Journal of Applied Physics, 107( 12), 123904/1-123904/5. doi:10.1063/1.3448025
    • NLM

      Caetano C, Teles LK, Marques M, Ferreira LG. Biaxial strain-induced suppression of spinodal decomposition in GaMnAs and GaCrAs [Internet]. Journal of Applied Physics. 2010 ; 107( 12): 123904/1-123904/5.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3448025
    • Vancouver

      Caetano C, Teles LK, Marques M, Ferreira LG. Biaxial strain-induced suppression of spinodal decomposition in GaMnAs and GaCrAs [Internet]. Journal of Applied Physics. 2010 ; 107( 12): 123904/1-123904/5.[citado 2024 nov. 07 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3448025
  • Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      FERREIRA, Luiz Guimarães e TELES, L. K. e MARCELO MARQUES,. Accurate band structures from ab initio LDA-1/2 calculation: new results, surprises, and calculation of lattice parameters. 2010, Anais.. São Paulo: SBF, 2010. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R0151-1.pdf. Acesso em: 07 nov. 2024.
    • APA

      Ferreira, L. G., Teles, L. K., & Marcelo Marques,. (2010). Accurate band structures from ab initio LDA-1/2 calculation: new results, surprises, and calculation of lattice parameters. In . São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R0151-1.pdf
    • NLM

      Ferreira LG, Teles LK, Marcelo Marques. Accurate band structures from ab initio LDA-1/2 calculation: new results, surprises, and calculation of lattice parameters [Internet]. 2010 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R0151-1.pdf
    • Vancouver

      Ferreira LG, Teles LK, Marcelo Marques. Accurate band structures from ab initio LDA-1/2 calculation: new results, surprises, and calculation of lattice parameters [Internet]. 2010 ;[citado 2024 nov. 07 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxiii/sys/resumos/R0151-1.pdf

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