Menu

Filtros : "ALMEIDA, LUCIANO MENDES" Limpar

Filtros

Refine with date range

  • 1

1 - 3 (3 records)

  • Trabalho de evento

    On the variability of the low-frequency noise in UTBOX SOI nMOSFETs (2012)

    Simoen, Eddy ; Caño de Andrade, Maria Glória ; Almeida, Luciano Mendes; Aoulaiche, Marc; Caillat, Christian; Jurczak, Malgorzata; Claeys, Cor

    Source: Microelectronics technology and devices, SBMicro. Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices. Unidade: EP

    Assunto: MICROELETRÔNICA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SIMOEN, Eddy et al. On the variability of the low-frequency noise in UTBOX SOI nMOSFETs. 2012, Anais.. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo, 2012. Disponível em: https://doi.org/10.1149/04901.0051ecst. Acesso em: 24 abr. 2026.

    • APA

      Simoen, E., Caño de Andrade, M. G., Almeida, L. M., Aoulaiche, M., Caillat, C., Jurczak, M., & Claeys, C. (2012). On the variability of the low-frequency noise in UTBOX SOI nMOSFETs. In Microelectronics technology and devices, SBMicro. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. doi:10.1149/04901.0051ecst

    • NLM

      Simoen E, Caño de Andrade MG, Almeida LM, Aoulaiche M, Caillat C, Jurczak M, Claeys C. On the variability of the low-frequency noise in UTBOX SOI nMOSFETs [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2026 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0051ecst

    • Vancouver

      Simoen E, Caño de Andrade MG, Almeida LM, Aoulaiche M, Caillat C, Jurczak M, Claeys C. On the variability of the low-frequency noise in UTBOX SOI nMOSFETs [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2026 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0051ecst

  • Tese (Doutorado)

    Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino (2012)

    Almeida, Luciano Mendes; Martino, João Antonio (Orientador)

    Unidade: EP

    Subjects: MEMÓRIA RAM, CIRCUITOS INTEGRADOS MOS, MICROELETRÔNICA, TRANSISTORES, ENCAPSULAMENTO ELETRÔNICO

    Acesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      ALMEIDA, Luciano Mendes. Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino. 2012. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2012. Disponível em: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18072013-144946/. Acesso em: 24 abr. 2026.

    • APA

      Almeida, L. M. (2012). Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18072013-144946/

    • NLM

      Almeida LM. Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino [Internet]. 2012 ;[citado 2026 abr. 24 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18072013-144946/

    • Vancouver

      Almeida LM. Estudo de célula de memória dinâmica de apenas um transistor SOI de óxido enterrado ultrafino [Internet]. 2012 ;[citado 2026 abr. 24 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-18072013-144946/

  • Artigo de periodico

    Improved analytical model for ZTC bias point for strained Tri-gates FinFETs (2010)

    Almeida, Luciano Mendes; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor

    Source: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. Unidade: EP

    Assunto: ELETROQUÍMICA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      ALMEIDA, Luciano Mendes et al. Improved analytical model for ZTC bias point for strained Tri-gates FinFETs. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, v. 31, n. 1, p. 385-392, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.3474183. Acesso em: 24 abr. 2026.

    • APA

      Almeida, L. M., Martino, J. A., Simoen, E., & Claeys, C. (2010). Improved analytical model for ZTC bias point for strained Tri-gates FinFETs. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 31( 1), 385-392. doi:10.1149/1.3474183

    • NLM

      Almeida LM, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Improved analytical model for ZTC bias point for strained Tri-gates FinFETs [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 385-392.[citado 2026 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474183

    • Vancouver

      Almeida LM, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Improved analytical model for ZTC bias point for strained Tri-gates FinFETs [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ;31( 1): 385-392.[citado 2026 abr. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3474183
  • 1

1 - 3 (3 records)

Digital Library of Intellectual Production of Universidade de São Paulo     2012 - 2026