Electronic state of a c-ls bore exciton in diamond (1988)
- Authors:
- Autor USP: LEITE, JOSE ROBERTO - IF
- Unidade: IF
- Assunto: DIAMANTE
- Language: Português
- Source:
- Título do periódico: Solid State Communications
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.67, n.5 , p.495-8, 1988
-
ABNT
ALVES, H W L et al. Electronic state of a c-ls bore exciton in diamond. Solid State Communications, v. 67, n. 5 , p. 495-8, 1988Tradução . . Acesso em: 24 abr. 2024. -
APA
Alves, H. W. L., Chacham, H., Alves, J. L. A., & Leite, J. R. (1988). Electronic state of a c-ls bore exciton in diamond. Solid State Communications, 67( 5 ), 495-8. -
NLM
Alves HWL, Chacham H, Alves JLA, Leite JR. Electronic state of a c-ls bore exciton in diamond. Solid State Communications. 1988 ;67( 5 ): 495-8.[citado 2024 abr. 24 ] -
Vancouver
Alves HWL, Chacham H, Alves JLA, Leite JR. Electronic state of a c-ls bore exciton in diamond. Solid State Communications. 1988 ;67( 5 ): 495-8.[citado 2024 abr. 24 ] - Impurezas substitucionais em silicio: serie de atomos 5d
- Estrutura eletronica dos complexos ouro substitucional-metal de transicao intersticial em silicio
- Mecanismo de difusao em semicondutores
- Noble gas atoms as impurities in silicon
- Deep-levels in diamond: the substitucional nitrogen and the simple neutrol vacancy
- Self-consistent band structure calculations by the variational cellular method
- Estrutura eletronica de impurezas de metais de transicao em diamante e germanio
- Modos locais de vibracao em 'GA''AS' intrinseco
- Dangling bonds reconstruction effects on the formation entropy of a silicon vacancy
- Substitutional impurities at reconstructed surfaces of cubic GaN
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas