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Artigo de periodico
One-dimensional electron-phonon system at finite temperature (1988)
Degani, Marcos Henrique; Hipólito, Oscar; Farias, G A
Source: Solid State Communications. Unidade: IFSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
DEGANI, Marcos Henrique e HIPÓLITO, Oscar e FARIAS, G A. One-dimensional electron-phonon system at finite temperature. Solid State Communications, v. 67, n. 10, p. 915-21, 1988Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0038-1098(88)90456-5. Acesso em: 29 jun. 2025.
APA
Degani, M. H., Hipólito, O., & Farias, G. A. (1988). One-dimensional electron-phonon system at finite temperature. Solid State Communications, 67( 10), 915-21. doi:10.1016/0038-1098(88)90456-5
NLM
Degani MH, Hipólito O, Farias GA. One-dimensional electron-phonon system at finite temperature [Internet]. Solid State Communications. 1988 ;67( 10): 915-21.[citado 2025 jun. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(88)90456-5
Vancouver
Degani MH, Hipólito O, Farias GA. One-dimensional electron-phonon system at finite temperature [Internet]. Solid State Communications. 1988 ;67( 10): 915-21.[citado 2025 jun. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(88)90456-5
Artigo de periodico
Charge stabilization of cr at interstitial sites in gaas (1988)
Scolfaro, L M R; Fazzio, A; Mota, R.
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SCOLFARO, L M R e FAZZIO, A e MOTA, R. Charge stabilization of cr at interstitial sites in gaas. Solid State Communications, v. 66, n. 10, p. 1031-3, 1988Tradução . . Acesso em: 29 jun. 2025.
APA
Scolfaro, L. M. R., Fazzio, A., & Mota, R. (1988). Charge stabilization of cr at interstitial sites in gaas. Solid State Communications, 66( 10), 1031-3.
NLM
Scolfaro LMR, Fazzio A, Mota R. Charge stabilization of cr at interstitial sites in gaas. Solid State Communications. 1988 ;66( 10): 1031-3.[citado 2025 jun. 29 ]
Vancouver
Scolfaro LMR, Fazzio A, Mota R. Charge stabilization of cr at interstitial sites in gaas. Solid State Communications. 1988 ;66( 10): 1031-3.[citado 2025 jun. 29 ]
Artigo de periodico
Interaction of optical phonons with electrons in gas quantum wires (1988)
Degani, Marcos Henrique; Hipólito, Oscar
Source: Solid State Communications. Unidade: IFSC
Subjects: FÍSICA, ÓPTICA
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ABNT
DEGANI, Marcos Henrique e HIPÓLITO, Oscar. Interaction of optical phonons with electrons in gas quantum wires. Solid State Communications, v. 65, n. 10, p. 1185-7, 1988Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0038-1098(88)90919-2. Acesso em: 29 jun. 2025.
APA
Degani, M. H., & Hipólito, O. (1988). Interaction of optical phonons with electrons in gas quantum wires. Solid State Communications, 65( 10), 1185-7. doi:10.1016/0038-1098(88)90919-2
NLM
Degani MH, Hipólito O. Interaction of optical phonons with electrons in gas quantum wires [Internet]. Solid State Communications. 1988 ;65( 10): 1185-7.[citado 2025 jun. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(88)90919-2
Vancouver
Degani MH, Hipólito O. Interaction of optical phonons with electrons in gas quantum wires [Internet]. Solid State Communications. 1988 ;65( 10): 1185-7.[citado 2025 jun. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(88)90919-2
Artigo de periodico
Electronic state of a c-ls bore exciton in diamond (1988)
Alves, H W L; Chacham, H; Alves, J L A; Leite, J. R.
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: DIAMANTE
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ABNT
ALVES, H W L et al. Electronic state of a c-ls bore exciton in diamond. Solid State Communications, v. 67, n. 5 , p. 495-8, 1988Tradução . . Acesso em: 29 jun. 2025.
APA
Alves, H. W. L., Chacham, H., Alves, J. L. A., & Leite, J. R. (1988). Electronic state of a c-ls bore exciton in diamond. Solid State Communications, 67( 5 ), 495-8.
NLM
Alves HWL, Chacham H, Alves JLA, Leite JR. Electronic state of a c-ls bore exciton in diamond. Solid State Communications. 1988 ;67( 5 ): 495-8.[citado 2025 jun. 29 ]
Vancouver
Alves HWL, Chacham H, Alves JLA, Leite JR. Electronic state of a c-ls bore exciton in diamond. Solid State Communications. 1988 ;67( 5 ): 495-8.[citado 2025 jun. 29 ]
Artigo de periodico
Effective magnetic fields on 'FE' in 'R IND.1+'epsilo'''FE IND.4''B IND.4' alloys (1987)
Rechemberg, H R; Sanchez, J P
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: CAMPO MAGNÉTICO
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ABNT
RECHEMBERG, H R e SANCHEZ, J P. Effective magnetic fields on 'FE' in 'R IND.1+'epsilo'''FE IND.4''B IND.4' alloys. Solid State Communications, v. 62, n. 7 , p. 461-4, 1987Tradução . . Acesso em: 29 jun. 2025.
APA
Rechemberg, H. R., & Sanchez, J. P. (1987). Effective magnetic fields on 'FE' in 'R IND.1+'epsilo'''FE IND.4''B IND.4' alloys. Solid State Communications, 62( 7 ), 461-4.
NLM
Rechemberg HR, Sanchez JP. Effective magnetic fields on 'FE' in 'R IND.1+'epsilo'''FE IND.4''B IND.4' alloys. Solid State Communications. 1987 ;62( 7 ): 461-4.[citado 2025 jun. 29 ]
Vancouver
Rechemberg HR, Sanchez JP. Effective magnetic fields on 'FE' in 'R IND.1+'epsilo'''FE IND.4''B IND.4' alloys. Solid State Communications. 1987 ;62( 7 ): 461-4.[citado 2025 jun. 29 ]
Artigo de periodico
'ANTPOT.155 GD' and 'ANTPOT.161 DY' mossbauer study of 'R IND.1+'epsilo'''FE IND.4''B IND.4' alloys (r=gd,dy) (1987)
Rechemberg, H R; Boge, M; Jeandey, C; Oddou, J L; Sanchez, J P; Tenaud, P
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
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ABNT
RECHEMBERG, H R et al. 'ANTPOT.155 GD' and 'ANTPOT.161 DY' mossbauer study of 'R IND.1+'epsilo'''FE IND.4''B IND.4' alloys (r=gd,dy). Solid State Communications, v. 64, n. 3 , p. 277-81, 1987Tradução . . Acesso em: 29 jun. 2025.
APA
Rechemberg, H. R., Boge, M., Jeandey, C., Oddou, J. L., Sanchez, J. P., & Tenaud, P. (1987). 'ANTPOT.155 GD' and 'ANTPOT.161 DY' mossbauer study of 'R IND.1+'epsilo'''FE IND.4''B IND.4' alloys (r=gd,dy). Solid State Communications, 64( 3 ), 277-81.
NLM
Rechemberg HR, Boge M, Jeandey C, Oddou JL, Sanchez JP, Tenaud P. 'ANTPOT.155 GD' and 'ANTPOT.161 DY' mossbauer study of 'R IND.1+'epsilo'''FE IND.4''B IND.4' alloys (r=gd,dy). Solid State Communications. 1987 ;64( 3 ): 277-81.[citado 2025 jun. 29 ]
Vancouver
Rechemberg HR, Boge M, Jeandey C, Oddou JL, Sanchez JP, Tenaud P. 'ANTPOT.155 GD' and 'ANTPOT.161 DY' mossbauer study of 'R IND.1+'epsilo'''FE IND.4''B IND.4' alloys (r=gd,dy). Solid State Communications. 1987 ;64( 3 ): 277-81.[citado 2025 jun. 29 ]
Artigo de periodico
Dielectric response of kcn crystal at ultra low frequencies (1986)
Ziemath, E C; Aegerter, M A
Source: Solid State Communications. Unidade: IFSC
Assunto: MATERIAIS
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ABNT
ZIEMATH, E C e AEGERTER, M A. Dielectric response of kcn crystal at ultra low frequencies. Solid State Communications, v. 58, n. 8 , p. 519-22, 1986Tradução . . Acesso em: 29 jun. 2025.
APA
Ziemath, E. C., & Aegerter, M. A. (1986). Dielectric response of kcn crystal at ultra low frequencies. Solid State Communications, 58( 8 ), 519-22.
NLM
Ziemath EC, Aegerter MA. Dielectric response of kcn crystal at ultra low frequencies. Solid State Communications. 1986 ;58( 8 ): 519-22.[citado 2025 jun. 29 ]
Vancouver
Ziemath EC, Aegerter MA. Dielectric response of kcn crystal at ultra low frequencies. Solid State Communications. 1986 ;58( 8 ): 519-22.[citado 2025 jun. 29 ]
Artigo de periodico
Electronic structure of the 'AU'-'MN' pair complex in silicon (1986)
Assali, L. V. C. ; Leite, J. R.
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. Electronic structure of the 'AU'-'MN' pair complex in silicon. Solid State Communications, v. 58, n. 9 , p. 577-80, 1986Tradução . . Acesso em: 29 jun. 2025.
APA
Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1986). Electronic structure of the 'AU'-'MN' pair complex in silicon. Solid State Communications, 58( 9 ), 577-80.
NLM
Assali LVC, Leite JR. Electronic structure of the 'AU'-'MN' pair complex in silicon. Solid State Communications. 1986 ;58( 9 ): 577-80.[citado 2025 jun. 29 ]
Vancouver
Assali LVC, Leite JR. Electronic structure of the 'AU'-'MN' pair complex in silicon. Solid State Communications. 1986 ;58( 9 ): 577-80.[citado 2025 jun. 29 ]
Artigo de periodico
Magnetic properties and mossbauer effect in 'R IND.5''FE IND.18''B IND.18'('R IND.1+E''FE IND.4''B IND.4') (1986)
Rechenberg, H R; Paduan-Filho, A.; Missell, F. P.; Deppe, P; Rosenberg, M
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: MAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RECHENBERG, H R et al. Magnetic properties and mossbauer effect in 'R IND.5''FE IND.18''B IND.18'('R IND.1+E''FE IND.4''B IND.4'). Solid State Communications, v. 59, n. 8 , p. 541, 1986Tradução . . Acesso em: 29 jun. 2025.
APA
Rechenberg, H. R., Paduan-Filho, A., Missell, F. P., Deppe, P., & Rosenberg, M. (1986). Magnetic properties and mossbauer effect in 'R IND.5''FE IND.18''B IND.18'('R IND.1+E''FE IND.4''B IND.4'). Solid State Communications, 59( 8 ), 541.
NLM
Rechenberg HR, Paduan-Filho A, Missell FP, Deppe P, Rosenberg M. Magnetic properties and mossbauer effect in 'R IND.5''FE IND.18''B IND.18'('R IND.1+E''FE IND.4''B IND.4'). Solid State Communications. 1986 ;59( 8 ): 541.[citado 2025 jun. 29 ]
Vancouver
Rechenberg HR, Paduan-Filho A, Missell FP, Deppe P, Rosenberg M. Magnetic properties and mossbauer effect in 'R IND.5''FE IND.18''B IND.18'('R IND.1+E''FE IND.4''B IND.4'). Solid State Communications. 1986 ;59( 8 ): 541.[citado 2025 jun. 29 ]
Artigo de periodico
Dispersion of the 'F POT.+ IND.2' center in k'CL' crystal (1985)
Donatti, D A; Aegerter, M A
Source: Solid State Communications. Unidade: IFSC
Assunto: MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DONATTI, D A e AEGERTER, M A. Dispersion of the 'F POT.+ IND.2' center in k'CL' crystal. Solid State Communications, v. 56, n. 1 , p. 47-9, 1985Tradução . . Acesso em: 29 jun. 2025.
APA
Donatti, D. A., & Aegerter, M. A. (1985). Dispersion of the 'F POT.+ IND.2' center in k'CL' crystal. Solid State Communications, 56( 1 ), 47-9.
NLM
Donatti DA, Aegerter MA. Dispersion of the 'F POT.+ IND.2' center in k'CL' crystal. Solid State Communications. 1985 ;56( 1 ): 47-9.[citado 2025 jun. 29 ]
Vancouver
Donatti DA, Aegerter MA. Dispersion of the 'F POT.+ IND.2' center in k'CL' crystal. Solid State Communications. 1985 ;56( 1 ): 47-9.[citado 2025 jun. 29 ]
Artigo de periodico
Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon (1985)
Gomes, V M S; Assali, L. V. C. ; Caldas, Marília Junqueira; Leite, J. R.; Fazzio, A
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOMES, V M S et al. Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon. Solid State Communications, v. 53, p. 841-4, 1985Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0038-1098(85)90064-x. Acesso em: 29 jun. 2025.
APA
Gomes, V. M. S., Assali, L. V. C., Caldas, M. J., Leite, J. R., & Fazzio, A. (1985). Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon. Solid State Communications, 53, 841-4. doi:10.1016/0038-1098(85)90064-x
NLM
Gomes VMS, Assali LVC, Caldas MJ, Leite JR, Fazzio A. Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon [Internet]. Solid State Communications. 1985 ;53 841-4.[citado 2025 jun. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(85)90064-x
Vancouver
Gomes VMS, Assali LVC, Caldas MJ, Leite JR, Fazzio A. Defect-molecule parameters for the divacancy in silicon [Internet]. Solid State Communications. 1985 ;53 841-4.[citado 2025 jun. 29 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(85)90064-x
Artigo de periodico
Microscopic models of 'HG POT.+', 'AU POT.0' and 'PT POT.-' Isoelectronic interstitial impurities in silicon (1985)
Alves, J L A; Leite, J. R.; Gomes, V M S; Assali, L. V. C.
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Assunto: MICROSCOPIA
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ABNT
ALVES, J L A et al. Microscopic models of 'HG POT.+', 'AU POT.0' and 'PT POT.-' Isoelectronic interstitial impurities in silicon. Solid State Communications, v. 55, p. 333-7, 1985Tradução . . Acesso em: 29 jun. 2025.
APA
Alves, J. L. A., Leite, J. R., Gomes, V. M. S., & Assali, L. V. C. (1985). Microscopic models of 'HG POT.+', 'AU POT.0' and 'PT POT.-' Isoelectronic interstitial impurities in silicon. Solid State Communications, 55, 333-7.
NLM
Alves JLA, Leite JR, Gomes VMS, Assali LVC. Microscopic models of 'HG POT.+', 'AU POT.0' and 'PT POT.-' Isoelectronic interstitial impurities in silicon. Solid State Communications. 1985 ;55 333-7.[citado 2025 jun. 29 ]
Vancouver
Alves JLA, Leite JR, Gomes VMS, Assali LVC. Microscopic models of 'HG POT.+', 'AU POT.0' and 'PT POT.-' Isoelectronic interstitial impurities in silicon. Solid State Communications. 1985 ;55 333-7.[citado 2025 jun. 29 ]

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