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Trabalho de evento-resumo
Theoretical studies of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' superlattices (1988)
Ferraz, A. C.; Srivastava, G. P.
Source: Proceedings. Conference titles: Escola Brasileira de Fisica de Semicondutores. Unidade: IF
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ABNT
FERRAZ, A. C. e SRIVASTAVA, G. P. Theoretical studies of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' superlattices. 1988, Anais.. Sisngapore: World Scientific, 1988. . Acesso em: 16 nov. 2024.
APA
Ferraz, A. C., & Srivastava, G. P. (1988). Theoretical studies of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' superlattices. In Proceedings. Sisngapore: World Scientific.
NLM
Ferraz AC, Srivastava GP. Theoretical studies of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' superlattices. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 nov. 16 ]
Vancouver
Ferraz AC, Srivastava GP. Theoretical studies of ' (GAAS) IND.N'' (ALAS) IND.N' superlattices. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 nov. 16 ]
Trabalho de evento-resumo
Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon (1988)
Assali, L. V. C. ; Leite, J. R.
Source: Proceedings. Conference titles: Escola Brasileira de Fisica de Semicondutores. Unidade: IF
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ABNT
ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon. 1988, Anais.. Singapore: World Scientific, 1988. . Acesso em: 16 nov. 2024.
APA
Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1988). Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon. In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Assali LVC, Leite JR. Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 nov. 16 ]
Vancouver
Assali LVC, Leite JR. Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 nov. 16 ]
Trabalho de evento-resumo
Dangling bonds reconstruction effects on the formation entropy of a silicon vacancy (1988)
Dal Pino Junior, A; Silva, E C F; Leite, J. R.
Source: Proceedings. Conference titles: Escola Brasileira de Fisica de Semicondutores. Unidade: IF
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ABNT
DAL PINO JUNIOR, A e SILVA, E C F e LEITE, J. R. Dangling bonds reconstruction effects on the formation entropy of a silicon vacancy. 1988, Anais.. Singapore: World Scientific, 1988. . Acesso em: 16 nov. 2024.
APA
Dal Pino Junior, A., Silva, E. C. F., & Leite, J. R. (1988). Dangling bonds reconstruction effects on the formation entropy of a silicon vacancy. In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Dal Pino Junior A, Silva ECF, Leite JR. Dangling bonds reconstruction effects on the formation entropy of a silicon vacancy. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 nov. 16 ]
Vancouver
Dal Pino Junior A, Silva ECF, Leite JR. Dangling bonds reconstruction effects on the formation entropy of a silicon vacancy. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 nov. 16 ]
Trabalho de evento-resumo
Role playde by interstitial 3d transition-metal atoms in gaas (1988)
Scolfaro, L M R; Fazzio, A
Source: Proceedings. Conference titles: Escola Brasileira de Fisica de Semicondutores. Unidade: IF
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ABNT
SCOLFARO, L M R e FAZZIO, A. Role playde by interstitial 3d transition-metal atoms in gaas. 1988, Anais.. Singapore: World Scientific, 1988. . Acesso em: 16 nov. 2024.
APA
Scolfaro, L. M. R., & Fazzio, A. (1988). Role playde by interstitial 3d transition-metal atoms in gaas. In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Scolfaro LMR, Fazzio A. Role playde by interstitial 3d transition-metal atoms in gaas. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 nov. 16 ]
Vancouver
Scolfaro LMR, Fazzio A. Role playde by interstitial 3d transition-metal atoms in gaas. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 nov. 16 ]
Trabalho de evento-resumo
Deep levels induced by 3d transition metal impurities in diamond (1988)
Alves, H W L; Leite, J. R.; Alves, J L A
Source: Proceedings. Conference titles: Escola Brasileira de Fisica de Semicondutores. Unidade: IF
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ABNT
ALVES, H W L e LEITE, J. R. e ALVES, J L A. Deep levels induced by 3d transition metal impurities in diamond. 1988, Anais.. Singapore: World Scientific, 1988. . Acesso em: 16 nov. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Leite, J. R., & Alves, J. L. A. (1988). Deep levels induced by 3d transition metal impurities in diamond. In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Alves HWL, Leite JR, Alves JLA. Deep levels induced by 3d transition metal impurities in diamond. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 nov. 16 ]
Vancouver
Alves HWL, Leite JR, Alves JLA. Deep levels induced by 3d transition metal impurities in diamond. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 nov. 16 ]
Trabalho de evento-resumo
Study of 4d and 5d impurities in iii-v semiconductors (1988)
Makiuchi, N; Macedo, T C; Caldas, Marília Junqueira; Fazzio, A
Source: Proceedings. Conference titles: Escola Brasileira de Fisica de Semicondutores. Unidade: IF
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ABNT
MAKIUCHI, N et al. Study of 4d and 5d impurities in iii-v semiconductors. 1988, Anais.. Singapore: World Scientific, 1988. . Acesso em: 16 nov. 2024.
APA
Makiuchi, N., Macedo, T. C., Caldas, M. J., & Fazzio, A. (1988). Study of 4d and 5d impurities in iii-v semiconductors. In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Makiuchi N, Macedo TC, Caldas MJ, Fazzio A. Study of 4d and 5d impurities in iii-v semiconductors. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 nov. 16 ]
Vancouver
Makiuchi N, Macedo TC, Caldas MJ, Fazzio A. Study of 4d and 5d impurities in iii-v semiconductors. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 nov. 16 ]
Trabalho de evento-resumo
Charge state stability of transition metal in semiconductors: negative u (1988)
Mota, R.; Fazzio, A
Source: Proceedings. Conference titles: Escola Brasileira de Fisica de Semicondutores. Unidade: IF
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ABNT
MOTA, R. e FAZZIO, A. Charge state stability of transition metal in semiconductors: negative u. 1988, Anais.. Singapore: World Scientific, 1988. . Acesso em: 16 nov. 2024.
APA
Mota, R., & Fazzio, A. (1988). Charge state stability of transition metal in semiconductors: negative u. In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Mota R, Fazzio A. Charge state stability of transition metal in semiconductors: negative u. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 nov. 16 ]
Vancouver
Mota R, Fazzio A. Charge state stability of transition metal in semiconductors: negative u. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 nov. 16 ]
Trabalho de evento-resumo
Atomic geometries of iii-v compound semiconductor surfaces by total energy and force methods (1988)
Ferraz, A. C.; Srivastava, G. P.
Source: Proceedings. Conference titles: Escola Brasileira de Fisica de Semicondutores. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERRAZ, A. C. e SRIVASTAVA, G. P. Atomic geometries of iii-v compound semiconductor surfaces by total energy and force methods. 1988, Anais.. Singapore: World Scientific, 1988. . Acesso em: 16 nov. 2024.
APA
Ferraz, A. C., & Srivastava, G. P. (1988). Atomic geometries of iii-v compound semiconductor surfaces by total energy and force methods. In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Ferraz AC, Srivastava GP. Atomic geometries of iii-v compound semiconductor surfaces by total energy and force methods. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 nov. 16 ]
Vancouver
Ferraz AC, Srivastava GP. Atomic geometries of iii-v compound semiconductor surfaces by total energy and force methods. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 nov. 16 ]

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