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Artigo de periodico
3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide (2005)
Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C.
Source: Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. Unidades: IF, EP
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco e ASSALI, L. V. C. 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, v. 483, p. 531-534, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531. Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Machado, W. V. M., Justo Filho, J. F., & Assali, L. V. C. (2005). 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, 483, 531-534. doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531
NLM
Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 531-534.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531
Vancouver
Machado WVM, Justo Filho JF, Assali LVC. 3d-transition metals in cubic and hexagonal silicon carbide [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 531-534.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.531
Artigo de periodico
Structural and electronic properties of... (2005)
Justo Filho, João Francisco ; Assali, L. V. C. ; Pereyra, Inés ; Silva, C R S da
Source: Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. Unidades: EP, IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
JUSTO FILHO, João Francisco et al. Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, v. 483, p. 577-580, 2005Tradução . . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Justo Filho, J. F., Assali, L. V. C., Pereyra, I., & Silva, C. R. S. da. (2005). Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, 483, 577-580.
NLM
Justo Filho JF, Assali LVC, Pereyra I, Silva CRS da. Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 577-580.[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Justo Filho JF, Assali LVC, Pereyra I, Silva CRS da. Structural and electronic properties of.. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 577-580.[citado 2024 nov. 13 ]
Artigo de periodico
Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation (2005)
Assali, L. V. C. ; Larico, R; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Source: Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. Unidades: IF, EP
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, RESSONÂNCIA PARAMAGNÉTICA DE SPIN
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ABNT
ASSALI, L. V. C. et al. Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, v. 483, p. 1043-1046, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1043. Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Larico, R., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2005). Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, 483, 1043-1046. doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1043
NLM
Assali LVC, Larico R, Machado WVM, Justo Filho JF. Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 1043-1046.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1043
Vancouver
Assali LVC, Larico R, Machado WVM, Justo Filho JF. Nickel-vacancy complexes in diamond: An ab-initio investigation [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 1043-1046.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1043
Artigo de periodico
Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant (2005)
Lamas, T. E.; Quivy, A. A.; Martini, S; Silva, M J da; Leite, J. R.
Source: Thin Solid Films. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATERIAIS, EFEITO HALL, FOTOLUMINESCÊNCIA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
LAMAS, T. E. et al. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant. Thin Solid Films, v. 474, n. 1-2, p. 25-30, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.004. Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Lamas, T. E., Quivy, A. A., Martini, S., Silva, M. J. da, & Leite, J. R. (2005). Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant. Thin Solid Films, 474( 1-2), 25-30. doi:10.1016/j.tsf.2004.08.004
NLM
Lamas TE, Quivy AA, Martini S, Silva MJ da, Leite JR. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant [Internet]. Thin Solid Films. 2005 ; 474( 1-2): 25-30.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.004
Vancouver
Lamas TE, Quivy AA, Martini S, Silva MJ da, Leite JR. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant [Internet]. Thin Solid Films. 2005 ; 474( 1-2): 25-30.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.004
Artigo de periodico
Manganese impurity in boron nitride and gallium nitride (2005)
Assali, L. V. C. ; Machado, Wanda Valle Marcondes; Justo Filho, João Francisco
Source: Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. Unidades: IF, EP
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA DOS MATERIAIS, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
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ABNT
ASSALI, L. V. C. e MACHADO, Wanda Valle Marcondes e JUSTO FILHO, João Francisco. Manganese impurity in boron nitride and gallium nitride. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, v. 483, p. 1043-1046, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1047. Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Machado, W. V. M., & Justo Filho, J. F. (2005). Manganese impurity in boron nitride and gallium nitride. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum, 483, 1043-1046. doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1047
NLM
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Manganese impurity in boron nitride and gallium nitride [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 1043-1046.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1047
Vancouver
Assali LVC, Machado WVM, Justo Filho JF. Manganese impurity in boron nitride and gallium nitride [Internet]. Silicon Carbide and Related Materials 2004 - Materials Science Forum. 2005 ; 483 1043-1046.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.483-485.1047
Artigo de periodico
Mossbauer investigation of RCo3Sn compounds (R=Gd+Tm) (2002)
Pendl, W; Coaquira, J. A. H; Rechenberg, Hercilio Rodolfo; Skolozdra, R. V
Source: Journal of Alloys and Compounds. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, EFEITO MOSSBAUER
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ABNT
PENDL, W et al. Mossbauer investigation of RCo3Sn compounds (R=Gd+Tm). Journal of Alloys and Compounds, v. 346, n. 1-2, p. 62-67, 2002Tradução . . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Pendl, W., Coaquira, J. A. H., Rechenberg, H. R., & Skolozdra, R. V. (2002). Mossbauer investigation of RCo3Sn compounds (R=Gd+Tm). Journal of Alloys and Compounds, 346( 1-2), 62-67.
NLM
Pendl W, Coaquira JAH, Rechenberg HR, Skolozdra RV. Mossbauer investigation of RCo3Sn compounds (R=Gd+Tm). Journal of Alloys and Compounds. 2002 ; 346( 1-2): 62-67.[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Pendl W, Coaquira JAH, Rechenberg HR, Skolozdra RV. Mossbauer investigation of RCo3Sn compounds (R=Gd+Tm). Journal of Alloys and Compounds. 2002 ; 346( 1-2): 62-67.[citado 2024 nov. 13 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Resonant raman scattering and the emission process in zincblende-'In IND.X''Ga IND.1-X'N (2000)
Lemos, V; Silveira, E; Leite, J. R.; Tabata, A; Trentin, R.; Frey, T; As, D J; Schikora, D; Lischka, K
Source: Materials Science Forum. Conference titles: Proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
LEMOS, V et al. Resonant raman scattering and the emission process in zincblende-'In IND.X''Ga IND.1-X'N. Materials Science Forum. Zuerich: Trans Tech Publications. . Acesso em: 13 nov. 2024. , 2000
APA
Lemos, V., Silveira, E., Leite, J. R., Tabata, A., Trentin, R., Frey, T., et al. (2000). Resonant raman scattering and the emission process in zincblende-'In IND.X''Ga IND.1-X'N. Materials Science Forum. Zuerich: Trans Tech Publications.
NLM
Lemos V, Silveira E, Leite JR, Tabata A, Trentin R, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Resonant raman scattering and the emission process in zincblende-'In IND.X''Ga IND.1-X'N. Materials Science Forum. 2000 ; 338-342 1595-1598.[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Lemos V, Silveira E, Leite JR, Tabata A, Trentin R, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Resonant raman scattering and the emission process in zincblende-'In IND.X''Ga IND.1-X'N. Materials Science Forum. 2000 ; 338-342 1595-1598.[citado 2024 nov. 13 ]
Artigo de periodico
Metal ion mixing in diamond (2000)
Salvadori, Maria Cecilia Barbosa da Silveira; Cattani, Mauro Sérgio Dorsa ; Vizir, A; Monteiro, O R; Yu, K M; Brown, I G
Source: Surface and Coatings Technology. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SALVADORI, Maria Cecilia Barbosa da Silveira et al. Metal ion mixing in diamond. Surface and Coatings Technology, v. 128-129, p. 375-380, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0257-8972(00)00607-1. Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Salvadori, M. C. B. da S., Cattani, M. S. D., Vizir, A., Monteiro, O. R., Yu, K. M., & Brown, I. G. (2000). Metal ion mixing in diamond. Surface and Coatings Technology, 128-129, 375-380. doi:10.1016/s0257-8972(00)00607-1
NLM
Salvadori MCB da S, Cattani MSD, Vizir A, Monteiro OR, Yu KM, Brown IG. Metal ion mixing in diamond [Internet]. Surface and Coatings Technology. 2000 ; 128-129 375-380.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0257-8972(00)00607-1
Vancouver
Salvadori MCB da S, Cattani MSD, Vizir A, Monteiro OR, Yu KM, Brown IG. Metal ion mixing in diamond [Internet]. Surface and Coatings Technology. 2000 ; 128-129 375-380.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0257-8972(00)00607-1
Artigo de periodico
Remanent magnetization in diluted low-anisotropy antiferromagnets at very low magnetic fields: new phenomena with universal behavior (1994)
Palacio, F; Gabas, M; Campo, J; Becerra, Carlos Castilla; Paduan-Filho, A.; Fries, T; Shapira, Y
Source: Physica Scripta. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PALACIO, F et al. Remanent magnetization in diluted low-anisotropy antiferromagnets at very low magnetic fields: new phenomena with universal behavior. Physica Scripta, v. t55, p. 163-6, 1994Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0031-8949/1994/t55/028. Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Palacio, F., Gabas, M., Campo, J., Becerra, C. C., Paduan-Filho, A., Fries, T., & Shapira, Y. (1994). Remanent magnetization in diluted low-anisotropy antiferromagnets at very low magnetic fields: new phenomena with universal behavior. Physica Scripta, t55, 163-6. doi:10.1088/0031-8949/1994/t55/028
NLM
Palacio F, Gabas M, Campo J, Becerra CC, Paduan-Filho A, Fries T, Shapira Y. Remanent magnetization in diluted low-anisotropy antiferromagnets at very low magnetic fields: new phenomena with universal behavior [Internet]. Physica Scripta. 1994 ;t55 163-6.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0031-8949/1994/t55/028
Vancouver
Palacio F, Gabas M, Campo J, Becerra CC, Paduan-Filho A, Fries T, Shapira Y. Remanent magnetization in diluted low-anisotropy antiferromagnets at very low magnetic fields: new phenomena with universal behavior [Internet]. Physica Scripta. 1994 ;t55 163-6.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0031-8949/1994/t55/028
Trabalho de evento-resumo
Langmuir monolayers and deposited lb films of poly (o-metoxyaniline) (1992)
Mattoso, L H C; Ferreira, M.; Gonçalves, Débora ; Bulhoes, L O S; Oliveira Junior, Osvaldo Novais de ; Faria, Roberto Mendonça
Source: Book of Abstracts. Conference titles: International Conference on Science and Technology of Synthetic Metals. Unidade: IFSC
Subjects: FILMES FINOS, MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MATTOSO, L H C et al. Langmuir monolayers and deposited lb films of poly (o-metoxyaniline). 1992, Anais.. Goteborg: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, 1992. . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Mattoso, L. H. C., Ferreira, M., Gonçalves, D., Bulhoes, L. O. S., Oliveira Junior, O. N. de, & Faria, R. M. (1992). Langmuir monolayers and deposited lb films of poly (o-metoxyaniline). In Book of Abstracts. Goteborg: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.
NLM
Mattoso LHC, Ferreira M, Gonçalves D, Bulhoes LOS, Oliveira Junior ON de, Faria RM. Langmuir monolayers and deposited lb films of poly (o-metoxyaniline). Book of Abstracts. 1992 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Mattoso LHC, Ferreira M, Gonçalves D, Bulhoes LOS, Oliveira Junior ON de, Faria RM. Langmuir monolayers and deposited lb films of poly (o-metoxyaniline). Book of Abstracts. 1992 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Trabalho de evento-resumo
Physical parameters of poly (3-butylthiophene) films obtained by photopyroelectric spectroscopy (1992)
Melo, W. L. B.; Pawlicka, Agnieszka ; Sanches, Rosemary; Mascarenhas, Sérgio; Faria, Roberto Mendonça
Source: Book of Abstracts. Conference titles: International Conference on Science and Technology of Synthetic Metals. Unidade: IFSC
Subjects: MATERIA CONDENSADA (PROPRIEDADES TÉRMICAS), MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MELO, W. L. B. et al. Physical parameters of poly (3-butylthiophene) films obtained by photopyroelectric spectroscopy. 1992, Anais.. Goteborg: Gesellschaft Deutscher Chemiker, 1992. . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Melo, W. L. B., Pawlicka, A., Sanches, R., Mascarenhas, S., & Faria, R. M. (1992). Physical parameters of poly (3-butylthiophene) films obtained by photopyroelectric spectroscopy. In Book of Abstracts. Goteborg: Gesellschaft Deutscher Chemiker.
NLM
Melo WLB, Pawlicka A, Sanches R, Mascarenhas S, Faria RM. Physical parameters of poly (3-butylthiophene) films obtained by photopyroelectric spectroscopy. Book of Abstracts. 1992 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Melo WLB, Pawlicka A, Sanches R, Mascarenhas S, Faria RM. Physical parameters of poly (3-butylthiophene) films obtained by photopyroelectric spectroscopy. Book of Abstracts. 1992 ;[citado 2024 nov. 13 ]

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