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  • Artigo de periodico

    Raman measurement of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures (2000)

    Pusep, Yuri A.; Silva, M T O; Galzerani, J C; Rodrigues, S C P; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Lima, A. P.; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; Moshegov, N T; Basmaji, P

    Source: Journal of Applied Physics. Unidades: IF, IFSC

    Assunto: FÍSICA

    PrivadoAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PUSEP, Yuri A. et al. Raman measurement of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Journal of Applied Physics, v. 87, n. 4, p. 1825-1831, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.372097. Acesso em: 26 ago. 2024.

    • APA

      Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Lima, A. P., et al. (2000). Raman measurement of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Journal of Applied Physics, 87( 4), 1825-1831. doi:10.1063/1.372097

    • NLM

      Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman measurement of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures [Internet]. Journal of Applied Physics. 2000 ; 87( 4): 1825-1831.[citado 2024 ago. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.372097

    • Vancouver

      Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman measurement of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures [Internet]. Journal of Applied Physics. 2000 ; 87( 4): 1825-1831.[citado 2024 ago. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.372097

  • Artigo de periodico

    Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers (1999)

    Levine, A.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Sipahi, Guilherme Matos; Quivy, A. A.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Dias, I. F. L.; Lauretto, E.; Oliveira, J. B. B.; Meneses, E. A.; Oliveira, A. G.

    Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Assunto: FÍSICA

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      LEVINE, A. et al. Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers. Physical Review B, v. 59, n. 7, p. 4634-4637, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.4634. Acesso em: 26 ago. 2024.

    • APA

      Levine, A., Silva, E. C. F. da, Sipahi, G. M., Quivy, A. A., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., et al. (1999). Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers. Physical Review B, 59( 7), 4634-4637. doi:10.1103/physrevb.59.4634

    • NLM

      Levine A, Silva ECF da, Sipahi GM, Quivy AA, Scolfaro LMR, Leite JR, Dias IFL, Lauretto E, Oliveira JBB, Meneses EA, Oliveira AG. Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 59( 7): 4634-4637.[citado 2024 ago. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.4634

    • Vancouver

      Levine A, Silva ECF da, Sipahi GM, Quivy AA, Scolfaro LMR, Leite JR, Dias IFL, Lauretto E, Oliveira JBB, Meneses EA, Oliveira AG. Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 59( 7): 4634-4637.[citado 2024 ago. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.4634

  • Artigo de periodico

    Lineshape analysis of photoreflectance spectra from InGaAs/GaAs quantum wells (1999)

    Choque, N. M. S.; Beliaev, D.; Soares, J. A. N. T.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Sperandio, A. L.; Quivy, A. A.; Leite, J. R.

    Source: Superlattices and Microstructures. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CHOQUE, N. M. S. et al. Lineshape analysis of photoreflectance spectra from InGaAs/GaAs quantum wells. Superlattices and Microstructures, v. 26, n. 4, p. 243-250, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1006/spmi.1999.0770. Acesso em: 26 ago. 2024.

    • APA

      Choque, N. M. S., Beliaev, D., Soares, J. A. N. T., Scolfaro, L. M. R., Sperandio, A. L., Quivy, A. A., & Leite, J. R. (1999). Lineshape analysis of photoreflectance spectra from InGaAs/GaAs quantum wells. Superlattices and Microstructures, 26( 4), 243-250. doi:10.1006/spmi.1999.0770

    • NLM

      Choque NMS, Beliaev D, Soares JANT, Scolfaro LMR, Sperandio AL, Quivy AA, Leite JR. Lineshape analysis of photoreflectance spectra from InGaAs/GaAs quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1999 ; 26( 4): 243-250.[citado 2024 ago. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1999.0770

    • Vancouver

      Choque NMS, Beliaev D, Soares JANT, Scolfaro LMR, Sperandio AL, Quivy AA, Leite JR. Lineshape analysis of photoreflectance spectra from InGaAs/GaAs quantum wells [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1999 ; 26( 4): 243-250.[citado 2024 ago. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1999.0770
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