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  • Source: Physical Review B. Unidades: IFSC, IF

    Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES, CAMPO MAGNÉTICO, FÍSICA MODERNA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      PUSEP, Yuri A et al. Magnetic field effect on diffusion of photogenerated holes in a mesoscopic GaAs channel. Physical Review B, v. 109, n. 7, p. 075429-1-075429-6, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.109.075429. Acesso em: 15 nov. 2024.
    • APA

      Pusep, Y. A., Teodoro, M. D., Patricio, M. A. T., Jacobsen, G. M., Gusev, G., & Bakarov, A. (2024). Magnetic field effect on diffusion of photogenerated holes in a mesoscopic GaAs channel. Physical Review B, 109( 7), 075429-1-075429-6. doi:10.1103/PhysRevB.109.075429
    • NLM

      Pusep YA, Teodoro MD, Patricio MAT, Jacobsen GM, Gusev G, Bakarov A. Magnetic field effect on diffusion of photogenerated holes in a mesoscopic GaAs channel [Internet]. Physical Review B. 2024 ; 109( 7): 075429-1-075429-6.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.109.075429
    • Vancouver

      Pusep YA, Teodoro MD, Patricio MAT, Jacobsen GM, Gusev G, Bakarov A. Magnetic field effect on diffusion of photogenerated holes in a mesoscopic GaAs channel [Internet]. Physical Review B. 2024 ; 109( 7): 075429-1-075429-6.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.109.075429
  • Source: Physical Review B. Unidade: IFSC

    Subjects: SPIN, POÇOS QUÂNTICOS, CAMPO ELETROMAGNÉTICO

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    • ABNT

      PATRICIO, Marco Antonio Tito et al. Magnetic field effects on the valence band of AlGaAs and InGaAsP parabolic quantum wells. Physical Review B, v. 108, n. 3, p. 035416-1-035416-9, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.108.035416. Acesso em: 15 nov. 2024.
    • APA

      Patricio, M. A. T., Villegas-Lelovsky, L., Oliveira, E. R. C. de, Marques, ‪G. E., LaPierre, R., Toropov, A. I., & Pusep, Y. A. (2023). Magnetic field effects on the valence band of AlGaAs and InGaAsP parabolic quantum wells. Physical Review B, 108( 3), 035416-1-035416-9. doi:10.1103/PhysRevB.108.035416
    • NLM

      Patricio MAT, Villegas-Lelovsky L, Oliveira ERC de, Marques ‪GE, LaPierre R, Toropov AI, Pusep YA. Magnetic field effects on the valence band of AlGaAs and InGaAsP parabolic quantum wells [Internet]. Physical Review B. 2023 ; 108( 3): 035416-1-035416-9.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.108.035416
    • Vancouver

      Patricio MAT, Villegas-Lelovsky L, Oliveira ERC de, Marques ‪GE, LaPierre R, Toropov AI, Pusep YA. Magnetic field effects on the valence band of AlGaAs and InGaAsP parabolic quantum wells [Internet]. Physical Review B. 2023 ; 108( 3): 035416-1-035416-9.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.108.035416
  • Source: Journal of Physics D. Unidades: IFSC, IF

    Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, FÍSICA MODERNA, HIDRODINÂMICA, POÇOS QUÂNTICOS

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    • ABNT

      PUSEP, Yuri A et al. Dynamics of recombination in viscous electron-hole plasma in a mesoscopic GaAs channel. Journal of Physics D, v. 56, n. 17, p. 175301-1-175301-8, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1361-6463/acba2a. Acesso em: 15 nov. 2024.
    • APA

      Pusep, Y. A., Teodoro, M. D., Patricio, M. A. T., Jacobsen, G. M., Gusev, G., Levine, A., & Bakarov, A. (2023). Dynamics of recombination in viscous electron-hole plasma in a mesoscopic GaAs channel. Journal of Physics D, 56( 17), 175301-1-175301-8. doi:10.1088/1361-6463/acba2a
    • NLM

      Pusep YA, Teodoro MD, Patricio MAT, Jacobsen GM, Gusev G, Levine A, Bakarov A. Dynamics of recombination in viscous electron-hole plasma in a mesoscopic GaAs channel [Internet]. Journal of Physics D. 2023 ; 56( 17): 175301-1-175301-8.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6463/acba2a
    • Vancouver

      Pusep YA, Teodoro MD, Patricio MAT, Jacobsen GM, Gusev G, Levine A, Bakarov A. Dynamics of recombination in viscous electron-hole plasma in a mesoscopic GaAs channel [Internet]. Journal of Physics D. 2023 ; 56( 17): 175301-1-175301-8.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6463/acba2a
  • Source: Physica Scripta. Unidade: IFSC

    Subjects: CAMPO MAGNÉTICO, POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA

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    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      PATRICIO, Marco Antonio Tito e PUSEP, Yuri A. Effect of magnetic field on recombination dynamics in random electron systems. Physica Scripta, v. 98, n. 9, p. 095938-1-095938-8, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1402-4896/aceec4. Acesso em: 15 nov. 2024.
    • APA

      Patricio, M. A. T., & Pusep, Y. A. (2023). Effect of magnetic field on recombination dynamics in random electron systems. Physica Scripta, 98( 9), 095938-1-095938-8. doi:10.1088/1402-4896/aceec4
    • NLM

      Patricio MAT, Pusep YA. Effect of magnetic field on recombination dynamics in random electron systems [Internet]. Physica Scripta. 2023 ; 98( 9): 095938-1-095938-8.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1402-4896/aceec4
    • Vancouver

      Patricio MAT, Pusep YA. Effect of magnetic field on recombination dynamics in random electron systems [Internet]. Physica Scripta. 2023 ; 98( 9): 095938-1-095938-8.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1402-4896/aceec4
  • Source: Physical Review Letters. Unidades: IFSC, IF

    Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, FOTOLUMINESCÊNCIA

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      PUSEP, Yuri A et al. Diffusion of photoexcited holes in a viscous electron fluid. Physical Review Letters, v. 128, n. 13, p. 136801-1-136801-6, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.128.136801. Acesso em: 15 nov. 2024.
    • APA

      Pusep, Y. A., Teodoro, M. D., Laurindo Junior, V., Oliveira, E. R. C., Gusev, G., & Bakarov, A. K. (2022). Diffusion of photoexcited holes in a viscous electron fluid. Physical Review Letters, 128( 13), 136801-1-136801-6. doi:10.1103/PhysRevLett.128.136801
    • NLM

      Pusep YA, Teodoro MD, Laurindo Junior V, Oliveira ERC, Gusev G, Bakarov AK. Diffusion of photoexcited holes in a viscous electron fluid [Internet]. Physical Review Letters. 2022 ; 128( 13): 136801-1-136801-6.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.128.136801
    • Vancouver

      Pusep YA, Teodoro MD, Laurindo Junior V, Oliveira ERC, Gusev G, Bakarov AK. Diffusion of photoexcited holes in a viscous electron fluid [Internet]. Physical Review Letters. 2022 ; 128( 13): 136801-1-136801-6.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.128.136801
  • Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC

    Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      PATRICIO, M. A. Tito e LAPIERRE, R. R. e PUSEP, Yuri A. Inter-valley phonon-assisted Auger recombination in InGaAs/InP quantum well. Journal of Applied Physics, v. 125, n. 15, p. 155703-01-155703-06, 2019Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.5085493. Acesso em: 15 nov. 2024.
    • APA

      Patricio, M. A. T., LaPierre, R. R., & Pusep, Y. A. (2019). Inter-valley phonon-assisted Auger recombination in InGaAs/InP quantum well. Journal of Applied Physics, 125( 15), 155703-01-155703-06. doi:10.1063/1.5085493
    • NLM

      Patricio MAT, LaPierre RR, Pusep YA. Inter-valley phonon-assisted Auger recombination in InGaAs/InP quantum well [Internet]. Journal of Applied Physics. 2019 ; 125( 15): 155703-01-155703-06.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5085493
    • Vancouver

      Patricio MAT, LaPierre RR, Pusep YA. Inter-valley phonon-assisted Auger recombination in InGaAs/InP quantum well [Internet]. Journal of Applied Physics. 2019 ; 125( 15): 155703-01-155703-06.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.5085493
  • Source: Physical Review B. Unidade: IFSC

    Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      TITO, M. A. e PUSEP, Yuri A. Localized-to-extended-states transition below the Fermi level. Physical Review B, v. 97, n. 18, p. 184203-1-184203-6, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.97.184203. Acesso em: 15 nov. 2024.
    • APA

      Tito, M. A., & Pusep, Y. A. (2018). Localized-to-extended-states transition below the Fermi level. Physical Review B, 97( 18), 184203-1-184203-6. doi:10.1103/PhysRevB.97.184203
    • NLM

      Tito MA, Pusep YA. Localized-to-extended-states transition below the Fermi level [Internet]. Physical Review B. 2018 ; 97( 18): 184203-1-184203-6.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.97.184203
    • Vancouver

      Tito MA, Pusep YA. Localized-to-extended-states transition below the Fermi level [Internet]. Physical Review B. 2018 ; 97( 18): 184203-1-184203-6.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.97.184203
  • Source: Physical Review B. Unidade: IFSC

    Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      TEODORO, M. D. et al. Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well. Physical Review B, v. 98, n. 15, p. 155431-1-155431-7, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.98.155431. Acesso em: 15 nov. 2024.
    • APA

      Teodoro, M. D., Tavares, B. G. M., Castro, E. D. G., LaPierre, R. R., & Pusep, Y. A. (2018). Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well. Physical Review B, 98( 15), 155431-1-155431-7. doi:10.1103/PhysRevB.98.155431
    • NLM

      Teodoro MD, Tavares BGM, Castro EDG, LaPierre RR, Pusep YA. Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well [Internet]. Physical Review B. 2018 ; 98( 15): 155431-1-155431-7.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.98.155431
    • Vancouver

      Teodoro MD, Tavares BGM, Castro EDG, LaPierre RR, Pusep YA. Recombination dynamics of Landau levels in an InGaAs/InP quantum well [Internet]. Physical Review B. 2018 ; 98( 15): 155431-1-155431-7.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.98.155431
  • Source: Journal of Physics D. Unidade: IFSC

    Subjects: CAMPO MAGNÉTICO, POÇOS QUÂNTICOS, FOTOLUMINESCÊNCIA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      TITO, M. A. e PUSEP, Yuri A. Dynamics of photogenerated carriers near magnetic field driven quantum phase transition in aperiodic multiple quantum wells. Journal of Physics D, v. 51, n. Ja 2018, p. 015304-1-015304-6, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/1361-6463/aa99cd. Acesso em: 15 nov. 2024.
    • APA

      Tito, M. A., & Pusep, Y. A. (2018). Dynamics of photogenerated carriers near magnetic field driven quantum phase transition in aperiodic multiple quantum wells. Journal of Physics D, 51( Ja 2018), 015304-1-015304-6. doi:10.1088/1361-6463/aa99cd
    • NLM

      Tito MA, Pusep YA. Dynamics of photogenerated carriers near magnetic field driven quantum phase transition in aperiodic multiple quantum wells [Internet]. Journal of Physics D. 2018 ; 51( Ja 2018): 015304-1-015304-6.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6463/aa99cd
    • Vancouver

      Tito MA, Pusep YA. Dynamics of photogenerated carriers near magnetic field driven quantum phase transition in aperiodic multiple quantum wells [Internet]. Journal of Physics D. 2018 ; 51( Ja 2018): 015304-1-015304-6.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1088/1361-6463/aa99cd
  • Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IFSC

    Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, ELÉTRONS, FOTOLUMINESCÊNCIA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      TITO, M. A. e PUSEP, Yuri A. Determination of mobility edge in presence of metal-to-insulator transition. Superlattices and Microstructures, v. 104, p. 156-161, 2017Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.spmi.2016.12.060. Acesso em: 15 nov. 2024.
    • APA

      Tito, M. A., & Pusep, Y. A. (2017). Determination of mobility edge in presence of metal-to-insulator transition. Superlattices and Microstructures, 104, 156-161. doi:10.1016/j.spmi.2016.12.060
    • NLM

      Tito MA, Pusep YA. Determination of mobility edge in presence of metal-to-insulator transition [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2017 ; 104 156-161.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.spmi.2016.12.060
    • Vancouver

      Tito MA, Pusep YA. Determination of mobility edge in presence of metal-to-insulator transition [Internet]. Superlattices and Microstructures. 2017 ; 104 156-161.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.spmi.2016.12.060
  • Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC

    Subjects: FOTOLUMINESCÊNCIA, POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      TAVARES, B. G. M. e TITO, M. A. e PUSEP, Yuri A. Influence of energy structure on recombination lifetime in GaAs/AlGaAs multilayers. Journal of Applied Physics, v. 119, n. 23, p. 234305-1-234305-4, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.4954161. Acesso em: 15 nov. 2024.
    • APA

      Tavares, B. G. M., Tito, M. A., & Pusep, Y. A. (2016). Influence of energy structure on recombination lifetime in GaAs/AlGaAs multilayers. Journal of Applied Physics, 119( 23), 234305-1-234305-4. doi:10.1063/1.4954161
    • NLM

      Tavares BGM, Tito MA, Pusep YA. Influence of energy structure on recombination lifetime in GaAs/AlGaAs multilayers [Internet]. Journal of Applied Physics. 2016 ; 119( 23): 234305-1-234305-4.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4954161
    • Vancouver

      Tavares BGM, Tito MA, Pusep YA. Influence of energy structure on recombination lifetime in GaAs/AlGaAs multilayers [Internet]. Journal of Applied Physics. 2016 ; 119( 23): 234305-1-234305-4.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.4954161
  • Source: Journal of Applied Physics. Unidade: IFSC

    Subjects: SEMICONDUTORES, MAGNETISMO, ENERGIA

    Acesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
    • ABNT

      CASTELANO, L. K. et al. Artificial molecular quantum rings under magnetic field influence. Journal of Applied Physics, v. 106, n. 7, p. 073702-1-073702-8, 2009Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3223360. Acesso em: 15 nov. 2024.
    • APA

      Castelano, L. K., Hai, G. -Q., Partoens, B., & Peeters, F. M. (2009). Artificial molecular quantum rings under magnetic field influence. Journal of Applied Physics, 106( 7), 073702-1-073702-8. doi:10.1063/1.3223360
    • NLM

      Castelano LK, Hai G-Q, Partoens B, Peeters FM. Artificial molecular quantum rings under magnetic field influence [Internet]. Journal of Applied Physics. 2009 ; 106( 7): 073702-1-073702-8.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3223360
    • Vancouver

      Castelano LK, Hai G-Q, Partoens B, Peeters FM. Artificial molecular quantum rings under magnetic field influence [Internet]. Journal of Applied Physics. 2009 ; 106( 7): 073702-1-073702-8.[citado 2024 nov. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3223360

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