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Trabalho de evento-resumo
Comparative study of the proton beam effects between the conventional and circular gate MOSFETs. (2011)
Cirne, Karin Huscher; Lima, J A de; Seixas Jr, L E; Silveira, M A G; Barbosa, M D L; Tabacniks, Manfredo Harri ; Added, N; Medina, N H; Gimenez, S P; Melo, W
Source: Resumo. Conference titles: International Conference on Ion Beam Analysis. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES (FÍSICO-QUÍMICA)
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ABNT
CIRNE, Karin Huscher et al. Comparative study of the proton beam effects between the conventional and circular gate MOSFETs. 2011, Anais.. Itapema: IBA, 2011. Disponível em: http://www.if.ufrgs.br/iba2011/program/239.pdf. Acesso em: 23 ago. 2024.
APA
Cirne, K. H., Lima, J. A. de, Seixas Jr, L. E., Silveira, M. A. G., Barbosa, M. D. L., Tabacniks, M. H., et al. (2011). Comparative study of the proton beam effects between the conventional and circular gate MOSFETs. In Resumo. Itapema: IBA. Recuperado de http://www.if.ufrgs.br/iba2011/program/239.pdf
NLM
Cirne KH, Lima JA de, Seixas Jr LE, Silveira MAG, Barbosa MDL, Tabacniks MH, Added N, Medina NH, Gimenez SP, Melo W. Comparative study of the proton beam effects between the conventional and circular gate MOSFETs. [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 ago. 23 ] Available from: http://www.if.ufrgs.br/iba2011/program/239.pdf
Vancouver
Cirne KH, Lima JA de, Seixas Jr LE, Silveira MAG, Barbosa MDL, Tabacniks MH, Added N, Medina NH, Gimenez SP, Melo W. Comparative study of the proton beam effects between the conventional and circular gate MOSFETs. [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 ago. 23 ] Available from: http://www.if.ufrgs.br/iba2011/program/239.pdf
Trabalho de evento-resumo
Performance of electronic devices submitted to X-rays and high energy proton beams. (2011)
Silveira, Marcilei Aparecida Guazzelli da ; Cirne, Karin Huscher; Seixas Jr, L E; Lima, J A de; Barbosa, M D L; Tabacniks, Manfredo Harri ; Added, N; Medina, N H; Gimenez, S P; Melo, W; Santos, R B B
Source: Resumo. Conference titles: International Conference on Ion Beam Analysis. Unidade: IF
Assunto: RAIOS X
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ABNT
SILVEIRA, Marcilei Aparecida Guazzelli da et al. Performance of electronic devices submitted to X-rays and high energy proton beams. 2011, Anais.. Itapema: IBA, 2011. Disponível em: http://www.if.ufrgs.br/iba2011/program/88.pdf. Acesso em: 23 ago. 2024.
APA
Silveira, M. A. G. da, Cirne, K. H., Seixas Jr, L. E., Lima, J. A. de, Barbosa, M. D. L., Tabacniks, M. H., et al. (2011). Performance of electronic devices submitted to X-rays and high energy proton beams. In Resumo. Itapema: IBA. Recuperado de http://www.if.ufrgs.br/iba2011/program/88.pdf
NLM
Silveira MAG da, Cirne KH, Seixas Jr LE, Lima JA de, Barbosa MDL, Tabacniks MH, Added N, Medina NH, Gimenez SP, Melo W, Santos RBB. Performance of electronic devices submitted to X-rays and high energy proton beams. [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 ago. 23 ] Available from: http://www.if.ufrgs.br/iba2011/program/88.pdf
Vancouver
Silveira MAG da, Cirne KH, Seixas Jr LE, Lima JA de, Barbosa MDL, Tabacniks MH, Added N, Medina NH, Gimenez SP, Melo W, Santos RBB. Performance of electronic devices submitted to X-rays and high energy proton beams. [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 ago. 23 ] Available from: http://www.if.ufrgs.br/iba2011/program/88.pdf
Trabalho de evento-resumo
Effects of total dose of ionizing radiation on integrated circuits (2011)
Silveira, Marcilei Aparecida Guazzelli da ; Added, N; Barbosa, M D L; Medina, N H; Tabacniks, Manfredo Harri ; Cirne, Karin Huscher; Gimenez, S; Santos, R B B; Lima, J A de; Seixas Junior, L E; Melo, W
Source: Resumo. Conference titles: Encontro de Física. Unidade: IF
Assunto: RADIAÇÃO IONIZANTE
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ABNT
SILVEIRA, Marcilei Aparecida Guazzelli da et al. Effects of total dose of ionizing radiation on integrated circuits. 2011, Anais.. Foz do Iguaçu: SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R0340-1.pdf. Acesso em: 23 ago. 2024.
APA
Silveira, M. A. G. da, Added, N., Barbosa, M. D. L., Medina, N. H., Tabacniks, M. H., Cirne, K. H., et al. (2011). Effects of total dose of ionizing radiation on integrated circuits. In Resumo. Foz do Iguaçu: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R0340-1.pdf
NLM
Silveira MAG da, Added N, Barbosa MDL, Medina NH, Tabacniks MH, Cirne KH, Gimenez S, Santos RBB, Lima JA de, Seixas Junior LE, Melo W. Effects of total dose of ionizing radiation on integrated circuits [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 ago. 23 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R0340-1.pdf
Vancouver
Silveira MAG da, Added N, Barbosa MDL, Medina NH, Tabacniks MH, Cirne KH, Gimenez S, Santos RBB, Lima JA de, Seixas Junior LE, Melo W. Effects of total dose of ionizing radiation on integrated circuits [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 ago. 23 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R0340-1.pdf

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