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Trabalho de evento-resumo
Study of isolated native defects and hydrogen impurities in tin dioxide (2011)
Borges, Pablo Damasceno; L. M. R. Scolfaro, L M R; Alves, H W Leite; Assali, L. V. C.
Source: Resumo. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
BORGES, Pablo Damasceno et al. Study of isolated native defects and hydrogen impurities in tin dioxide. 2011, Anais.. Juiz de Fora: UFJF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0061-2.pdf. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Borges, P. D., L. M. R. Scolfaro, L. M. R., Alves, H. W. L., & Assali, L. V. C. (2011). Study of isolated native defects and hydrogen impurities in tin dioxide. In Resumo. Juiz de Fora: UFJF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0061-2.pdf
NLM
Borges PD, L. M. R. Scolfaro LMR, Alves HWL, Assali LVC. Study of isolated native defects and hydrogen impurities in tin dioxide [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 set. 11 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0061-2.pdf
Vancouver
Borges PD, L. M. R. Scolfaro LMR, Alves HWL, Assali LVC. Study of isolated native defects and hydrogen impurities in tin dioxide [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 set. 11 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/extras/bwsp15/sys/resumos/R0061-2.pdf
Artigo de periodico
Development of the 'MN''SI IND. 1.7' phase in 'MN'-containing 'SI' films (2011)
Ferri, F. A.; Silva, Marcelo de Assumpção Pereira da ; Zanatta, Antonio Ricardo
Source: Materials Chemistry and Physics. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, FERROMAGNETISMO, MANGANÊS (PROPRIEDADES MAGNÉTICAS), FILMES FINOS, SILÍCIO
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ABNT
FERRI, F. A. e SILVA, Marcelo de Assumpção Pereira da e ZANATTA, Antonio Ricardo. Development of the 'MN''SI IND. 1.7' phase in 'MN'-containing 'SI' films. Materials Chemistry and Physics, v. 129, n. 1/2, p. 148-153, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2011.03.064. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Ferri, F. A., Silva, M. de A. P. da, & Zanatta, A. R. (2011). Development of the 'MN''SI IND. 1.7' phase in 'MN'-containing 'SI' films. Materials Chemistry and Physics, 129( 1/2), 148-153. doi:10.1016/j.matchemphys.2011.03.064
NLM
Ferri FA, Silva M de AP da, Zanatta AR. Development of the 'MN''SI IND. 1.7' phase in 'MN'-containing 'SI' films [Internet]. Materials Chemistry and Physics. 2011 ; 129( 1/2): 148-153.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2011.03.064
Vancouver
Ferri FA, Silva M de AP da, Zanatta AR. Development of the 'MN''SI IND. 1.7' phase in 'MN'-containing 'SI' films [Internet]. Materials Chemistry and Physics. 2011 ; 129( 1/2): 148-153.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2011.03.064
Trabalho de evento-resumo
Electron and hole states and optical properties of artificial quantum ring atoms and molecules (2011)
Piacente, Giovanni; Marques, Gilmar E.; López-Richard, Victor; Hai, Guo-Qiang
Source: Resumos. Conference titles: Encontro de Física. Unidade: IFSC
Subjects: FÍSICA TEÓRICA, POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES, SISTEMAS HAMILTONIANOS
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ABNT
PIACENTE, Giovanni et al. Electron and hole states and optical properties of artificial quantum ring atoms and molecules. 2011, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2135-1.pdf. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Piacente, G., Marques, G. E., López-Richard, V., & Hai, G. -Q. (2011). Electron and hole states and optical properties of artificial quantum ring atoms and molecules. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2135-1.pdf
NLM
Piacente G, Marques GE, López-Richard V, Hai G-Q. Electron and hole states and optical properties of artificial quantum ring atoms and molecules [Internet]. Resumos. 2011 ;[citado 2024 set. 11 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2135-1.pdf
Vancouver
Piacente G, Marques GE, López-Richard V, Hai G-Q. Electron and hole states and optical properties of artificial quantum ring atoms and molecules [Internet]. Resumos. 2011 ;[citado 2024 set. 11 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R2135-1.pdf
Trabalho de evento-resumo periodico
Spin-orbit coupling in InAs-based wurtzite quantum wells (2011)
Fu, J. Y.; Penteado, Poliana H.; Egues, José Carlos
Source: Bulletin of the American Physical Society. Conference titles: APS March Meeting. Unidade: IFSC
Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, SPIN, SEMICONDUTORES, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
FU, J. Y. e PENTEADO, Poliana H. e EGUES, José Carlos. Spin-orbit coupling in InAs-based wurtzite quantum wells. Bulletin of the American Physical Society. College Park: American Physical Society - APS. Disponível em: http://meetings.aps.org/Meeting/MAR11/Session/C1.130. Acesso em: 11 set. 2024. , 2011
APA
Fu, J. Y., Penteado, P. H., & Egues, J. C. (2011). Spin-orbit coupling in InAs-based wurtzite quantum wells. Bulletin of the American Physical Society. College Park: American Physical Society - APS. Recuperado de http://meetings.aps.org/Meeting/MAR11/Session/C1.130
NLM
Fu JY, Penteado PH, Egues JC. Spin-orbit coupling in InAs-based wurtzite quantum wells [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 2011 ; 56( 1):[citado 2024 set. 11 ] Available from: http://meetings.aps.org/Meeting/MAR11/Session/C1.130
Vancouver
Fu JY, Penteado PH, Egues JC. Spin-orbit coupling in InAs-based wurtzite quantum wells [Internet]. Bulletin of the American Physical Society. 2011 ; 56( 1):[citado 2024 set. 11 ] Available from: http://meetings.aps.org/Meeting/MAR11/Session/C1.130
Trabalho de evento-resumo
Short-range order of SrTi'O IND.3' synthesized by hydrothermal microwave assisted method (2011)
Silva, Luís Fernando da; Mesquita, Alexandre; Moreira, Mário Lúcio; Longo, Elson; Mastelaro, Valmor Roberto
Source: Resumos. Conference titles: Encontro de Física. Unidade: IFSC
Subjects: SEMICONDUTORES, TITÂNIO (ESTUDO;PROPRIEDADES), CRESCIMENTO DE CRISTAIS
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ABNT
SILVA, Luís Fernando da et al. Short-range order of SrTi'O IND.3' synthesized by hydrothermal microwave assisted method. 2011, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3291-1.pdf. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Silva, L. F. da, Mesquita, A., Moreira, M. L., Longo, E., & Mastelaro, V. R. (2011). Short-range order of SrTi'O IND.3' synthesized by hydrothermal microwave assisted method. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3291-1.pdf
NLM
Silva LF da, Mesquita A, Moreira ML, Longo E, Mastelaro VR. Short-range order of SrTi'O IND.3' synthesized by hydrothermal microwave assisted method [Internet]. Resumos. 2011 ;[citado 2024 set. 11 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3291-1.pdf
Vancouver
Silva LF da, Mesquita A, Moreira ML, Longo E, Mastelaro VR. Short-range order of SrTi'O IND.3' synthesized by hydrothermal microwave assisted method [Internet]. Resumos. 2011 ;[citado 2024 set. 11 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3291-1.pdf
Artigo de periodico
Fano resonance in heavily doped porous silicon (2011)
Pusep, Yuri A.; Rodrigues, A. D.; Borrero-González, L. J.; Acquaroli, L. N.; Urteaga, R.; Arce, R. D.; Koropecki, R. R.; Tirado, M.; Comedi, D.
Source: Journal of Raman Spectroscopy. Unidade: IFSC
Subjects: ESPALHAMENTO, LUMINESCÊNCIA, SILÍCIO, SEMICONDUTORES, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Fano resonance in heavily doped porous silicon. Journal of Raman Spectroscopy, v. 42, n. 6, p. 1405-1407, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/jrs.2870. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Rodrigues, A. D., Borrero-González, L. J., Acquaroli, L. N., Urteaga, R., Arce, R. D., et al. (2011). Fano resonance in heavily doped porous silicon. Journal of Raman Spectroscopy, 42( 6), 1405-1407. doi:10.1002/jrs.2870
NLM
Pusep YA, Rodrigues AD, Borrero-González LJ, Acquaroli LN, Urteaga R, Arce RD, Koropecki RR, Tirado M, Comedi D. Fano resonance in heavily doped porous silicon [Internet]. Journal of Raman Spectroscopy. 2011 ; 42( 6): 1405-1407.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1002/jrs.2870
Vancouver
Pusep YA, Rodrigues AD, Borrero-González LJ, Acquaroli LN, Urteaga R, Arce RD, Koropecki RR, Tirado M, Comedi D. Fano resonance in heavily doped porous silicon [Internet]. Journal of Raman Spectroscopy. 2011 ; 42( 6): 1405-1407.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1002/jrs.2870
Artigo de periodico
Optical spectroscopy of 'Nd POT. 3+' ions in a nanostructured glass matrix (2011)
Serqueira, E. O.; Dantas, N. O.; Anjos, V.; Silva, Marcelo de Assumpção Pereira da ; Bell, M. J. V.
Source: Journal of Luminescence. Unidade: IFSC
Subjects: VIDROS METÁLICOS, LUMINESCÊNCIA, SEMICONDUTORES, TERRAS RARAS
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ABNT
SERQUEIRA, E. O. et al. Optical spectroscopy of 'Nd POT. 3+' ions in a nanostructured glass matrix. Journal of Luminescence, v. 131, n. 7, p. 1401-1406, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2011.03.032. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Serqueira, E. O., Dantas, N. O., Anjos, V., Silva, M. de A. P. da, & Bell, M. J. V. (2011). Optical spectroscopy of 'Nd POT. 3+' ions in a nanostructured glass matrix. Journal of Luminescence, 131( 7), 1401-1406. doi:10.1016/j.jlumin.2011.03.032
NLM
Serqueira EO, Dantas NO, Anjos V, Silva M de AP da, Bell MJV. Optical spectroscopy of 'Nd POT. 3+' ions in a nanostructured glass matrix [Internet]. Journal of Luminescence. 2011 ; 131( 7): 1401-1406.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2011.03.032
Vancouver
Serqueira EO, Dantas NO, Anjos V, Silva M de AP da, Bell MJV. Optical spectroscopy of 'Nd POT. 3+' ions in a nanostructured glass matrix [Internet]. Journal of Luminescence. 2011 ; 131( 7): 1401-1406.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2011.03.032
Artigo de periodico
Carrier transfer in the optical recombination of quantum dots (2011)
Cesar, D. F.; Teodoro, M. D.; Lopez-Richard, V.; Marques, G. E.; Marega Júnior, Euclydes; Dorogan, V. G.; Mazur, Yu. I.; Salamo, G. J.
Source: Physical Review B. Unidade: IFSC
Subjects: CARGA ELÉTRICA (TRANSFERÊNCIA), SEMICONDUTORES, ÓPTICA ELETRÔNICA, POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
CESAR, D. F. et al. Carrier transfer in the optical recombination of quantum dots. Physical Review B, v. 83, n. 19, p. 195307-1-195307-5, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.83.195307. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Cesar, D. F., Teodoro, M. D., Lopez-Richard, V., Marques, G. E., Marega Júnior, E., Dorogan, V. G., et al. (2011). Carrier transfer in the optical recombination of quantum dots. Physical Review B, 83( 19), 195307-1-195307-5. doi:10.1103/PhysRevB.83.195307
NLM
Cesar DF, Teodoro MD, Lopez-Richard V, Marques GE, Marega Júnior E, Dorogan VG, Mazur YI, Salamo GJ. Carrier transfer in the optical recombination of quantum dots [Internet]. Physical Review B. 2011 ; 83( 19): 195307-1-195307-5.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.83.195307
Vancouver
Cesar DF, Teodoro MD, Lopez-Richard V, Marques GE, Marega Júnior E, Dorogan VG, Mazur YI, Salamo GJ. Carrier transfer in the optical recombination of quantum dots [Internet]. Physical Review B. 2011 ; 83( 19): 195307-1-195307-5.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.83.195307
Trabalho de evento-resumo
Ferromagnetic STM tip operating as a spin-diode (2011)
Penteado, Poliana H.; Souza, Fabrício M.; Seridonio, Antônio C.; Vernek, Edson; Egues, José Carlos
Source: Abstract Book. Conference titles: Latin American Symposium on Solid State Physics - SLAFES. Unidade: IFSC
Subjects: DIODOS, SPIN, FERROMAGNETISMO, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PENTEADO, Poliana H. et al. Ferromagnetic STM tip operating as a spin-diode. 2011, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2011. . Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Penteado, P. H., Souza, F. M., Seridonio, A. C., Vernek, E., & Egues, J. C. (2011). Ferromagnetic STM tip operating as a spin-diode. In Abstract Book. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC.
NLM
Penteado PH, Souza FM, Seridonio AC, Vernek E, Egues JC. Ferromagnetic STM tip operating as a spin-diode. Abstract Book. 2011 ;[citado 2024 set. 11 ]
Vancouver
Penteado PH, Souza FM, Seridonio AC, Vernek E, Egues JC. Ferromagnetic STM tip operating as a spin-diode. Abstract Book. 2011 ;[citado 2024 set. 11 ]
Trabalho de evento-resumo
Influência da temperatura de calcinação na síntese de 'ZN''O' e sua aplicação na fotocatálise heterogênea (2011)
Lucilha, Adriana Campano; Silva, Marcelo Rodrigues da; Castro, Eryza G. de; Ando, Rômulo Augusto ; Takashima, Keiko
Source: Resumos. Conference titles: Reunião Anual da Sociedade Brasileira de Química. Unidade: IQ
Subjects: ZINCO, SEMICONDUTORES
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ABNT
LUCILHA, Adriana Campano et al. Influência da temperatura de calcinação na síntese de 'ZN''O' e sua aplicação na fotocatálise heterogênea. 2011, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Química (SBQ), 2011. . Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Lucilha, A. C., Silva, M. R. da, Castro, E. G. de, Ando, R. A., & Takashima, K. (2011). Influência da temperatura de calcinação na síntese de 'ZN''O' e sua aplicação na fotocatálise heterogênea. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Química (SBQ).
NLM
Lucilha AC, Silva MR da, Castro EG de, Ando RA, Takashima K. Influência da temperatura de calcinação na síntese de 'ZN''O' e sua aplicação na fotocatálise heterogênea. Resumos. 2011 ;[citado 2024 set. 11 ]
Vancouver
Lucilha AC, Silva MR da, Castro EG de, Ando RA, Takashima K. Influência da temperatura de calcinação na síntese de 'ZN''O' e sua aplicação na fotocatálise heterogênea. Resumos. 2011 ;[citado 2024 set. 11 ]
Trabalho de evento
Theoretical model of the resonant tunneling nanowires by the transfer-matrix method (2011)
Nobrega, Rafael Vinicius Tayette da; Ragi, Regiane; Romero, Murilo Araujo
Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: EESC
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
NOBREGA, Rafael Vinicius Tayette da e RAGI, Regiane e ROMERO, Murilo Araujo. Theoretical model of the resonant tunneling nanowires by the transfer-matrix method. 2011, Anais.. Juiz de Fora: UFJF, 2011. . Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Nobrega, R. V. T. da, Ragi, R., & Romero, M. A. (2011). Theoretical model of the resonant tunneling nanowires by the transfer-matrix method. In . Juiz de Fora: UFJF.
NLM
Nobrega RVT da, Ragi R, Romero MA. Theoretical model of the resonant tunneling nanowires by the transfer-matrix method. 2011 ;[citado 2024 set. 11 ]
Vancouver
Nobrega RVT da, Ragi R, Romero MA. Theoretical model of the resonant tunneling nanowires by the transfer-matrix method. 2011 ;[citado 2024 set. 11 ]
Trabalho de evento-resumo
Electron and hole states and optical properties of artificial quantum ring atoms and molecules (2011)
Piacente, Giovanni; Marques, Gilmar E.; Lopez, Victor Richard; Hai, Guo-Qiang
Source: Abstracts. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidade: IFSC
Subjects: FÍSICA TEÓRICA, POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES, SISTEMAS HAMILTONIANOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PIACENTE, Giovanni et al. Electron and hole states and optical properties of artificial quantum ring atoms and molecules. 2011, Anais.. Juiz de Fora: Universidade Federal de Juiz de Fora - UFJF, 2011. . Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Piacente, G., Marques, G. E., Lopez, V. R., & Hai, G. -Q. (2011). Electron and hole states and optical properties of artificial quantum ring atoms and molecules. In Abstracts. Juiz de Fora: Universidade Federal de Juiz de Fora - UFJF.
NLM
Piacente G, Marques GE, Lopez VR, Hai G-Q. Electron and hole states and optical properties of artificial quantum ring atoms and molecules. Abstracts. 2011 ;[citado 2024 set. 11 ]
Vancouver
Piacente G, Marques GE, Lopez VR, Hai G-Q. Electron and hole states and optical properties of artificial quantum ring atoms and molecules. Abstracts. 2011 ;[citado 2024 set. 11 ]
Artigo de periodico
Low-bias negative differential resistance in graphene nanoribbon superlattices (2011)
Ferreira, Gerson J.; Leuenberger, Michael N.; Loss, Daniel; Egues, José Carlos
Source: Physical Review B. Unidade: IFSC
Subjects: FÍSICA MODERNA, MECÂNICA HAMILTONIANA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERREIRA, Gerson J. et al. Low-bias negative differential resistance in graphene nanoribbon superlattices. Physical Review B, v. 84, n. 12, p. 125453-1-125453-5, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.125453. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Ferreira, G. J., Leuenberger, M. N., Loss, D., & Egues, J. C. (2011). Low-bias negative differential resistance in graphene nanoribbon superlattices. Physical Review B, 84( 12), 125453-1-125453-5. doi:10.1103/PhysRevB.84.125453
NLM
Ferreira GJ, Leuenberger MN, Loss D, Egues JC. Low-bias negative differential resistance in graphene nanoribbon superlattices [Internet]. Physical Review B. 2011 ; 84( 12): 125453-1-125453-5.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.125453
Vancouver
Ferreira GJ, Leuenberger MN, Loss D, Egues JC. Low-bias negative differential resistance in graphene nanoribbon superlattices [Internet]. Physical Review B. 2011 ; 84( 12): 125453-1-125453-5.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.125453
Trabalho de evento-resumo
Espectroscopia ultrarrápida de polímeros semicondutores luminescentes (2011)
Faleiros, Marcelo Meira; Miranda, Paulo Barbeitas
Source: Caderno de Resumos. Conference titles: Semana do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC. Unidade: IFSC
Subjects: LUMINESCÊNCIA, SEMICONDUTORES, POLÍMEROS (MATERIAIS)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FALEIROS, Marcelo Meira e MIRANDA, Paulo Barbeitas. Espectroscopia ultrarrápida de polímeros semicondutores luminescentes. 2011, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2011. . Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Faleiros, M. M., & Miranda, P. B. (2011). Espectroscopia ultrarrápida de polímeros semicondutores luminescentes. In Caderno de Resumos. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC.
NLM
Faleiros MM, Miranda PB. Espectroscopia ultrarrápida de polímeros semicondutores luminescentes. Caderno de Resumos. 2011 ;[citado 2024 set. 11 ]
Vancouver
Faleiros MM, Miranda PB. Espectroscopia ultrarrápida de polímeros semicondutores luminescentes. Caderno de Resumos. 2011 ;[citado 2024 set. 11 ]
Trabalho de evento-resumo
Spin-orbit coupling in InAs-based wurtzite quantum wells (2011)
Fu, Jiyong; Penteado, Poliana H.; Bernardes, Esmerindo de Sousa ; Egues, José Carlos
Source: Abstracts. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP. Unidade: IFSC
Subjects: FÍSICA TEÓRICA, POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES, SISTEMAS HAMILTONIANOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FU, Jiyong et al. Spin-orbit coupling in InAs-based wurtzite quantum wells. 2011, Anais.. Juiz de Fora: Universidade Federal de Juiz de Fora - UFJF, 2011. . Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Fu, J., Penteado, P. H., Bernardes, E. de S., & Egues, J. C. (2011). Spin-orbit coupling in InAs-based wurtzite quantum wells. In Abstracts. Juiz de Fora: Universidade Federal de Juiz de Fora - UFJF.
NLM
Fu J, Penteado PH, Bernardes E de S, Egues JC. Spin-orbit coupling in InAs-based wurtzite quantum wells. Abstracts. 2011 ;[citado 2024 set. 11 ]
Vancouver
Fu J, Penteado PH, Bernardes E de S, Egues JC. Spin-orbit coupling in InAs-based wurtzite quantum wells. Abstracts. 2011 ;[citado 2024 set. 11 ]
Trabalho de evento-resumo
Full effective Hamiltonians for one electron in the conduction subband of semiconducting heterostructures (2011)
Mosqueiro, Thiago Schiavo; Bernardes, Esmerindo de Sousa ; Egues, José Carlos
Source: Abstract Book. Conference titles: Latin American Symposium on Solid State Physics - SLAFES. Unidade: IFSC
Subjects: SISTEMAS HAMILTONIANOS, SPIN, SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MOSQUEIRO, Thiago Schiavo e BERNARDES, Esmerindo de Sousa e EGUES, José Carlos. Full effective Hamiltonians for one electron in the conduction subband of semiconducting heterostructures. 2011, Anais.. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2011. . Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Mosqueiro, T. S., Bernardes, E. de S., & Egues, J. C. (2011). Full effective Hamiltonians for one electron in the conduction subband of semiconducting heterostructures. In Abstract Book. São Carlos: Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC.
NLM
Mosqueiro TS, Bernardes E de S, Egues JC. Full effective Hamiltonians for one electron in the conduction subband of semiconducting heterostructures. Abstract Book. 2011 ;[citado 2024 set. 11 ]
Vancouver
Mosqueiro TS, Bernardes E de S, Egues JC. Full effective Hamiltonians for one electron in the conduction subband of semiconducting heterostructures. Abstract Book. 2011 ;[citado 2024 set. 11 ]
Artigo de periodico
SiO2 in density functional theory and beyond (2011)
Martin-Samos, L; Bussi, G; Ruini, A; Molinari, E; Caldas, M J
Source: Physica Status Solidi. B. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARTIN-SAMOS, L et al. SiO2 in density functional theory and beyond. Physica Status Solidi. B, v. 248, n. 5, p. 1061-1066, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/pssb.201046283. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Martin-Samos, L., Bussi, G., Ruini, A., Molinari, E., & Caldas, M. J. (2011). SiO2 in density functional theory and beyond. Physica Status Solidi. B, 248( 5), 1061-1066. doi:10.1002/pssb.201046283
NLM
Martin-Samos L, Bussi G, Ruini A, Molinari E, Caldas MJ. SiO2 in density functional theory and beyond [Internet]. Physica Status Solidi. B. 2011 ; 248( 5): 1061-1066.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssb.201046283
Vancouver
Martin-Samos L, Bussi G, Ruini A, Molinari E, Caldas MJ. SiO2 in density functional theory and beyond [Internet]. Physica Status Solidi. B. 2011 ; 248( 5): 1061-1066.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1002/pssb.201046283
Artigo de periodico
Transport in disordered two-dimensional topological insulators (2011)
Gusev, G M ; Kvon, Z D; Shegai, O A; Mikhailov, N N; Dvoretsky, S A; Portal, J C
Source: PHYSICAL REVIEW D. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
GUSEV, G M et al. Transport in disordered two-dimensional topological insulators. PHYSICAL REVIEW D, v. 84, n. 12, p. 121302, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.121302. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Gusev, G. M., Kvon, Z. D., Shegai, O. A., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A., & Portal, J. C. (2011). Transport in disordered two-dimensional topological insulators. PHYSICAL REVIEW D, 84( 12), 121302. doi:10.1103/PhysRevB.84.121302
NLM
Gusev GM, Kvon ZD, Shegai OA, Mikhailov NN, Dvoretsky SA, Portal JC. Transport in disordered two-dimensional topological insulators [Internet]. PHYSICAL REVIEW D. 2011 ;84( 12): 121302.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.121302
Vancouver
Gusev GM, Kvon ZD, Shegai OA, Mikhailov NN, Dvoretsky SA, Portal JC. Transport in disordered two-dimensional topological insulators [Internet]. PHYSICAL REVIEW D. 2011 ;84( 12): 121302.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.84.121302
Artigo de periodico
Semiconductor nanoparticle modeling via density functional theory (2011)
Favero, P P; Ferraz, A C; Miotto, R
Source: JOURNAL OF PHYSICS: CONDENSED MATTER. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
FAVERO, P P e FERRAZ, A C e MIOTTO, R. Semiconductor nanoparticle modeling via density functional theory. JOURNAL OF PHYSICS: CONDENSED MATTER, v. fe2011, n. 4, p. 045001, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0953-8984/23/4/045001. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Favero, P. P., Ferraz, A. C., & Miotto, R. (2011). Semiconductor nanoparticle modeling via density functional theory. JOURNAL OF PHYSICS: CONDENSED MATTER, fe2011( 4), 045001. doi:10.1088/0953-8984/23/4/045001
NLM
Favero PP, Ferraz AC, Miotto R. Semiconductor nanoparticle modeling via density functional theory [Internet]. JOURNAL OF PHYSICS: CONDENSED MATTER. 2011 ; fe2011( 4): 045001.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/23/4/045001
Vancouver
Favero PP, Ferraz AC, Miotto R. Semiconductor nanoparticle modeling via density functional theory [Internet]. JOURNAL OF PHYSICS: CONDENSED MATTER. 2011 ; fe2011( 4): 045001.[citado 2024 set. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0953-8984/23/4/045001
Artigo de periodico
Anisotropy of electron and hole g-factors in ('IN','GA')'AS' quantum dots (2011)
Schwan, A; Maia, A D B; Quivy, A A; Henriques, A B
Source: APPLIED PHYSICS LETTERS. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SCHWAN, A et al. Anisotropy of electron and hole g-factors in ('IN','GA')'AS' quantum dots. APPLIED PHYSICS LETTERS, v. no2011, n. 22, p. 221914, 2011Tradução . . Disponível em: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000099000022221914000001&idtype=cvips&doi=10.1063/1.3665634&prog=normal. Acesso em: 11 set. 2024.
APA
Schwan, A., Maia, A. D. B., Quivy, A. A., & Henriques, A. B. (2011). Anisotropy of electron and hole g-factors in ('IN','GA')'AS' quantum dots. APPLIED PHYSICS LETTERS, no2011( 22), 221914. Recuperado de http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000099000022221914000001&idtype=cvips&doi=10.1063/1.3665634&prog=normal
NLM
Schwan A, Maia ADB, Quivy AA, Henriques AB. Anisotropy of electron and hole g-factors in ('IN','GA')'AS' quantum dots [Internet]. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2011 ; no2011( 22): 221914.[citado 2024 set. 11 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000099000022221914000001&idtype=cvips&doi=10.1063/1.3665634&prog=normal
Vancouver
Schwan A, Maia ADB, Quivy AA, Henriques AB. Anisotropy of electron and hole g-factors in ('IN','GA')'AS' quantum dots [Internet]. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2011 ; no2011( 22): 221914.[citado 2024 set. 11 ] Available from: http://scitation.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=APPLAB000099000022221914000001&idtype=cvips&doi=10.1063/1.3665634&prog=normal

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