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Artigo de periodico
Ferromagnetic coupling in a Co-doped graphenelike ZnO sheet (2010)
Schmidt, T M; Miwa, R H; Fazzio, A
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FERROMAGNETISMO
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ABNT
SCHMIDT, T M e MIWA, R H e FAZZIO, A. Ferromagnetic coupling in a Co-doped graphenelike ZnO sheet. Physical Review B, v. 81, n. 19, p. 195413-1-195413-4, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.195413. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Schmidt, T. M., Miwa, R. H., & Fazzio, A. (2010). Ferromagnetic coupling in a Co-doped graphenelike ZnO sheet. Physical Review B, 81( 19), 195413-1-195413-4. doi:10.1103/physrevb.81.195413
NLM
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Ferromagnetic coupling in a Co-doped graphenelike ZnO sheet [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( 19): 195413-1-195413-4.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.195413
Vancouver
Schmidt TM, Miwa RH, Fazzio A. Ferromagnetic coupling in a Co-doped graphenelike ZnO sheet [Internet]. Physical Review B. 2010 ; 81( 19): 195413-1-195413-4.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.81.195413
Artigo de periodico
Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom (2001)
Dalpian, G. M.; Fazzio, A; Silva, Antonio Jose Roque da
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
DALPIAN, G. M. e FAZZIO, A e SILVA, Antonio Jose Roque da. Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom. Physical Review B, v. 63, n. 20, p. 5303/1-5303/4, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.205303. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Dalpian, G. M., Fazzio, A., & Silva, A. J. R. da. (2001). Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom. Physical Review B, 63( 20), 5303/1-5303/4. doi:10.1103/physrevb.63.205303
NLM
Dalpian GM, Fazzio A, Silva AJR da. Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 63( 20): 5303/1-5303/4.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.205303
Vancouver
Dalpian GM, Fazzio A, Silva AJR da. Adsorption of monomers on semiconductors and the importance of surface degrees of freedom [Internet]. Physical Review B. 2001 ; 63( 20): 5303/1-5303/4.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.63.205303
Artigo de periodico
Structural properties of amorphous silicon nitride (1998)
Mota, F B; Justo Filho, João Francisco ; Fazzio, A
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
MOTA, F B e JUSTO FILHO, João Francisco e FAZZIO, A. Structural properties of amorphous silicon nitride. Physical Review B, v. 58, n. 3, p. 8323-8328, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.8323. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Mota, F. B., Justo Filho, J. F., & Fazzio, A. (1998). Structural properties of amorphous silicon nitride. Physical Review B, 58( 3), 8323-8328. doi:10.1103/physrevb.58.8323
NLM
Mota FB, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural properties of amorphous silicon nitride [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 3): 8323-8328.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.8323
Vancouver
Mota FB, Justo Filho JF, Fazzio A. Structural properties of amorphous silicon nitride [Internet]. Physical Review B. 1998 ; 58( 3): 8323-8328.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.58.8323
Artigo de periodico
Germanium negative-u center in 'GA''AS' (1996)
Schmidt, T M; Fazzio, A; Caldas, Marília Junqueira
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SCHMIDT, T M e FAZZIO, A e CALDAS, Marília Junqueira. Germanium negative-u center in 'GA''AS'. Physical Review B, v. 53, n. 3 , p. 1315-21, 1996Tradução . . Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Schmidt, T. M., Fazzio, A., & Caldas, M. J. (1996). Germanium negative-u center in 'GA''AS'. Physical Review B, 53( 3 ), 1315-21.
NLM
Schmidt TM, Fazzio A, Caldas MJ. Germanium negative-u center in 'GA''AS'. Physical Review B. 1996 ;53( 3 ): 1315-21.[citado 2024 out. 16 ]
Vancouver
Schmidt TM, Fazzio A, Caldas MJ. Germanium negative-u center in 'GA''AS'. Physical Review B. 1996 ;53( 3 ): 1315-21.[citado 2024 out. 16 ]
Artigo de periodico
Ab initio calculation of electronic properties of periodically 'SI'-'DELTA'-doped 'GA''AS' (1995)
Schmidt, T M; Fazzio, A
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SCHMIDT, T M e FAZZIO, A. Ab initio calculation of electronic properties of periodically 'SI'-'DELTA'-doped 'GA''AS'. Physical Review B, v. 51, n. 12, p. 7898-900, 1995Tradução . . Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Schmidt, T. M., & Fazzio, A. (1995). Ab initio calculation of electronic properties of periodically 'SI'-'DELTA'-doped 'GA''AS'. Physical Review B, 51( 12), 7898-900.
NLM
Schmidt TM, Fazzio A. Ab initio calculation of electronic properties of periodically 'SI'-'DELTA'-doped 'GA''AS'. Physical Review B. 1995 ;51( 12): 7898-900.[citado 2024 out. 16 ]
Vancouver
Schmidt TM, Fazzio A. Ab initio calculation of electronic properties of periodically 'SI'-'DELTA'-doped 'GA''AS'. Physical Review B. 1995 ;51( 12): 7898-900.[citado 2024 out. 16 ]
Artigo de periodico
Role played by n and n-n impurities in type-'IV' semiconductors (1993)
Cunha, C; Canuto, Sylvio; Fazzio, A
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
CUNHA, C e CANUTO, Sylvio e FAZZIO, A. Role played by n and n-n impurities in type-'IV' semiconductors. Physical Review B, v. 48, n. 24, p. 17806-10, 1993Tradução . . Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Cunha, C., Canuto, S., & Fazzio, A. (1993). Role played by n and n-n impurities in type-'IV' semiconductors. Physical Review B, 48( 24), 17806-10.
NLM
Cunha C, Canuto S, Fazzio A. Role played by n and n-n impurities in type-'IV' semiconductors. Physical Review B. 1993 ;48( 24): 17806-10.[citado 2024 out. 16 ]
Vancouver
Cunha C, Canuto S, Fazzio A. Role played by n and n-n impurities in type-'IV' semiconductors. Physical Review B. 1993 ;48( 24): 17806-10.[citado 2024 out. 16 ]
Artigo de periodico
Intra-d excitations: comparison between aproaches for impurities in semiconductors (1988)
Makiuchi, N; Fazzio, A; Canuto, Sylvio
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
MAKIUCHI, N e FAZZIO, A e CANUTO, Sylvio. Intra-d excitations: comparison between aproaches for impurities in semiconductors. Physical Review B, v. 37, n. 9 , p. 4770-3, 1988Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.37.4770. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Makiuchi, N., Fazzio, A., & Canuto, S. (1988). Intra-d excitations: comparison between aproaches for impurities in semiconductors. Physical Review B, 37( 9 ), 4770-3. doi:10.1103/physrevb.37.4770
NLM
Makiuchi N, Fazzio A, Canuto S. Intra-d excitations: comparison between aproaches for impurities in semiconductors [Internet]. Physical Review B. 1988 ;37( 9 ): 4770-3.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.37.4770
Vancouver
Makiuchi N, Fazzio A, Canuto S. Intra-d excitations: comparison between aproaches for impurities in semiconductors [Internet]. Physical Review B. 1988 ;37( 9 ): 4770-3.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.37.4770
Artigo de periodico
Analysis of pseudo-jahn-teller instability: o, s, and 'N POT.-' In silicon (1987)
Amaral, O A V; Antonelli, A; Fazzio, A
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
AMARAL, O A V e ANTONELLI, A e FAZZIO, A. Analysis of pseudo-jahn-teller instability: o, s, and 'N POT.-' In silicon. Physical Review B, v. 35, n. 12, p. 6450-3, 1987Tradução . . Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Amaral, O. A. V., Antonelli, A., & Fazzio, A. (1987). Analysis of pseudo-jahn-teller instability: o, s, and 'N POT.-' In silicon. Physical Review B, 35( 12), 6450-3.
NLM
Amaral OAV, Antonelli A, Fazzio A. Analysis of pseudo-jahn-teller instability: o, s, and 'N POT.-' In silicon. Physical Review B. 1987 ;35( 12): 6450-3.[citado 2024 out. 16 ]
Vancouver
Amaral OAV, Antonelli A, Fazzio A. Analysis of pseudo-jahn-teller instability: o, s, and 'N POT.-' In silicon. Physical Review B. 1987 ;35( 12): 6450-3.[citado 2024 out. 16 ]
Artigo de periodico
Theory of interstitial transition atoms in gaas (1987)
Scolfaro, L M R; Fazzio, A
Source: Physical Review B. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCOLFARO, L M R e FAZZIO, A. Theory of interstitial transition atoms in gaas. Physical Review B, v. 36, n. 14, p. 7542-8, 1987Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.36.7542. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Scolfaro, L. M. R., & Fazzio, A. (1987). Theory of interstitial transition atoms in gaas. Physical Review B, 36( 14), 7542-8. doi:10.1103/physrevb.36.7542
NLM
Scolfaro LMR, Fazzio A. Theory of interstitial transition atoms in gaas [Internet]. Physical Review B. 1987 ;36( 14): 7542-8.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.36.7542
Vancouver
Scolfaro LMR, Fazzio A. Theory of interstitial transition atoms in gaas [Internet]. Physical Review B. 1987 ;36( 14): 7542-8.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.36.7542
Artigo de periodico
Many-electron treatment of the off-center substitutional o in si (1986)
Canuto, Sylvio; Fazzio, A
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: ELÉTRONS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CANUTO, Sylvio e FAZZIO, A. Many-electron treatment of the off-center substitutional o in si. Physical Review B, v. 33, n. 6 , p. 4432-5, 1986Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.33.4432. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Canuto, S., & Fazzio, A. (1986). Many-electron treatment of the off-center substitutional o in si. Physical Review B, 33( 6 ), 4432-5. doi:10.1103/physrevb.33.4432
NLM
Canuto S, Fazzio A. Many-electron treatment of the off-center substitutional o in si [Internet]. Physical Review B. 1986 ;33( 6 ): 4432-5.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.33.4432
Vancouver
Canuto S, Fazzio A. Many-electron treatment of the off-center substitutional o in si [Internet]. Physical Review B. 1986 ;33( 6 ): 4432-5.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.33.4432
Artigo de periodico
Excitation and ionization of 'MO' and w in 'GA''AS' (1986)
Makiuchi, N; Fazzio, A; Caldas, Marília Junqueira
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: IONIZAÇÃO DE GASES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MAKIUCHI, N e FAZZIO, A e CALDAS, Marília Junqueira. Excitation and ionization of 'MO' and w in 'GA''AS'. Physical Review B, v. 34, n. 4 , p. 2690-4, 1986Tradução . . Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Makiuchi, N., Fazzio, A., & Caldas, M. J. (1986). Excitation and ionization of 'MO' and w in 'GA''AS'. Physical Review B, 34( 4 ), 2690-4.
NLM
Makiuchi N, Fazzio A, Caldas MJ. Excitation and ionization of 'MO' and w in 'GA''AS'. Physical Review B. 1986 ;34( 4 ): 2690-4.[citado 2024 out. 16 ]
Vancouver
Makiuchi N, Fazzio A, Caldas MJ. Excitation and ionization of 'MO' and w in 'GA''AS'. Physical Review B. 1986 ;34( 4 ): 2690-4.[citado 2024 out. 16 ]
Artigo de periodico
Theoretical investigation of the electrical and optical activity of vanadium in 'GA''AS' (1986)
Caldas, Marília Junqueira; Figueiredo, S K; Fazzio, A
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: ÓPTICA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CALDAS, Marília Junqueira e FIGUEIREDO, S K e FAZZIO, A. Theoretical investigation of the electrical and optical activity of vanadium in 'GA''AS'. Physical Review B, v. 33, n. 10, p. 7102-9, 1986Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.33.7102. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Caldas, M. J., Figueiredo, S. K., & Fazzio, A. (1986). Theoretical investigation of the electrical and optical activity of vanadium in 'GA''AS'. Physical Review B, 33( 10), 7102-9. doi:10.1103/physrevb.33.7102
NLM
Caldas MJ, Figueiredo SK, Fazzio A. Theoretical investigation of the electrical and optical activity of vanadium in 'GA''AS' [Internet]. Physical Review B. 1986 ;33( 10): 7102-9.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.33.7102
Vancouver
Caldas MJ, Figueiredo SK, Fazzio A. Theoretical investigation of the electrical and optical activity of vanadium in 'GA''AS' [Internet]. Physical Review B. 1986 ;33( 10): 7102-9.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.33.7102
Artigo de periodico
Theoretical model of the au-te complex in silicon (1985)
Assali, L. V. C. ; Leite, J. R.; Fazzio, A
Source: Physical Review B. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. e FAZZIO, A. Theoretical model of the au-te complex in silicon. Physical Review B, v. 32, p. 8085-91, 1985Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.32.8085. Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Leite, J. R., & Fazzio, A. (1985). Theoretical model of the au-te complex in silicon. Physical Review B, 32, 8085-91. doi:10.1103/physrevb.32.8085
NLM
Assali LVC, Leite JR, Fazzio A. Theoretical model of the au-te complex in silicon [Internet]. Physical Review B. 1985 ;32 8085-91.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.32.8085
Vancouver
Assali LVC, Leite JR, Fazzio A. Theoretical model of the au-te complex in silicon [Internet]. Physical Review B. 1985 ;32 8085-91.[citado 2024 out. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.32.8085
Artigo de periodico
Electronic structure of copper, silver and gold in silicon (1985)
Fazzio, A; Caldas, Marília Junqueira; Zunger, A
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FAZZIO, A e CALDAS, Marília Junqueira e ZUNGER, A. Electronic structure of copper, silver and gold in silicon. Physical Review B, v. 32, p. 934-54, 1985Tradução . . Acesso em: 16 out. 2024.
APA
Fazzio, A., Caldas, M. J., & Zunger, A. (1985). Electronic structure of copper, silver and gold in silicon. Physical Review B, 32, 934-54.
NLM
Fazzio A, Caldas MJ, Zunger A. Electronic structure of copper, silver and gold in silicon. Physical Review B. 1985 ;32 934-54.[citado 2024 out. 16 ]
Vancouver
Fazzio A, Caldas MJ, Zunger A. Electronic structure of copper, silver and gold in silicon. Physical Review B. 1985 ;32 934-54.[citado 2024 out. 16 ]

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