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  • Artigo de periodico

    Structural analysis of 'SI''O IND.2' gel films by high energy electron difraction (1994)

    Ohsaki, H; Miura, K; Imai, A; Tada, M; Aegerter, Michel André

    Fonte: Journal of Sol-Gel Science and Technology. Unidade: IFSC

    Assunto: FÍSICA

    Como citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      OHSAKI, H et al. Structural analysis of 'SI''O IND.2' gel films by high energy electron difraction. Journal of Sol-Gel Science and Technology, v. 2 , p. 245-9, 1994Tradução . . Acesso em: 21 out. 2025.

    • APA

      Ohsaki, H., Miura, K., Imai, A., Tada, M., & Aegerter, M. A. (1994). Structural analysis of 'SI''O IND.2' gel films by high energy electron difraction. Journal of Sol-Gel Science and Technology, 2 , 245-9.

    • NLM

      Ohsaki H, Miura K, Imai A, Tada M, Aegerter MA. Structural analysis of 'SI''O IND.2' gel films by high energy electron difraction. Journal of Sol-Gel Science and Technology. 1994 ;2 245-9.[citado 2025 out. 21 ]

    • Vancouver

      Ohsaki H, Miura K, Imai A, Tada M, Aegerter MA. Structural analysis of 'SI''O IND.2' gel films by high energy electron difraction. Journal of Sol-Gel Science and Technology. 1994 ;2 245-9.[citado 2025 out. 21 ]

  • Artigo de periodico

    Structural difference of surface and sub-surface native oxides of evaporated amorphous silicon (1990)

    Tada, M; Ohsaki, H; Aegerter, Michel André

    Fonte: Journal of Non-Crystalline Solids. Unidade: IFSC

    Assunto: FÍSICA

    Acesso à fonteDOIComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      TADA, M e OHSAKI, H e AEGERTER, Michel André. Structural difference of surface and sub-surface native oxides of evaporated amorphous silicon. Journal of Non-Crystalline Solids, v. 120, n. 1-3, p. 275-82, 1990Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0022-3093(90)90213-6. Acesso em: 21 out. 2025.

    • APA

      Tada, M., Ohsaki, H., & Aegerter, M. A. (1990). Structural difference of surface and sub-surface native oxides of evaporated amorphous silicon. Journal of Non-Crystalline Solids, 120( 1-3), 275-82. doi:10.1016/0022-3093(90)90213-6

    • NLM

      Tada M, Ohsaki H, Aegerter MA. Structural difference of surface and sub-surface native oxides of evaporated amorphous silicon [Internet]. Journal of Non-Crystalline Solids. 1990 ;120( 1-3): 275-82.[citado 2025 out. 21 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0022-3093(90)90213-6

    • Vancouver

      Tada M, Ohsaki H, Aegerter MA. Structural difference of surface and sub-surface native oxides of evaporated amorphous silicon [Internet]. Journal of Non-Crystalline Solids. 1990 ;120( 1-3): 275-82.[citado 2025 out. 21 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0022-3093(90)90213-6

  • Trabalho de evento-resumo periodico

    Estrutura de filmes finos de a-'SI' 'O IND.2' (1989)

    Ohsaki, H; Aegerter, Michel André; Miura, K; Tada, M

    Fonte: Ceramica. Nome do evento: Congresso Brasileiro de Ceramica. Unidade: IFSC

    Assuntos: FILMES FINOS, MATERIAIS

    Como citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      OHSAKI, H et al. Estrutura de filmes finos de a-'SI' 'O IND.2'. Ceramica. [S.l.]: Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 21 out. 2025. , 1989

    • APA

      Ohsaki, H., Aegerter, M. A., Miura, K., & Tada, M. (1989). Estrutura de filmes finos de a-'SI' 'O IND.2'. Ceramica. Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo.

    • NLM

      Ohsaki H, Aegerter MA, Miura K, Tada M. Estrutura de filmes finos de a-'SI' 'O IND.2'. Ceramica. 1989 ;35( 232): 53.[citado 2025 out. 21 ]

    • Vancouver

      Ohsaki H, Aegerter MA, Miura K, Tada M. Estrutura de filmes finos de a-'SI' 'O IND.2'. Ceramica. 1989 ;35( 232): 53.[citado 2025 out. 21 ]

  • Trabalho de evento-resumo

    Formation mechanism of amorphous 'SI''O IND.2' during vacuum deposition (1989)

    Ohsaki, H; Aegerter, Michel André; Tada, M

    Fonte: Programa e Resumos. Nome do evento: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IFSC

    Assunto: MATERIAIS

    Versão PublicadaComo citar
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      OHSAKI, H e AEGERTER, Michel André e TADA, M. Formation mechanism of amorphous 'SI''O IND.2' during vacuum deposition. 1989, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1989. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/3b5b1b79-30ba-471b-9c83-bb2ec21f826f/PROD001133_789240.pdf. Acesso em: 21 out. 2025.

    • APA

      Ohsaki, H., Aegerter, M. A., & Tada, M. (1989). Formation mechanism of amorphous 'SI''O IND.2' during vacuum deposition. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/3b5b1b79-30ba-471b-9c83-bb2ec21f826f/PROD001133_789240.pdf

    • NLM

      Ohsaki H, Aegerter MA, Tada M. Formation mechanism of amorphous 'SI''O IND.2' during vacuum deposition [Internet]. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2025 out. 21 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/3b5b1b79-30ba-471b-9c83-bb2ec21f826f/PROD001133_789240.pdf

    • Vancouver

      Ohsaki H, Aegerter MA, Tada M. Formation mechanism of amorphous 'SI''O IND.2' during vacuum deposition [Internet]. Programa e Resumos. 1989 ;[citado 2025 out. 21 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/3b5b1b79-30ba-471b-9c83-bb2ec21f826f/PROD001133_789240.pdf
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